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半導體制造范文1
“半導體制造技術”是我院電子封裝技術專業的必修課程，也是培養學生實踐動手能力和創新開發能力的專業特色課程之一。該課程的目標是培養學生系統掌握微電子關鍵工藝及其原理，并具有一定工藝設計、分析及解決工藝問題的能力，因此，在這門課程中引入實踐教學是至關重要的。
一、“半導體制造技術”課程內容的特點
“半導體制造技術”這門課程廣泛涉及量子物理、電學、光學和化學等基礎科學的理論概念，又涵蓋半導體后端工藝的材料分析等與制造相關的高新生產技術。該課程的主要內容包括微電子集成電路制造工藝中的氧化、薄膜淀積、摻雜（離子注入和擴散）、外延、光刻和刻蝕等工藝，培養學生掌握集成電路制造工藝原理和設計、工藝流程及設備操作方法，使學生掌握集成電路制造的關鍵工藝及其原理。同時，該課程又是一門實踐性和理論性均較強的課程，其涉及涵蓋的知識面廣且抽象。基于此，培養學生的實踐動手、工藝分析、設計及解決問題的能力單純依靠課堂上的講和看是遠遠達不到的。如何利用多種可能的資源開展工藝實踐教學，加強科學實驗能力和實際工作能力的培養，是微電子專業教師的當務之急。
二、教學條件現狀及實踐教學的引入
1.教學條件現狀
眾所周知，半導體制造行業的設備如金屬有機化合物化學氣相沉淀、等離子增強化學氣相沉積（PECVD）和磁控濺射等設備價格昂貴，且對環境條件要求苛刻。與企業相比，高等學校在半導體制造設備和場地方面的投入遠遠不夠。為了達到該課程的教學目標，我們學校購置了一些如磁控濺射系統、PECVD、高溫擴散爐和快速熱處理爐等與半導體制造工藝相關的設備。
2.引入實踐教學的重要性
半導體制造范文2
在電子半導體器件制造中，單晶硅的氧濃度會嚴重影響單晶硅產品的性能，也是單晶硅生長過程中較難控制的環節。本文介紹了直拉單晶法中氧雜質的來源、對單晶硅的影響以及氧濃度的控制方法。
【關鍵詞】直拉單晶 氧濃度 電子半導體 集成電路
單晶硅是微電子工業的基礎材料，廣泛用于集成電路和功率半導體器件的制造，成為當今信息社會的基石，同時也是太陽能光伏電池的主要材料，直拉單晶硅是利用切氏法（czochralski）制備，稱為CZ單晶硅。目前主要應用于微電子集成電路和太陽能電池方面。在單晶硅直拉工藝引入的眾多雜質中，氧對材料的性能影響最大，在表征單晶硅質量的眾多參數中，氧含量及其均勻性是最重要的參數之一，也是在硅晶體生長過程中較難控制的參數。
1 直拉單晶硅的氧雜質
直拉單晶硅存在雜質中氧是主要雜質，它來源于晶體生長過程中石英增鍋的污染，是屬于直拉單晶硅中不可避免的輕元素雜質；氧可以與空位結合，形成微缺陷；也可以團聚形成氧團簇，具有電學性能；還可以形成氧沉淀，引入誘生缺陷。研究發現，利用氧的沉淀性質，設計“內吸雜”工藝，可以達到吸除直拉單晶硅中的金屬雜質，提高集成電路產品成品率的作用，因此，人們對直拉單晶硅中的氧開始了有控制的利用。
直拉單晶硅的生長需要利用高純的石英坩堝，雖然石英坩堝的熔點要高于硅材料的熔點（1420），但是，在如此的高溫過程中，熔融的液態硅會侵蝕石英坩堝，導致少量的氧進入熔硅，最終進入直拉單晶硅。直拉單晶硅中的氧一般在（5～20）×1017cm-3范圍內，以過飽和間隙狀態存在于晶體硅中。
2 氧對直拉單晶硅的影響
氧在硅中大部分處于間隙位置，它與硅形成的Si-O鍵振動在11O6cm-1處產生紅外吸收帶，它還與空位符合產生836cm-1紅外吸收帶。當CZSi單晶在350～500熱處理幾十小時后會產生熱施主效應。用直拉法生長的硅單晶（氧含量為1018atoms/cm3）有著最著名的熱施主效應，懸浮區熔單晶（氧含量為1016atoms/cm3）熱施主效應不明顯，另外在500～800長時間熱處理，又會出現新施主效應，而且只出現在氧含量較高的直拉單晶（氧含量為5×1017atoms/cm3）中。由于熱施主現象的存在使得N型樣品電阻率下降和P型樣品電阻率增加，而這些性質的變化影響硅片徑向電阻率的均勻度，使電阻率熱穩定性變差，成品率下降。氧對硅中少數載流子壽命的影響也是很復雜的，可能與硅的電阻率變化有類似的機制。
3 直拉單晶硅氧濃度的控制方法
在直拉法生產中，氧摻入硅單晶的途徑是從石英（SiO2）坩堝溶解進入硅熔體，溶解的氧經由熔體的對流和擴散傳輸到晶體/熔體界面或自由表面。由于氧在熔體中的擴散系數相當小，所以氧主要是通過對流的傳輸的。要想控制原生直拉單晶硅中氧的含量及其分布的均勻性，就要設法控制晶體生長過程中，氧從石英坩堝溶入熔體的溶解速率，強制調節熔體流動來控制經由熔體流動而傳輸的氧量?？匮醯闹饕椒梢苑譃閮纱箢悾旱谝唬ㄟ^調控拉晶條件來獲得預期的最佳氧含量及其分布。第二，設計新的晶體生產方法，強制附加某種外界因素的影響，以改變液流方式，從而達到控氧目的。
3.1 拉晶條件的調控
增大氬氣流量和降低爐內壓力都有益于降低氧含量。為防止SiO凝結和熔體中的氧過飽和，在單晶爐里通過氬氣帶走硅熔體表面揮發出來的SiO氣體，通入氬氣的另一目的是要同時帶走CO氣體，以避免其重新進入熔體內，造成晶棒受到碳污染。通過氬氣將SiO和CO等帶出爐外，降低單晶爐內CO和SiO的分壓，減少它們溶入熔硅的量。減壓法拉晶既能使單晶爐保持低的壓強，增加SiO的揮發速度，又能使爐內的氬氣交換迅速，并可以降低單晶硅的氧含量。
合理的熱場利于晶體生長，在熔體中，徑向溫度梯度應適當小，而縱向溫度梯度應適當大。加熱器是熱場的關鍵部件，減小了熱場的加熱器尺寸，即降低加熱器高度或者減小加熱器徑向尺寸，有利于降低氧濃度及其分布的均勻性。在直拉單晶硅工藝中，熔體中的熱對流是由溫差產生的，加熱器從坩堝的側面供熱，改變加熱器尺寸實際上是改變了熱場的溫度分布，以使熱場中溫度分布更加合理，實現增大熔體的縱向溫度梯度和減小熔體的徑向溫度梯度的作用，從而影響氧的分布和含量，影響晶體的質量。
當石英坩堝初始位置處于低堝位時，即靠近加熱器的中間位置，熔料時需要的加熱器的加熱功率較低，石英坩堝壁及其底部的溫度也較低，進入熔硅中的氧濃度就較少；同時，較低的堝位還使縱向的溫度梯度較小，使得進入熔體中的氧濃度也較小，可降低氧含量。但初始堝位的降低，加熱器的功率減小，晶體中的溫度梯度減小，會使晶體生長速度減小，熔料比較費時，生產效率降低；因此，過高或者過低的初始堝位都不利于晶體的生長。
直拉法生長單晶硅時，晶體以一定的角速度旋轉，坩堝以相反的方向旋轉，它們轉動的直接作用產生強迫對流，攪拌熔硅，使熔硅中的氧雜質趨于均勻，晶體和坩堝的旋轉對硅單晶生長過程的影響是多方面的，既有利也有害。通常認為，當晶體轉速增加時，徑向氧濃度分布變得更均勻；但轉速太快會產生紊流，既不利于無位錯生長，也不利于雜質的均勻分布。坩堝旋轉能使整個熔體雜質分布均勻；但坩堝旋轉引起的對流與熱對流的方向一致，加劇了熔體中的溫度波動，晶錠和熔體中的氧濃度隨坩堝轉速增加而增加。在一定的單晶硅生長條件下，合適的晶體和坩堝轉速非常重要。實際生產中，一般采用高晶體轉速和低坩堝轉速來控制氧的分布，還可以采用變晶體轉速和變坩堝轉速等拉晶工藝來實現氧分布的均勻性。
3.2 磁拉法（MCZ）法
由于熔硅較大的電導率，磁場能控制熔體運動，因此發展了一種加磁場的直拉法，即MCZ法。它的主要優點是：（1）能做到雜質的微觀控制，特別是實現氧的可控性。（2）由于降低了坩堝的污染而提高了濃度。（3）由于增加了邊界層后的，因而增加了雜質的有效分凝系數，改善了雜質分布的宏觀和微觀均勻性。因此MCZ法能生產大直徑的硅單晶，其氧含量低且可控。早期的MCZ法可分為VMCZ（加軸向磁場）和HMCZ（加橫向磁場）兩種。
參考文獻
[1]劉立新.單晶硅生長原理及工藝[J].長春理工大學學報（自然科學版），2009（12）.
[2]吳明明.直拉單晶硅體生長過程中的控氧技術研究[J].新技術新工藝，2013（11）.
半導體制造范文3
B/B Ratio訂單出籃報告
該報告指出，北美半導體設備廠商2月份的3個月平均全球訂單預估金額為12.3億美元，較1月份最終訂單金額11.4億美元增長8％，但比2007年同期下滑12％。而在出貨表現部分，2月份的3個月平均出貨金額為13.2億美元，較一月的12.8億美元小幅增長3％，比去年同期減少8％。
SEMI全球總裁暨CEO Stanley T.Myers指出：“2月份的訂單出貨比較上月微幅回升，但仍低于去年同期的水平。盡管目前的存貨和產能利用率的狀態看來都很健康，組件制造商對于新設備投資的態度仍傾向保守?！?/p>
SEMI所公布的B/B Ratio是根據北美半導體設備制造商過去3個月的平均訂單金額，除以過去3個月平均設備出貨金額，所得出的比值。北美半導體設備市場訂單與出貨情況如下表：
而在日系半導體設備方面，根據SEAJ公布的數據，2月份的訂單金額則約為11.47億美元(1124.93億日元)，較1月減少11％，也比去年同期衰退42.5％。出貨金額約為13.5億美元(1323.22億日元)，較一月份下滑4％，比去年同期減少11.6％，估計B/B Ratio為0.85。詳細數據請參考SEAJ網站seaj.of.jp/
半導體制造范文4
1、行業佼佼者客戶覆蓋廣泛；
2、受益半導體行業規模的擴張；
3、強勢研發團隊掌控核心技術。
上海新陽半導體材料股份有限公司（以下簡稱“上海新陽”，代碼300236）專業從事半導體行業所需電子化學品的研發、生產和銷售服務，并致力于為客戶提供化學材料、配套設備、應用工藝、現場服務一體化的整體解決方案。產品主要包括半導體封裝領域所需的引線腳表面處理電子化學品，晶圓鍍銅、清洗電子化學品及與它們配套的設備。
財務數據顯示，2008年-2010年，上海新陽凈利潤分別為1956.73萬元、2887.79萬元、3337.22萬元，體現了良好的成長性。此次公司擬公開發行2150萬股，募集資金1.75億元用于原有產品產能的擴張及技術研發中心的建設。項目實施后，預計將年增半導體專用化學品產能3600萬噸，發展前景廣闊。
行業佼佼者客戶覆蓋廣泛
截至2010年年底，上海新陽已經具備了3000噸/年的電子化學品產能，下游擁有超過120家的客戶，遍布華東、華南、東北、西北等全國各地。同時，公司還通過了多家國內以及國際知名的半導體封裝企業嚴格的供應商資格認證，知名企業如長電科技、通富微電等都是上海新陽的固定客戶群體，在新產品的研發和產業化方面都建立了長期的合作伙伴關系。
以上僅僅是在半導體封裝領域的客戶，在芯片制造領域，公司也同如中芯國際、江陰長電等高端芯片制造企業建立了合作關系。
上海新陽是中國集成電路封測產業鏈技術創新聯盟理事單位，國家02重大科技專項科研任務的承擔單位之一，在國內的半導體材料業內具有突出的行業地位。行業佼佼者加上與各領域的知名企業的長期合作將極大得保障公司未來穩定的收入來源。
受益半導體行業規模擴張
半導體行業作為電子信息高新技術產業的核心，未來仍將會有較快的發展，而對電子化學品的需求也將隨著半導體行業規模的擴大而增加。根據中國半導體協會的預測，2013年引線腳表面處理所需的電子化學品的市場規?？蛇_10億元，而據Yole Development2009年10月的預測，2015年晶圓鍍銅、清洗電子化學品市場規?？蛇_10億美元。
未來，在國家相關產業政策的支持下，利用本土競爭優勢，公司產品對進口產品的替代以及相關產品技術儲備的市場推廣進程的加速，上海新陽的市場地位將進一步突出、穩固。在此背景下，上海新陽未來將極大得受益于行業規模的擴大。
強勢研發團隊掌控核心技術
長期以來，上海新陽通過積極從外部引進和內部培養等方式，在半導體化學材料領域，已建立了一支專業門類配套、行業經驗豐富、研發能力較強的復合型研發團隊。研發帶頭人孫江燕總工程師有近二十年半導體化學材料研發與應用經驗，現為中國集成電路封測產業鏈技術創新聯盟專家委員會成員。
半導體制造范文5
盡管最好的選擇是全定制型ASIC,但較高的一次性工程(NRE)成本和10萬以上的最小訂購量也令人望而卻步――當市場認可度存在不確定性時尤其如此。準系統級0.13微米設計的NRE成本大約在35萬美元,而最新45納米設計的NRE成本則超過100萬美元。
需要考慮的另一個因素是終端產品的生命周期與全定制型ASIC為期一年的開發時間。產品生命周期通常只有6個月。而全定制型ASIC的開發時間長于許多終端產品的壽命。這種情況下無法實現定制型ASIC的成本、功耗和性能優勢。
另一種選擇是周期時間短的小批量ASIC,其制造時間只需4到6個星期。這類ASIC利用一種直寫式電子束來定制單個穿孔層,從而消除了定制光罩成本。
雖然這類ASIC不存在NRE成本,但處理器IP的“隱藏”許可費卻可能達數十萬美元,抵消了零NRE成本的優勢。100美元或以上的單位成本是這類解決方案的另一障礙。對無晶圓廠芯片公司來說,其成本超出正常投放市場成本的5到10倍。
第四種選擇是一種定制型微控制器,基于Atmel的新一代金屬可編程單元結構(MPCF-II)技術,其NRE費用僅有象征性的$7.5萬美元,單位成本低至5到10美元。2007年推出的原始MPCF技術在硅效率方面超越了基于單元的ASIC(130納米工藝下為170K到210K門/mm2之間),使降低單位成本成為可能。同樣采用130納米工藝時,部署D觸發器(DFF)的MPCF單元與標準DFF單元的面積幾乎相同。(見圖1)
在晶粒85%的面積中按標準產品微控制器部署一個ARM7內核處理器、一個六層總線和多種外設,將另外15%的面積用于定制,部署觸點、六個金屬層和五個穿孔層以用于單元配置和互聯,可以最大限度地降低NRE成本。(見圖2)
用于部署Atmel基于ARM7處理器的CAP7L定制型微控制器的第二代MPCF-II技術,擁有一個新的單元庫,只需用三個金屬層和三個穿孔層即可對芯片進行配置和路由,由此將光罩數從12個減少到6個,并使NRE成本降低50%。如此一來,無晶圓廠芯片公司將能夠以最低的NRE成本,開發定制型SoC,無需支付IP許可費,其單位成本與全定制型ASIC極其接近。
晶粒中預定義的85%面積相當于一個標準的產品微控制器。 包括一個ARM7內核處理器,搭載一個4層AHB總線和一個22通道外設DMA控制器、USB設備、SPI主控制器和從控制器、兩個USART、三個16位計時計數器、一個8通道/10位模數轉換器、8層、優先級、160Kb SRAM、一個SD/MMC存儲卡接口(MCI)和外部總線接口(EBI),支持SDRAM、帶誤碼糾正(ECC)的NAND閃存以及帶True IDE模式的CompactFlash卡(可連接到板載GByte-plus接口或包括USB記憶棒在內的移動存儲器)。芯片還配有一個全功能系統控制器,包括中斷、電源控制和監控功能。(見圖3)
晶粒中支持定制的15%的面積包含相當于200K的ASIC門(25K FPGA LUT),還有足以部署額外處理器內核的邏輯、獨特的外設組、硬件加速器和無晶圓廠半導體公司的定制IP。例如,硅谷的Amulet Technologies公司,一家無晶圓廠交互式GUI芯片供應商,就利用Atmel CAP7定制型微控制器上的MP塊,將其專利圖形操作系統、GUI引擎、LCD控制器和觸控界面成功集成到ARM7內核上。憑借這一平臺,Amulet可以輕松為大規模白色家電及其它終端產品生產商定制單個GUI芯片。(見圖4)
除提供無許可費的ARM處理器內核以外,Atmel還擁有一個大規模許可及免專利費IP庫,全都在CAP7L MP塊及Atmel標準微控制器中進行過全面的驗證和測試。 Atmel提供的免費IP包括USART(支持RS232、RS485、ISO7816和IRDA)、串行同步控制器、I2S、AC'97音頻控制器、雙線接口(主/從)、串行外設接口(SPI)、SD / MMC卡主控制器、控制器區域網絡2.0B + 8郵箱(CAN)、并行I/O (32)、計時計數器、脈沖寬度調制(PWM)、數據加密標準(TDES-133 MHz)、高級加密標準(AES-128/196/256)、安全哈希算法(SHA1)、AHB/APB橋、外部總線接口、外部靜態RAM/閃存控制器、NAND閃存糾錯控制器(ECC)、SDRAM控制器和ZBT RAM控制器。
為了確保MP塊中的定制功能與芯片其余模塊進行有效的通信,金屬可編程(MP)塊搭載了兩個AHB主控制器和兩個AHB從控制器、14個高級外設總線(APB)從控制器和32位可編程I/O,可以通過硬件選擇共享I/O。一個片內優先中斷控制器提供最高13個編碼中斷和供DMA傳輸使用的兩個額外未編碼中斷。 多個分布式單端口和雙端口RAM塊可以緊密地耦合到邏輯元件上。 MP塊由來自時鐘發生器的所有時鐘以及定制型微控制器上的電源管理控制器供電。
片上的每個外設均部署有簡單的DMA,通過一個外設DMA控制器進行管理,該控制器可卸載數據移動任務。 在Amulet GUI芯片等要求大量幀緩存以刷新24位彩色VGA(640x480像素)LCD顯示器的應用中,EBI的作用十分明顯。1.2 MB幀緩存存儲在外部RAM中,通過EBI提取。 數據傳輸任務從ARM7 CPU卸載到添加至定制型微控制器MP塊上的兩個DMA主控制器中,該控制器可實現每秒73 MB的要求數據速率(大小為1.2MB的數據,每秒60次)。(見圖5)
1設計流程
CAP7L的設計流程與FPGA-plus-MCU或ASIC部署相同。設計開始時使用一個Altera或Xilinx出品的FPGA及一個ARM7 MCU。Atmel提供基于CAP7E ARM7處理器的微控制器,配有用于此目的的直接FPGA接口。CAP7E上的接口將FPGA直接存取提供給CAP7L上的AHB和外設DMA控制器。Atmel同時提供FPGA邏輯,對FPGA和CAP7E微控制器之間的總線數據流進行解碼和編碼。
FPGA中的邏輯塊通過AHB主信道和從信道以及APB從信道與CAP7E相連。 CAP7系列仍然是市場上唯一帶有AHB總線(可大幅提高系統性能)、基于ARM7處理器的微控制器。另外,移植到CAP7L之前,可用CAP7E-plus-FPGA進行初期市場測試和概念驗證。
任何定制IP的HDL代碼都是用標準、供應商特定或第三方FPGA設計工具開發而成。驗證后,客戶只需向Atmel提供寄存器傳輸級(RTL)網表,以便在CAP7L上的MP塊中進行部署。(見圖6)
Atmel提供AT91CAP7X-DK開發套件,可用于硬件和軟件協同設計。套件包括了一塊主板,配有電源連接器、TFT彩色LCD顯示器,以及連接AT91CAP7定制型微控制器上外設組的接口。 主板的特色功能包括USB全速主控制器和USB 2.0高速設備、10/100以太網MAC、圖像傳感器接口、I2S音頻編解碼器、2.0A和2.0B CAN控制器、TFT LCD控制器、MCI、SSC、PWM、LCD和AC97控制器、SPI主控制器和從控制器、兩個USART、三個16位計時計數器,以及一個8-通道、10-位模數轉換器。 還配有一個SD/MMC存儲卡接口(MCI)和外部總線接口(EBI),支持SDRAM、帶誤碼糾錯功能(ECC)的NAND閃存,以及帶True IDE模式的CompactFlash(可連接到板載GByte-plus接口或包括USB記憶棒在內的移動存儲器)。(見圖7)。主板還有一個DBGU串行通信端口、四個模擬輸入端口、一個次全速主控USB接口、兩個帶USB B連接器的附加USB設備PHY接口、兩個3.5mm的音頻插孔、帶三個狀態LED指示燈的三個3.省略實時內核。 市場上有售的商業工具包括Green Hills(多IDE、TimeMachineTM、集成操作系統)、IAR(C編譯器――Embedded WorkbenchTM)、ExpressLogic(實時操作系統――ThreadX?)和Micrium(實時操作系統――μCOS/II)。
2結論
第二代金屬可編程單元結構(MPCF-II)技術,為無晶圓廠芯片供應商開發基于ARM處理器的定制型SoC提供了一種經濟的解決方案,僅收取象征性NRE費用,單位成本和性能媲美全定制型ASIC,而且無需支付許可費。
半導體制造范文6
另外，全球最大的半導體設備制造商美國應用材料公司于3月21日宣布，將投資8300萬美元在西安建立第一個產品開發中心。應用材料公司CEO Michael Splinter表示：“我們在中國正由簡單的銷售和服務向技術開發和外包轉型。在建設開發中心的第一階段，公司將投入3300萬美元，隨后的第二階段，即未來的兩到五年內，公司將再投入5000萬美元。
不管如何，這一切都表明中國的產業環境正處在一個極好的發展時期，對于下一步中國半導體業的發展有積極的示范作用。
英特爾項目具有示范作用
全球半導體產業鏈轉移是一個總趨勢。但是，之前向中國轉移的主要集中在芯片的后序封裝測試段，全球10大芯片制造商中幾乎都已在中國設有封裝基地。如英特爾在上海及成都分別就有三個封裝廠，總投資已達13億美元。至于芯片制造部分，美國一直控制以0.18微米為限，如今除了臺灣地區的臺積電及和艦在中國設廠之外，只有韓國的海力士與歐洲的意法在無錫合資新建一個存儲器芯片制造廠。
根據西方國家對于半導體技術的對華出口限制(瓦圣納條約)，英特爾在華可以采用小于0.18微米線寬的半導體工藝。這成為英特爾在華建廠的最大障礙，也是整個事件異常低調的原因。
英特爾的主流處理器已經全部轉移到65納米生產工藝，今年下半年將進入45納米量產階段。此次英特爾承諾在大連生產的是芯片組，是聯系計算機處理器與內存芯片和輸入設備等的“紐帶”，采用的是上一代的90納米生產工藝。英特爾芯片組在2006年時營收為80億美元，英特爾在芯片組市場的主要競爭對手包括Nvidia和ATI，后者已經成為其主要競爭對手AMD的旗下部門。
根據英特爾最近向美國證券交易委員會提交的文件，該公司2006年來自中國內地和臺灣的營收超過121億美元，占其總營收354億美元中的34％。由于戴爾、Gateway、惠普及蘋果等廠商的大多數PC，90％以上的筆記本都由中國內地和臺灣公司代工，因此在大連興建芯片制造工廠，在產業鏈配套方面具有十分重要的意義。
根據瓦圣納條約的原則，控制兩代以上的技術向中國出口似乎也能自圓其說。因為大連項目要執行22個月，那時已進入2009年，根據英特爾的技術路線圖，那時已進入32納米時期。90納米完全可解釋為兩代以上的技術。
無論英特爾，還是海力士都是在中國興建獨資公司，其間并不存在任何技術轉讓問題，因此美國也不用擔心。加上中國在保護IP問題的認識上也逐年提高，所以瓦圣納條約的精髓，在貿易和控制之間平衡也能得到妥善解決。可以預期，英特爾、應用材料等世界頂級公司在中國的投資活動，將有示范及引導作用。尤其對于臺積電松江廠仍緊守O.18微米為限，可能喪失競爭能力。另外，隨著第5條12英寸芯片生產線在中國落戶，中國12英寸專業人才的競爭將更加激烈。
一切轉移都遵循著價值規律，即當芯片制造業開始轉移中國時，表明其利潤點已不可能再維持很高，而轉移者將進入產業鏈中附加值更高的部分。如IBM，摩托羅拉，NXP，安捷倫等都是如此。IBM是全球掌握IP最多的公司，然而它并不都自己使用，而進行IP貿易，年營收已可達數億美元。
面對如此良好的契機，中國無疑應積極吸收，以提升自身的競爭能力。歸根結底，產業鏈的轉移將永遠繼續下去，今天到中國，明天很可能又轉到印度或者越南。
發展本土半導體工業才是根本
發展工業離不開兩條路徑，首先積極開放，通過技術引進站在高起點上。但這還不能獲得真正的先進技術，需要通過消化，吸收才能使自身實力提高。此外，就是通過自行研發，可能慢一點，困難大點，但這才是中國工業發展的根本路徑。
因此，中國半導體工業的發展不可陶醉于英特爾，或者日月光等在中國設多少廠，尤其是獨資廠。除了看似中國半導體工業產值能提高，解決部分就業，頂多培養了一批中下級人才。它們都把核心技術牢牢地掌握在自己手中，實質上對于中國半導體業本土化進步，并無多少實質性的幫助，可以比喻為僅交換了一個戰場的地點。
英特爾在中國興建的12英寸，90納米制程生產線，要到2010年才投產，中間的變數還可能很多。非常有可能是由8英寸升級改造至12英寸的二手設備芯片生產線。雖然英特爾中國區公共事務部總監陸郝安博士對此持否定態度，再三表示“這完全是誤解，我們是在新的廠址，建新的工廠。”
最根本的還是“要創新，創新，再創新”。積極培育與壯大本土的半導體制造大廠，如中芯國際，華虹，宏力，華潤，先進等。只有中國的芯片制造廠強大，有實力，才能更有效地支持國內設計，封裝以及設備，材料，包括配套支持產業均衡地發展。
中國的芯片制造廠不能僅停留在實現盈利這一階段，而是要創立國際的品牌，有幾個在國際上能站得穩的大廠。否則，在日益競爭的環境中，很易被對手擠出市場。當然，企業要盈利是首位，但是中國半導體業必須差異化，也需要有部分企業一定要有抱負，立足于行業的前列。所以中國半導體工業的發展，從策略上要培育多個如中芯國際式的企業，唯此中國半導體業才有真正的希望。最近連臺灣地區的廠商也坦陳中國要發展本土化的半導體封裝大廠。