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集成電路市場現狀范文1
2013年，中國集成電路進口和逆差總額分別為2313億和1436億美元，與2500億美元的石油進口額相當。在國家信息安全受到日益嚴峻挑戰的情況下，隨著中國制造和中國需求的不斷崛起，集成電路的產業轉移已成大勢所趨。
《綱要》全面系統地為保障產業發展提供了方向：一是頂層支持力度加大，由國家層面自上而下推動；二是提供了全面的投融資方案，包括成立國家和地方投資資金；三是通過稅收政策提升企業盈利能力，包括所得稅、增值稅、營業稅以及進口免稅等；四是通過政府采購和推進國產化解決需求問題，尤其是政府信息化和信息安全部門國產化力度加強；五是、夯實產業發展長期基礎，包括強化創新能力，加強人才培養和引進及對外開放和合作等。
政策助力產業迎接長線拐點
《綱要》分為五部分，分別為現狀和形勢、總體要求、發展目標、主要任務和發展重點、保障措施。
現狀和形勢：1.存在融資難、創新薄弱、產業與市場脫節、缺乏協同、政策環節不完善等問題，大量依賴進口難以保障國家信息安全；2.投資攀升、份額集中；移動智能終端、云計算、物聯網、大數據快速發展；中國是全球最大的集成電路市場。
總體要求：1.指導思想是突出企業主體地位，以需求為導向，以整機和系統為牽引、設計為龍頭、制造為基礎、裝備和材料為支撐，以技術、模式和體制機制創新為動力；2.基本原則：需求牽引、創新驅動、軟硬結合、重點突破、開放發展。
發展目標：1.到2015年，體制機制創新取得明顯成效，建立與產業發展規律相適應的融資平臺和政策環境，產業銷售超過3500億元；2.到2020年，與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業銷售年均增速超過20%；3）到2030年，集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平，一批企業進入國際第一梯隊，實現跨越發展。
主要任務和發展重點：1.著力發展集成電路設計業；2.加速發展集成電路制造業；3.提升先進封裝測試業發展水平；4.突破集成電路關鍵裝備和材料。
保障措施：加強組織領導；設立國家產業投資基金；加大金融支持力度；落實稅收支持政策；加強安全可靠軟硬件的推廣應用；強化企業創新能力建設；加大人才培養和引進力度；繼續擴大對外開放。
這是繼2000年18號文和2011年4號文之后，政府對集成電路產業的最重要扶持政策，相對以往政策的特色包括：1.提升至國家戰略層面，包括成立國家集成電路產業發展領導小組，強化頂層設計，并設計國家產業投資基金等；2.強化企業主體地位，發揮企業活力；3.側重利用資本市場各種投資工具，如產業基金，兼并重組，融資工具等，這與以往以直接補貼企業和科研機構研發費用、稅收優惠等為主不同；4.市場化運作，政府資本定位為參與者，反映政府對企業長遠發展和盈利能力的訴求；5.力度大、范圍廣：扶持半導體產業鏈方方面面，從設計、制造、封裝測試到關鍵材料和設備，并設置了具體目標和任務，以及全面的保障政策。
在《綱要》前一年，中國半導體企業和各地政府已在開始運用各種資本市場手段謀求產業整合和政策扶持。2013年9月，國務院副總理馬凱強調加快推動中國集成電路產業發展，其后納斯達克三大中國半導體公司展訊、RDA和瀾起先后被國內資本私有化，北京市成立300億規模的集成電路產業發展股權投資基金，天津、上海、江蘇、深圳等地政府和國內最大的集成電路制造商中芯國際也紛紛效仿。在集成電路產業中引入資本市場工具已經成為業界共識。
從另外一個層面上來講，集成電路產業是一個投資規模大、技術門檻高，亦是高度全球化、專業化和市場化的產業，美、中國臺灣、韓在早期產業發展和追趕過程中均給予大力扶持，且產業贏家通常都經過了殘酷的全球市場篩選，英特爾、高通、臺積電、聯發科、三星等無不如此。因此，此次帶有濃厚市場色彩的產業推進綱要將從國家戰略的層面理順集成電路產業發展的脈絡，助力中國半導體產業迎接長線拐點。
國產芯片替代空間巨大
2013年，中國集成電路進出口總額分別為2313億和877億美元，較2012年分別增加20.5%和64.1%，逆差1436億美元，比2012年增長3.7%。中國集成電路進口額占2013年全年貨物進口額的12%，與2500億美元的石油進口額相當。在中國經濟產業轉型升級加快的大背景下，國產集成電路在國內有著巨大的市場替代空間。同時，從國家安全角度來講，作為電子信息產業的基石，中國關鍵集成電路基本都靠進口，如通用計算機CPU、存儲器、通訊芯片、高端顯示器件、各類傳感器等，特別是在斯諾登將美國棱鏡計劃公諸于世之后，中國信息安全更是受到了前所未有的挑戰和威脅。
中國信息技術產業規模多年位居世界第一，2013年產業規模達到12.4萬億元，生產了世界絕大部分手機、電腦、電視，但主要以整機制造為主，由于以集成電路和軟件為核心的價值鏈環節缺失，行業平均利潤率僅為4.5%，低于工業平均水平1.6個百分點。
同時也應該看到，中國巨大的終端產量不僅使中國成為世界工廠，也同時造就了中國電子制造業的諸多品牌，如以聯想、華為、酷派、中興、金立、OPPO、小米等為代表的中國智能手機制造商已經攫取了全球智能手機出貨量的30%；聯想2013年在PC市場取代HP成為市場第一并迅速擴大領先優勢；中國電視公司如TCL、海信、康佳等亦已躋身全球出貨量前10名。隨著中國電子制造業在全球話語權的提升，電子制造上游產業必然會向中國轉移，“中國制造”必然會帶動上游“中國創造”，而這其中集成電路是最為核心的部件。
另一方面，旺盛的本土需求也是發展中國集成電路產業的強大動因。中國擁有全球最大、增長最快的集成電路市場，2013年規模達9166億元，占全球市場的50%左右。隨著中國經濟發展方式的轉變、產業結構的加快調整，以及新型工業化、信息化、城鎮化、農業現代化同步發展，工業化和信息化深度融合，大力推進信息消費，對集成電路的需求將大幅增長，預計到2015年市場規模將達1.2萬億元。
行業各鏈條協同發展
集成電路產業主要有四個環節，即集成電路設計、集成電路制造、集成電路后段封裝測試以及支撐輔助上述三個環節的設備和材料等產業?！毒V要》突出了“芯片設計-芯片制造-封裝測試-裝備與材料”的全產業鏈布局，各鏈條應該協同發展，進而構建“芯片―軟件―整機―系統―信息服務”生態鏈，并提出了“三步走”的目標。
到2015年，移動智能終端、網絡通信等部分重點領域集成電路設計技術接近國際一流水平。32/28納米（nm）制造工藝實現規模量產，中高端封裝測試銷售收入占封裝測試業總收入比例達到30%以上，65-45nm關鍵設備和12英寸硅片等關鍵材料在生產線得到應用。
到2020年，企業可持續發展能力大幅增強。移動智能終端、網絡通信、云計算、物聯網、大數據等重點領域集成電路設計技術達到國際領先水平，產業生態體系初步形成。16/14nm制造工藝實現規模量產，封裝測試技術達到國際領先水平，關鍵裝備和材料進入國際采購體系，基本建成技術先進、安全可靠的集成電路產業體系。
到2030年，集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平，一批企業進入國際第一梯隊，實現跨越發展。
中國公司與世界一流差距明顯，追趕趨勢明確。2013年全球集成電路銷售額年增長5%，達到3150億美元（不包含制造、封測等中間環節，因其產值已體現在最終芯片產品售價中）。集成電路產業有IDM和Fabless（無晶圓設計）/Foundry（制造）/SATS（封裝測試）兩種商業模式。IDM以英特爾、三星、德州儀器、東芝、瑞薩等公司為代表，這些公司內部集合了集成電路設計、制造和封測三個環節。而Fabless/Foundry/SATS則由Fabless公司設計芯片，并委托Foundry和SATS公司進行制造和封裝測試，最終Fabless公司再把芯片銷售給客戶。世界主要的Fabless公司有高通、博通、AMD、聯發科、NVIDIA、Marvell等，Foundry有臺積電、Globalfoundries、電和中國中芯國際等，封測公司有日月光、安可、矽品等。以2013年全球3150億美元的集成電路銷售額來看，IDM和Fabless分別占3/4和1/4。
隨著智能移動終端取代傳統PC進程的不斷加速，高投資壁壘、縱向整合的IDM模式面臨船大難掉頭的困局。由于銷售額增長緩慢甚至是零增長和負增長，IDM大量的固定資產投資和研發費用削弱了公司的盈利能力。而Fabless公司則憑借專業分工、揚己所長，在移動終端集成電路市場中不斷攫取份額。
聚焦龍頭
對于未來政府政策的著力點，盡管具體的《細則》尚待一定時日出臺，但從《綱要》的八條保障措施可以窺得一斑，這八條措施分別為加強組織領導、設立國家產業投資基金、加大金融支持力度、落實稅收支持政策、加強安全可靠軟硬件的推廣應用、強化企業創新能力建設、加大人才培養和引進力度、繼續擴大對外開放。
以上八點措施在2000年《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》（18號文）和2011年《進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》（4號文）基礎上重點增加了加強組織領導、設立國家集成電路產業投資基金、加大金融支持力度三個內容。
集成電路市場現狀范文2
大家上午好。首先我代表中國半導體行業協會對各位領導、國內外嘉賓、各位同仁參加在西安舉辦的“2011中國半導體行業協會集成電路設計分會年會暨中國集成電路設計產業十年成就展”，表示熱烈的歡迎；對陜西省、西安市有關部門，陜西省半導體行業協會等有關單位給于會議的支持，對業界積極參與會議的各項活動表示誠摯的感謝。對新一屆理事會的產生與新一屆理事會的工作表示熱烈的祝賀和一如既往的支持。
集成電路設計業是集成電路產業發展的引擎，在此盛會開幕之時，希望設計業同仁持之以恒地做好以下兩件工作：
一、不斷努力，發揮好產業的引領與推動作用
2000―2010年十年間，我國集成電路產量從59億塊提高到653億塊，提高了11倍，年均增速27.2％。銷售收入從186億元提高到1440億元，翻了三番，年均增速22.7％。其中集成電路設計業年均增速43.5％。芯片制造業年均增速25％，封裝測試業，年均增速17.2％。這是否說明，推動中國集成電路產業的發展，一定要維持設計業的高位增長，或者說，只有設計業的快速增長，才能維持整個產業的發展，在目前中國的集成電路產業生態環境下，這是否有什么規律性?非常值得研究。
長三角地區，三家代工企業近三年以來，國內的加工收入逐年增長的情況，也是一個非常好的例證。一家企業國內加工量從2009年22％；增長到2010年的29％，再到2011年1-9月份的32％；一家企業從40％增長到46％，再增長到57％；另一家從2009年的15.4％，增長到2011年1-9月份的22％。封裝企業情況也是如此，一家封裝企業從2009年的50％左右增長到2011年70％(預期值)以上；另一家從2009年的30％，增長到2010年40％，預計2011年將達到50％。
在產業發展過程中，類似的例子還可以舉出很多。目的就是要說明設計業的龍頭與牽引的作用，希望大家“十二五”期間以及今后一個較長的發展時期，繼續努力。
二、加強創新與整合，做大做強企業
未來集成電路產業的發展，將繼續朝向人才集中，資金集中、技術密集三大趨勢前進。
據有關資料，現在僅設計一顆簡單的Ic可能就需要幾百人的通力合作，復雜一點的Ic甚至需要動用幾千人才能完成；現在興建一座月產能三萬片的十二寸廠，約需要50億美元；技術密集方面，未來集成電路的發展除了繼續邁向摩爾定律的先進制程發展，亦可投入超越摩爾定律的研發領域，持續開發各式多樣化的集成電路應用。
目前我們設計業的發展現狀，僅舉幾組數據，看看我們的差距：
2010年，工信部認定與年審通過的332家企業中，總人數在500人以上的14家，1000人以上只有5家。2010年銷售額全球排名第一的為70.98億美元，我們第一的為44.2億人民幣；全球第十名為12億美元，我們第10名只有6.2億元人民幣。根據“中國集成電路產業知識產權年度報告(2011版)”，截至到2010年12月31日，國內幾種主要集成電路產品的專利擁有數量，只有專用Ic類，國內企業及大學的專利擁有情況較好，而在處理器、存儲器、通訊等幾類專利擁有者大多數是外資企業。
下面所引用的數據，是來說明日本高科技公司與全球領先的高科技公司1999年-2009年平均年-收入的增長情況的：日本7家高科技公司，綜合數據的結果，市場份額收益2.9％，產品增長4.2％，并購0.7％，總增長2％；全球領先的7家高科技公司，市場份額收益4.7％，產品增長8％，并購4.3％，總增長17％。在年收入中，產品與并購占有很大的比重。通-過產品創新與并購，做大做強企業，是國外大企業成功之路。值得我們集成電路設計業，以及整個的半導體產業借鑒與學習。
中國未來集成電路的市場空間巨大，戰略性新興產業規劃的啟動與“十二五”規劃的實施，為我國集成電路產業的發展提供新的發展機遇，智能手機、平板電腦、智能電網、物聯網、云計算、新能源汽車等21世紀新興應用的興起，急待我們開發大量的系統級集成電路產品。但同時我們又面臨一系列挑戰：在全球經濟一體化的產業大環境下，我們的技術水平和企業規模與跨國公司相比，還有很大差距；我們占有的資源和資源整合能力，還有很大差距；我們的產業在產品定位，應用上取得領先方面，還有很大差距；唯有創新與加大整合，才是推動我們設計業的發展的關鍵。
集成電路市場現狀范文3
集成電路(IC)產業是戰略性、基礎性和產業之間關聯度很高的產業。它是電子信息產業和現代工業的基礎,也是改造提升傳統產業的核心技術,已成為衡量一個國家經濟和信息產業發展水平的重要標志之一,是各國搶占經濟科技制高點、提升綜合國力的重點領域。
集成電路產業是典型的知識密集型、技術密集型、資本密集和人才密集型的高科技產業,它不僅要求有很強的經濟實力,還要求具有很深的文化底蘊。集成電路產業由集成電路設計、掩模、集成電路制造、封裝、測試、支撐等環節組成。隨著集成電路技術的提升、市場規模的擴大以及資金投入的大幅提高,專業化分工的優點日益體現出來,集成電路產業從最初的一體化IDM,逐漸發展成既有IDM,又有無集成電路制造線的集成電路設計(Fabless)、集成電路代工制造(Foundry)、封裝測試、設備與材料支撐等專業公司。
國家始終把集成電路作為信息產業發展的核心。2000年國家18號文件(《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》)出臺后,為我國集成電路產業的發展創造了良好的政策環境。2005年國家制定的《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006-2020年)》安排了16個國家重大專項,其中兩個涉及到集成電路行業,一個是“核心電子器件、高端通用集成電路及基礎軟件產品”,另外一個則是“集成電路成套工藝、重大設備與配套材料”,分列第一、二位。2008年國家出臺的《電子信息產業調整與振興規劃》明確提出:加大鼓勵集成電路產業發展政策實施力度,立足自主創新,突破關鍵技術,要加大投入,集中力量實施集成電路升級,著重建立自主可控的集成電路產業體系。
無錫是中國集成電路產業重鎮,曾作為國家南方微電子工業基地,先后承擔國家“六五”、“七五”和“九0八”工程。經過近20年的不斷發展,無錫不僅積累了雄厚的集成電路產業基礎,而且培育和引進了一批骨干企業,有力地推動了我國集成電路產業的發展。2000年,無錫成為國家科技部批準的7個國家集成電路設計產業化基地之一。2008年,無錫成為繼上海之后第二個由國家發改委認定的國家微電子高新技術產業基地,進一步確立了無錫在中國集成電路產業中的優勢地位,2009年8月7日,溫總理訪問無錫并確立無錫為中國物聯網產業發展的核心城市,微電子工業作為物聯網產業發展的基礎電子支撐,又引來了新一輪的發展機遇。
發展集成電路產業是實現無錫新區產業結構調整、支撐經濟可持續發展、引領經濟騰飛、提升創新型城市地位、提高城市綜合實力和競爭力的關鍵。無錫新區應當抓住從世界金融危機中回暖和建設“感知中國中心”的發展機遇,以優先發展集成電路設計業、重視和引進晶圓制造業、優化發展封測配套業、積極扶持支撐業為方向,加大對產業發展的引導和扶持,加快新區超大規模集成電路產業園的建設,加強高端人才的集聚和培育,實現無錫市委市政府提出的“把無錫打造成為中國真正的集成電路集聚區、世界集成電路的高地、打造‘中國IC設計第一區’和‘東方硅谷’品牌的愿景”,實現新區集成電路產業的跨越式發展。
2新區超大規模集成電路園
(2010年-2012年)行動計劃
2.1 指導思想
全面貫徹落實科學發展觀,堅持走新型工業化道路,緊跟信息產業發展的世界潮流,以積極扶持、引導現有存量企業為基礎,以引進和孵化為手段,以重點項目為抓手,大力集聚高科技人才,加大政府推進力度,提高市場化運行程度,強攻設計業,壯大制造業,構建集成電路設計、制造、封裝測試、系統應用、產業支撐于一體的完整IC產業鏈,建成“東方硅谷”。
2.2 發展目標
從2010年到2012年,無錫新區集成電路產業年均引進企業數15家以上,期內累計新增規范IC企業40家,期末產業鏈企業總數120家以上,產業規模年均增長25%以上,2012年目標400億元,到2015年,全區集成電路產業規模達到800億元,占全國比重達20%以上。年均引進和培養中、高級IC人才600名,期內累計新增2000名,期末專業技術高端人才存量達3000名。
2.3 主要任務
2.3.1 重點發展領域
按照“優先發展集成電路設計業,重點引進晶圓制造業,優化提升封裝測試業,積極扶植支撐業”的基本思路,繼續完善和落實產業政策,加強公共服務,提升自主創新能力,推進相關資源整合重組,促進產業鏈各環節的協調發展,形成無錫市集成電路產業最集中區域。
2.3.2 產業發展空間布局
集成電路產業是無錫新區區域優勢產業,產業規模占據全市70%以上,按照“區域集中、產業集聚、發展集約”的原則,高標準規劃和建設新區超大規模集成電路產業園,引導有實力的企業進入產業園區,由園區的骨干企業作龍頭,帶動和盤活區域產業,增強園區產業鏈上下游企業間的互動配合,不斷補充、豐富、完善和加強產業鏈建設,形成具有競爭實力的產業集群,成為無錫新區集成電路產業發展的主體工程。
無錫新區超大規模集成電路產業園位于無錫新區,距離無錫碩放機場15公里,距無錫新區管委會約3公里。
超大規模集成電路產業園區總規劃面積3平方公里,規劃區域北起泰山路、西至錫仕路,東臨312國道和滬寧高速公路,南至新二路。園區規劃主體功能區包括制造業區設計孵化區、設計產業化總部經濟區、設計產業化配套服務區等,占地共700畝,規劃基礎配套區包括建設園內干道網和開放式對外交通網絡,同步配套與發展IC設計產業相關聯的寬帶網絡中心、國際衛星中心、國際培訓中心等,按照園內企業人群特點,規劃高端生活商務區。
園區目前已有國內最大工藝最先進的集成電路制造企業海力士恒億半導體,南側有KEC等集成電路和元器件制造、封測企業。園區的目標是建成集科研教育區、企業技術產品貿易區、企業孵化區、規模企業獨立研發區和生活服務區于一體的高標準、國際化的集成電路專業科技園區,作為承接以IC設計業為主體、封測、制造、系統方案及支撐業為配套的企業創新創業的主要載體。支持跨國企業全球研發中心、技術支持中心、產品系統方案及應用、上下游企業交流互動、規模企業獨立研發配套設施、物流、倉儲、產品營銷網點、國際企業代表處等的建設,組建“類IDM”的一站式解決方案平臺。
2.3.3 主要發展方向與任務
(1)集成電路設計業
集成電路設計是集成電路產業發展的龍頭,是整個產業鏈中最具引領和帶動作用的環節,處于集成電路價值鏈的頂端。國家對IC產業、特別是IC設計業發展的政策扶持為集成電路發展IC設計產業提供了良好的宏觀政策環境。“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品”與“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”列在16個重大專項的第一、二位,說明政府對集成電路產業的高度重視。這兩個重大專項實施方案的通過,為IC設計企業提升研發創新能力、突破核心技術提供了發展機遇。新區集成電路產業的發展需要密切結合已有產業優勢,順應產業發展潮流,進一步促進集成電路產業的技術水平和整體規模,實現集成電路設計產業新一輪超常規的發展。
1)、結合現有優勢,做大做強以消費類為主的模擬芯片產業。
無錫集成電路產業發展起步早,基礎好,實力強。目前,無錫新區積聚了60余家集成電路設計企業,包括國有企業、研究機構、民營企業以及近幾年引進的海歸人士創業企業。代表性企業包括有:華潤矽科、友達、力芯、芯朋、美新、海威、無錫中星微、硅動力、紫芯、圓芯、愛芯科、博創、華芯美等公司。產品以消費類電子為主,包括:DC/DC、ADC/DAC、LED驅動、射頻芯片、智能電網芯片等,形成了以模擬電路為主的產品門類集聚,模擬IC產品的研發和生產,成為無錫地區IC設計領域的特色和優勢,推動以模擬電路產品開發為基礎的現有企業實現規?；l展,是新區集成電路產業做大做強的堅實基礎。
2)結合高端調整戰略,持續引進、培育系統設計企業。
無錫“530”計劃吸引眾多海外高端集成電路人才到無錫創業,已經成為無錫城市的一張“名片”,并在全球范圍內造就了關注高科技、發展高科技的影響力。以海歸人員為代表的創業企業相繼研發成功通信、MEMS、多媒體SOC等一批高端產品,為無錫高端集成電路設計的戰略調整,提供了堅實的人才基礎和技術基礎。隨著海峽兩岸關系的平緩與改善,中國臺灣正在考慮放寬集成電路設計企業到大陸投資政策,新區要緊緊抓住這一機遇,加大對中國臺灣集成電路設計企業的引進力度。新區擁有相對完善的基礎配套設施、宜居的人文環境、濃厚的產業氛圍、完備的公共技術平臺和服務體系,將成高端集成電路人才創業的首選。
3)結合電子器件國產化戰略,發展大功率、高電壓半導體功率器件。
高效節能已經成為未來電子產品發展的一個重要方向,電源能耗標準已經在全球逐步實施,將來,很多國家將分別實施綠色電源標準,世界各國已對家電與消費電子產品的待機功耗與效率開始實施越來越嚴格的省電要求,高效節能保護環境已成為當今共識。提高效率與減小待機功耗已成為消費電子與家電產品電源的兩個非常關鍵的指標。中國目前已經開始針對某些產品提出能效要求,此外,歐美發達國家對某些電子產品有直接的能效要求,如果中國想要出口,就必須滿足其能效要求,這些提高能效的要求將會為功率器件市場提供更大的市場動力。功率器件包括功率IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業,除了保證設備的正常運行以外,功率器件還能起到有效的節能作用。由于制造工藝等因素的限制,形成相對較高的技術門檻,同時,新區企業擁有的深厚的模擬電路技術功底以及工藝開發制造能力,作為一種產業化周期相對較短的項目,現在越來越清晰的看到,模擬和功率器件是新區集成電路設計業的重點發展方向。
4)結合傳感網示范基地建設,發展射頻電子、無線通信、衛星電子、汽車電子、娛樂電子及未來數字家居電子產業。
“物聯網”被稱為繼計算機、互聯網之后,世界信息產業的第三次浪潮。專家預測10年內物聯網就可能大規模普及,應用物聯網技術的高科技市場將達到上萬億元的規模,遍及智能交通、環境保護、公共安全、工業監測、物流、醫療等各個領域。目前,物聯網對于全世界而言都剛起步,各個國家都基本處于同一起跑線。溫總理訪問無錫并確立無錫為未來中國傳感網產業發展的核心城市,將成為難得的戰略機遇,新區集成電路產業應該緊緊圍繞物聯網產業發展的歷史機遇,大力發展射頻電子、MEMS傳感技術、數字家居等,為傳感網示范基地建設和物聯網產業的發展,提供有效的基礎電子支撐。
(2)集成電路制造業
重大項目,特別是高端芯片生產線項目建設是擴大產業規模、形成產業集群、帶動就業、帶動產業發展的重要手段。是新區集成電路產業壯大規模的主要支撐,新區要確保集成電路制造業在全國的領先地位,必須扶持和推進現有重點項目,積極引進高端技術和特色配套工藝生產線。
1)積極推進現有大型晶園制造業項目
制造業投資規模大,技術門檻高,整體帶動性強,處于產業鏈的中游位置,是完善產業鏈的關鍵。新區集成電路制造業以我國的最大的晶圓制造企業無錫海力士-恒億半導體為核心,推動12英寸生產線產能擴張,鼓勵企業不斷通過技術改造,提升技術水平,支持企業周邊專業配套,完善其產業鏈。鼓勵KEC等向集成器件制造(IDM)模式的企業發展,促進設計業、制造業的協調互動發展。積極推進落實中國電子科技集團公司第58所的8英寸工藝線建設,進一步重點引進晶圓制造業,確保集成電路制造業在國內的領先地位。
2)重視引進高端技術與特色工藝生產線
國際IC大廠紛紛剝離芯片制造線,甩掉運轉晶圓制造線所帶來的巨大成本壓力,向更專注于IC設計的方向發展。特別是受國際金融危機引發的經濟危機影響以來,這一趨勢更為明顯,紛紛向海外轉移晶圓制造線,產業園將緊緊抓住機遇,加大招商引資力度。在重點發展12英寸、90納米及以下技術生產線,兼顧8英寸芯片生產線的建設的同時,重視引進基于MEMS工藝、射頻電路加工的特色工藝生產線,協助開發模擬、數?；旌?、SOI、GeSi等特色工藝產品,實現多層次、全方位的晶圓制造能力。
(3)集成電路輔助產業
1)優化提升封裝測試業
無錫新區IC封裝測試業以對外開放服務的經營模式為主,海力士封裝項目、華潤安盛、英飛凌、東芝半導體、強茂科技等封測企業增強了無錫新區封測環節的整體實力。近年來封測企業通過強化技術創新,在芯片級封裝、層疊封裝和微型化封裝等方面取得突破,縮短了與國際先進水平的差距,成為國內集成電路封裝測試的重要板塊。
隨著3G手機、數字電視、信息家電和通訊領域、交通領域、醫療保健領域的迅速發展,集成電路市場對高端集成電路產品的需求量不斷增加,對QFP(LQFP、TQFP)和QFN等高腳數產品及FBP、MCM(MCP)、BGA、CSP、3D、SIP等中高檔封裝產品需求已呈較大的增長態勢。無錫新區將根據IC產品產業化對高端封測的需求趨勢,積極調整產品、產業結構,重點發展系統級封裝(SIP)、芯片倒裝焊(Flipchip)、球柵陣列封裝(BGA)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等先進封裝測試技術水平和能力,提升產品技術檔次,促進封測產業結構的調整和優化。
2)積極扶持支撐業
支撐與配套產業主要集中在小尺寸單晶硅棒、引線框架、塑封材料、工夾具、特種氣體、超純試劑等。我國在集成電路支撐業方面基礎還相當薄弱。新區將根據企業需求,積極引進相關配套支撐企業,實現12英寸硅拋光片和8~12英寸硅外延片、鍺硅外延片、SOI材料、寬禁帶化合物半導體材料、光刻膠、化學試劑、特種氣體、引線框架等關鍵材料的配套。以部分關鍵設備、材料為突破口,重視基礎技術研究,加快產業化進程,提高支撐配套能力,形成上下游配套完善的集成電路產業鏈。
3保障措施
國家持續執行宏觀調控政策、集成電路產業升溫回暖以及國內IC需求市場持續擴大、國際IC產業持續轉移和周期性發展是無錫新區集成電路產業發展未來面臨的主要外部環境,要全面實現“規劃”目標,就必須在落實保障措施上很下功夫。2010-2012年,新區集成電路產業將重點圍繞載體保障、人才保障、政策保障,興起新一輪環境建設和招商引智,實現產業的轉型升級和產業總量新的擴張,為實現中國“IC設計第一區”打下堅實的基礎。
3.1 快速啟動超大規模集成電路產業園載體建設
按照相關部門的部署和要求,各部門協調分工負責,前后聯動,高起點規劃,高標準建設。盡快確定園區規劃、建設規劃、資金籌措計劃等。2010年首先啟動10萬平方米集成電路研發區載體建設,2011年,進一步加大開發力度,基本形成園區形象。
3.2 強力推進核“芯”戰略專業招商引智工程
以國家集成電路設計園現有專業招商隊伍為基礎,進一步補充和完善具備語言、專業技術、國際商務、投融資顧問、科技管理等全方位能力的專門化招商隊伍;區域重點突破硅谷、中國臺灣、北京、上海、深圳等地專業產業招商,聚焦集成電路設計業、集成電路先進制造業、集成電路支撐(配套)業三個板塊,引導以消費類為主導的芯片向高端系統級芯片轉變,以創建中國“集成電路產業第一園區”的氣魄,調動各方資源,強力推進產業招商工作。
3.3 與時俱進,不斷更新和升級公共技術服務平臺
進一步仔細研究現有企業對公共服務需求情況,在無錫IC基地原有EDA設計服務平臺、FPGA創新驗證平臺、測試及可靠性檢測服務平臺、IP信息服務平臺以及相關科技信息中介服務平臺的基礎上,拓展系統芯片設計支撐服務能力,搭建適用于系統應用解決方案開發的系統設計、PCB制作、IP模塊驗證、系統驗證服務平臺。為重點培育和發展的六大新興產業之一的“物聯網”產業的發展提供必要的有效的服務延伸。支持以專用芯片設計為主向系統級芯片和系統方案開發方向延伸,完善、調整和優化整體產業結構。支持集成電路芯片設計與MEMS傳感器的集成技術,使傳感器更加堅固耐用、壽命長、成本更加合理,最終使傳感器件實現智能化。
3.4 內培外引,建設專業人才第一高地
加大人才引進力度。針對無錫新區集成電路產業發展實際需求,豐富中高級人才信息積累,每年高級人才信息積累達到500名以上。大力推進高校集成電路人才引導網絡建設,與東南大學、西安電子科技大學、成都電子科技大學等國內相關院校開展合作,每年引進相關專業應屆畢業生500人以上,其中研究生100人以上。及時研究了解國內集成電路產業發達地區IC人才結構、人才流動情況,實現信息共享,每年引進IC中高級人才200人以上。積極開展各類國際人才招聘活動,拓寬留學歸國人員引進渠道,力爭引進國際IC專家、留學歸國人員100人以上。到2012年,無錫新區IC設計高級專業技術人才總數達到3000人。
建立健全教育培訓體系。以東南大學的集成電路學院在無錫新區建立的高層次人才培養基地為重點,到2012年碩士及以上學歷培養能力每年達到500人。支持江南大學、東南大學無錫分校擴大本科教育規模,加強無錫科技職業學院集成電路相關學科的辦學實力,建立區內實踐、實習基地,保障行業對各類專業技術人才的需求。與國際著名教育機構聯合建立高層次的商學院和公共管理學院,面向企業中高層管理人員,加強商務人才和公共管理人才的培養。
3.5 加強制度創新,突出政策導向
近幾年,新區管委會多次調整完善對IC設計創新創業的扶持力度(從科技18條到55條),對IC設計產業的發展起了很大的作用,根據世界IC產業發展新態勢、新動向,結合新區IC產業現狀及未來發展計劃,在2009年新區科技55條及其它成功踐行政策策略基礎上,建議增加如下舉措:
1、在投融資方面,成立新區以IC設計為主的專業投資公司,參考硅谷等地成熟理念和方法,通過引進和培養打造一支專業團隊,管理新區已投資的IC設計公司,成立每年不少于5000萬元的重組基金,在國家IC設計基地等配合下,通過資本手段,移接硅谷、新竹、筑波等世界最前沿IC設計產業化項目,推進新區IC設計公司改造升級,進軍中國乃至世界前列。
2、政策扶持范圍方面,從IC設計擴大到IC全產業鏈(掩模、制造、封裝、測試等),包括設備或材料、配件供應商的辦事處或技術服務中心等。
3、在提升產業鏈相關度方面,對IC設計企業在新區內配套企業加工(掩模、制造、封裝、測試)的,其繳納的增值稅新區留成部分進行補貼。
4、在高級人才引進方面,將2009年55條科技政策中關于補貼企業高級技術和管理人才獵頭費用條款擴大到IC企業。
集成電路市場現狀范文4
“跨越式發展”，不是筆者的概括與描述，而是政府的公開宣示。政府首次公開表現要在集成電路產業實現“跨越式發展”的意圖，還是在2013年9月，當時《人民日報》刊登了報道《馬凱：努力實現集成電路產業跨越式發展》。進入2014年后，清華紫光橫空殺出，開始在國外大手筆并購集成電路企業，讓人感到這一“跨越”表態并非紙上談兵。2014年6月，國務院通過了《國家集成電路產業發展推進綱要》，明確強調要“加快追趕和超越的步伐，努力實現集成電路產業跨越式發展”。
2014年8月18日下午，主持召開中央財經領導小組第七次會議、研究實施創新驅動發展戰略時，強調“要跟蹤全球科技發展方向，努力趕超，……明確我國科技創新主攻方向和突破口。對看準的方向，要超前規劃布局，加大投入力度，著力攻克一批關鍵核心技術，加速趕超甚至引領步伐?！边@些需要“趕超”的重點領域，就包括“高端通用芯片、集成電路裝備”。
至此，中國正式邁出了集成電路產業跨越式發展的步伐。那么，跨越式發展能實現嗎？
先來看看現有基礎或出發點，即中國的產業現狀。多年來，有輿論批評我國高增長粗放低效、有速度無質量、低端供給過剩高端供給匱乏，其中常被拿來做例證的，就是中國在集成電路產業方面跟西方的差距。事實上，在這一領域，我國已取得不小的進展。例如，在芯片生產的設計、制造、封裝、測試等諸環節，我國都已經涌現出了一批具備初步甚至較高競爭實力的企業；在芯片生產各環節所需要的精密機械中，光刻機實現了初步國產化，刻蝕機、離子注入機等不僅實現了國產化，而且開始占據越來越多的國際市場。高端通用芯片領域，2015年美國商務部對超級計算機禁運英特爾“至強”服務器芯片，中國馬上對外宣布已有了自己的替代品，“神威太湖之光”裝備的中國“芯”就是明證。在高端服務器領域，浪潮集團已經擠掉了IBM，成為中國第一供應商，其產品也開始出口國外。伴隨著以3G、4G自主標準確立與推廣為標志的中國網絡移動通訊技術的飛速發展，中國智能手機芯片業的實力也在同步提升?？梢?，中國的產業基礎已不再弱小。此外，隨著《綱要》推出以及國家產業基金的成立，資金和人才也逐漸有了保障。
有了產業基礎、資金、人才，再加上與較快發展的整體經濟的互動，在任何領域包括集成電路領域完成“跨越式發展”，我們都有足夠的底氣。這方面的先例比比皆是，比如，在高鐵、電網、5G通訊、顯示面板、核電、重型裝備制造等重要產業領域，中國已經完成或正在實現跨越式發展。
集成電路市場現狀范文5
關鍵詞：微電子技術專業；新材料新能源；節能減排低碳生活；行業發展
中圖分類號：G642.0 文獻標志碼：A 文章編號：1674-9324（2013）19-0080-02
一、行業發展趨勢
世界經濟早已進入信息化的發展階段，微電子技術是高科技和信息產業的核心技術，已成為當前時代的基礎產業。從國家政策方面來看，節能減排、低碳生活、新材料新能源是導向。從節能減排上看：我們都知道液晶顯示技術取代了CRT，已經占領當今市場，同時出現的還有PDP（等離子體）及即將出現的TFT（鐵電液晶）等新型的半導體材料，這些產品比起過去的CRT顯示器，不僅是外觀形狀上有優勢，功耗低、輻射低、發熱量低，符合節能減排的低碳生活，而LED（發光二極管）勢必要代替現在的照明，在未來將占領整個照明市場。美國現在進行的光伏計劃就是用高亮度Led代替現有路燈照明，這將節省全美40%以上的電力能源。同樣日本進行的國家陽光計劃也是要將路燈全部替換成高亮度LED。
再看新能源，隨著現代科學技術的飛速發展，現在以天津為主的企業力神、比克國際等生產的鋰電池已漸漸成為動力電池將要占領市場；未來太陽能電池取代石油將會應用在汽車甚至航空領域，也不會是神話。這已經是日本國家規劃中的重點項目。
毋庸置疑，微電子產業發展前景無限廣闊，產業的發展勢必也為中等職業學校打開就業市場：國內現有的該行業的生產線不斷更新換代，生產能力和技術水平在迅猛擴大和提升。
二、產業發展動態
微電子工業發展的主導國家是美國和日本，發達國家和地區有韓國和西歐。我國微電子技術產業正進入迅猛發展時期，目前已經成為世界半導體制造中心和國際上主要的芯片供應地。特別是在半導體晶片生產方面，其產量超過全世界晶片產量的30%，今年隨著LED產業迅猛發展，芯片市場已供不應求。截至去年，我國芯片總需求已經超過500億美元，成為全球最大的集成電路市場之一。
我國微電子技術產業現狀：在2006年8月及10月海力士意法在無錫建成8英寸和12英寸芯片生產線之后，2007年迅速達產，從而拉動了國內芯片制造業整體規模的擴大。在此基礎上，2008年海力士意法又繼續實施第二期工程，將12英寸生產線產能擴展至每月8萬片。此外，國內還有多條集成電路芯片生產線正處于建設或達產過程中，其中12英寸芯片生產線已成為投資熱點。中芯國際在成都的8英寸生產線建成投產，緊接著在武漢的12英寸芯片制造企業——武漢新芯集成電路制造有限公司也建成投產；華虹NEC二廠8英寸生產線建成投產；英特爾投資25億美元在大連的12英寸芯片制造廠投產；臺灣茂德也投資9.6億美元在重慶建設8英寸生產線；中芯國際投資12億美元在上海的12英寸生產線正式運營。中芯國際宣布正在深圳建設8英寸和12英寸生產線，英特爾支持建設的深圳方正微電子芯片廠二期工程已竣工。隨著這些新建和擴建生產線新增產能的陸續釋放，我國芯片制造業的規模將繼續快速擴大。北京京東方月生產9萬片玻璃基板的液晶生產8.5代線今年即將投產。在封裝測試領域，中芯國際和英特爾在成都的封裝測試企業建成投產，江蘇長電科技投資20億元建設的年產50億塊集成電路的新廠房在使用，三星電子（蘇州）半導體公司的第二工廠投產。飛思卡爾、奇夢達、RFMD、瑞薩、日月光和星科金朋等多家企業也分別對其在中國大陸的封裝測試企業進行增資擴產。此外，松下投資100億日元在蘇州建設半導體封裝新線投產；意法半導體投資5億美元在深圳龍崗建設封裝工廠。這些新建、擴建項目成為近期拉動我國集成電路封裝測試業繼續快速增長的主要力量。
大連市微電子技術產業現狀：因特公司的12英寸芯片制造產業生產線投資25億美元；主要從事二極管封裝的九久光電臺商投資建生產線2000萬美金；大連路明科技生產三基色熒光粉做固體發光材料，市政府在幾年前分期投資早已經超過1個億；路美芯片更是從土地到生產線陸續投放資金過億；去年大連政府為德豪光電投資生產線建設也超過1個億。
生產線投資大，用工需求量也大，技術工人市場前景也隨之向好。我們應當充分抓住機遇，迎接挑戰。將電子科學與技術專業辦成能夠培養適應我國社會主義建設不斷發展中對各層次人才需求和具有創新精神的教育和人才基地。
三、就業市場現狀
目前，全國設有電子科學與技術相關專業的高等院校有一百多所，在校學生估計在5萬人左右。本專業設有?？?、本科和研究生教育三個層次。專業的發展現狀良好，主要表現在：規模在逐年擴大，開設此專業的學校和招生人數都在增加；專業畢業生的就業率相對較高。這是與微電子技術產業的穩步發展相適應的。
然而，我們應該看到，不同層次的人才對應著不同層次的社會需求。高等教育的目的是為國家培養出具有良好的思想道德素質、扎實的基礎理論知識、寬廣的科學技術知識面、良好的創新意識和創新能力的高素質人才，而隨著集成電路、液晶、有機薄膜發光及太陽能電池等信息產業投產規模的不斷擴大，從事基本勞動的產業技術工人需求量也在大幅增加，這給職業教育開設微電子技術專業帶來了契機，我們必須牢牢抓住這個契機，為社會培養合格的技術工人，適應企業的發展。
目前，市場對從事此類工作的工人需求很多，甚至供不應求，呈現“用工荒”狀態，而且真正經過專業培訓的合格技術工人幾乎很難找到，農民工缺乏相應的技術，不能滿足像因特公司、京東方、上廣電、大連路明集團、大連久久光電、大連德豪光電這樣科技產業的用工需要，從這一點來看，企業需求具有一定技術技能型的工人來充實一線生產。因此，今后一段時間，職業教育應該注重微電技術專業領域技術工人的培養。
四、專業設置的方向和意義
從前面國內外電子科學與技術行業的現狀和發展趨勢來看，美國、西歐、日本、韓國、臺灣地區的電子科學與技術產業早已完成飛速發展的上升期，進入穩步而緩慢的平臺。而我國隨著新能源、新材料、節能減排、低碳生活這一國策的深入倡導，隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學與技術產業正突飛猛進、煥發活力。今后我國電子科學與技術產業還將有明顯的發展空間，高科技含量的自主研發的產品將會占領全球主導市場，隨著社會需求逐步擴大，微電子技術專業的就業前景十分看好，企業需求具有一定技術技能型的工人來充實一線生產。因此，今后幾年內，職業教育應該注重微電子技術專業領域人才的培養。
合格人才的培養不是一個孤立的事件，而是一個復雜的工程，它既是專業知識的培訓過程又是思想道德素質的提高過程；它更要求學校要適應產業發展需要，培養的學生既要有專業技能又要腳踏實地；既要有“教方”教改的靈活變化，更要有“學方”學習內容的切合實際。這些決定教育質量和產業發展的環節相輔相成、缺一不可。電子科學與技術專業的教育質量、規模、結構和市場的關系是一種相互制約、相輔相成的辯證關系。教學必須適應生產力的發展需要，課程設置、專業規模和結構必然受到行業市場冷熱的影響。就學校而言，教育質量除了受到教師、教材、課程、授課方式等純教學因素的影響之外，同時也受到產業規模和結構的制約，課程結構設置要和企業需求密切結合。
1.課程設置中：明確設課目的。明確基礎課、實訓課之間的學時比例，要了解社會需求對課程的模式、培養方向起到決定性作用。起點不同的學生技術專業也應定位在不同的培養層次上。一般來講，高中畢業起點的學生課程選擇應該在對材料生長的了解、清洗工藝、凈化及器件工藝的學習掌握；初中起點學生的培養目標是普通型工人，學校的辦學目標不能一刀切，應根據需求分出層次。內容應根據市場需求，不能盲目制定教學計劃而脫離實際，要大膽結合企業用工需求，培養稱職的技術工人。
2.教學環節中：在目前的社會環境和市場調節的作用下，如何提高教學質量是一個重大和綜合性的課題。影響教學質量的校內要素是“教”與“學”，“教方”的要素有教師隊伍、課程設置、教材選擇、教學方式；“學方”的要素是學習目的、上課態度。教學質量取決于以下因素：教方能否真正及時了解和掌握市場信息，教師有沒有適應市場需求的教學能力；課程設置能不能和學生的接受能力吻合，既要按需設課也要“因人設課”，實驗和實習環節不能流于形式；教材選擇和講授內容既要按照統一標準，又要“因人施教”、“因需施教”；教學方式達到在不偏離教學要求前提下的多樣化；以寬進嚴出的原則對待學生、教授知識。
3.從“教”與“學”兩個方面來抓“質量”：第一，必須重視教師隊伍的建設，注重教師的基本素質，如思想品德、敬業和專業知識面等；第二，應該注重教師的再學習，這包括教授課程的學習與拓寬，要掌握撲捉微電子學科發展的洞察力和知識的更新能力；第三，隨著電子科學與技術的不斷發展，應該注重課程設置的不斷更新和調整；第四，課程設置必須同樣注重教學和實驗兩個環節，加強實驗教學環節帶學生多參加實訓，對于培養學生的接受、掌握專業知識和動手能力非常必要，即課堂與課下相結合，講課與實驗相結合，平時與考試相結合。
課程結構設置要和企業需求密切結合，要受到產業規模和結構的制約，專業規模和結構必須適應行業市場的需求。可以根據訂單招生開課；建立以電子器件封裝為主的小型實驗工藝生產線；和企業聯合辦學，利用他們的生產線做培養學生的實訓基地。
2009年我校招收的第一屆微電專業，課程設置就是根據企業需求來安排的，主要方向是半導體工藝：針對路明、因特主要教授的是芯片工藝，針對路美介紹了一些半導體材料的生長工藝，還針對京東方講授了關于液晶的工藝過程。可以根據市場要求填充關于太陽能電池、二極管、液晶等制作工藝等。做到教學內容從滿足就業市場要求出發，既符合職業學校的定位、又要易于職業學校的學生接受，努力達到這樣的知識結構。
集成電路市場現狀范文6
當今社會是信息化發展迅猛的社會，各種高新技術不斷涌現出來，通信系統顯得尤為重要，通信系統與集成電路已經密不可分了。如何利用集成電路工藝設計出高性能的集成電路是電子信息技術產業急需解決的問題。該文將要簡要介紹光纖通信光電集成電路工藝設計分析。
關鍵詞：
現代；光纖通信；光電集成；路集成電路；設計分析
隨著國家的發展，社會的進步，人類的生活已經離不開通信方式了，各種各樣的交流活動都是需要通訊的傳遞的。不管我們通過何種方式、何種途徑，只要將我們想要傳遞的信息傳遞到另外一個地方，就是稱為通信。古代所傳遞信息的方式方法也是多種多樣的。但是它們相對來說特別落后，時間也會非常地久。而現代的通信方式中，電話通信是應用最廣泛的一種。
1什么是光纖通信
近幾年來，隨著技術的進步，電信管理體制的改革以及電信市場的全面開放，光纖通信的發展呈現了一番全新的景象。所謂光纖通信就是一種以光線為傳媒的通信方式，利用廣播實現信息的傳送。光纖通訊就是以光導纖維作為信號傳輸介質的通訊系統。具有抗干擾性好，超高帶寬等特點。如今社會我們使用的光纖通信有許多的優點，例如，它可以傳輸頻帶寬、通信容量大；傳輸損耗低、中繼距離長；線徑細、重量輕，原料為石英，節省金屬材料，這樣一來，節約了許多資源和能源，有利于資源合理地開發和使用；絕緣、抗電磁干擾性能強；還具有抗腐蝕能力強、抗輻射能力強、可繞性好、無電火花、泄露小、保密性強等優點，同時它也可以用在特殊環境或者軍事行動中。光纖通信的原理是：在發送端首先要把傳送的信息變成電信號，然后調制到激光器發出的激光束上，使光的強度隨電信號的幅度變化而變化，并通過光纖發送出去；在接收端，檢測器收到光信號后把它變換成電信號，經解調后恢復原信息。隨著信息技術傳輸速度日益更新，光纖技術已得到廣泛的重視和應用。在多微機電梯系統中，光纖的應用充分滿足了大量的數據通信正確、可靠、高速傳輸和處理的要求。光纖技術在電梯上的應用，大大提高了整個控制系統的反應速度，使電梯系統的并聯群控性能有了明顯提高。電梯上所使用的光纖通信裝置主要由光源、光電接收器和光纖組成。
2集成電路的實現
集成工藝技術也就是在最近的一二十年取得了飛速的發展。隨著元器件尺寸大小的不斷減小，集成電路的集成速度也在不斷地提高。發展迅速的集成電路工藝技術為通信系統的發展奠定了堅實的基礎。當下，利用光電集成電路實現的光的發射和接收裝置已經被各個實驗室所廣泛使用。光電集成電路在單片上集成的光和電元件越來越多了，這就是光電集成電路速度越來越快的原因。
3光纖通信現狀
光纖通信技術的發展帶動了光纖產業的進步。想要實現光發射與光電集成電路是非常容易的，但是想要實現高速系統的混合集成是非常困難的。由于毫米波信號是狹窄的，所以可以使用混合集成工藝來實現毫米波系統，我們可以這樣來設計集成電路及其組成部分，使其波段上的輸入和輸出阻抗保持在大約50歐姆左右，即使用50歐姆的傳輸線來連接元器件和集成電路。此外，例如激光驅動、時鐘恢復、數據判決、復接、光接收放大等各種類型的模擬、數字、混合集成電路依然可以輕松實現，這是因為電路也可以設計成輸入輸出是50歐姆的阻抗。想要利用混合方法實現高速光發射機與接收機的真正困難所在是激光二極管和光檢測器的阻抗不是50歐姆。尤其是激光二極管，他的非線性無法進行混合集成的。沒有合適的匹配網絡將基帶數據信號從激光二極管連接到驅動器或者從光檢測器連接到前置放大器上，就會大大地降低了系統的操作性能。這樣相比利用光發送和光接收的集成電路來實現是十分簡便的。利用光集成電路實現光發射和接收不僅可靠性高而且成本低。但是用光電集成電路也是具有一定的挑戰性的，制作光元件和電子電路所需要的材料是存在一定的差別的?，F在制造高速光發射和接受光電集成電路在光傳輸系統中是十分必要的。這個設計工藝的難點在于要形成材料，即適合制造光電器件和電子電路所需要的制作材料，此外還要設計出光電集成電路?，F實很殘酷，大家仍需努力。
4光電集成電路
光發射機光電集成電路一般是由同一底上的激光二極管和驅動電路構成的。集成電路其中包括了電子元器件結構的生長、激光、激光二極管、電阻器、晶體管等電子元件的制造，其中光電元件和金屬化連接是比較困難的。在外延生長的襯底上，大概需要三個工序來集成光電集成電路，分別為制作激光二極管、制作電子電路、進行光電元件之間的連接。首先要制作激光二極管，激光二極管的P型區域歐姆接觸層通過蒸發形成金屬狀態，隨后利用光刻法來生成激光二極管的大概區間，然后進行濕法刻蝕形成接觸激光二極管的N區區間，最后在活性離子刻蝕體系中完成刻蝕過程，直到遇到AGAAS層后停止刻蝕過程。AGAAS層能隔離電子電路機構和激光結構，形成一種薄膜電阻，從而形成第一金屬層和空氣橋兩個連接層。我們通常采用空氣橋連接激光二極管的P區，采用第一金屬層連接激光二極管的N區，這樣就能很好地實現激光二極管和電子電路層的連接。這就實現了一個量子激光器的光電集成電路了。制作光電集成電路的芯片也是存在一定的難度的，目前端面反射激光鏡的干腐蝕技術尚未成熟，只能用解離的方法來完成，所以說集成激光驅動器電路還有很大的空間有待開發。光電集成電路分別是由光檢測器、前置放大器以及主放大器構成的，這其中包括數據判決器、時鐘恢復和分接電路。光檢測器的集成是光電集成電路中最重要的一個部分，而金屬-半導體-金屬光檢測器（MSM）因為只需要少步驟的追加工藝，和如名字一般較為實惠且廣泛的材料在雪崩類型光電檢測器和p-i-n被廣泛運用的同時也被單片集成光接收機廣泛的使用著。在設計中第一級為基本放大單元，是共源放大電路且帶有源負載，電阻的反饋由電壓并聯負反饋，電平位移級使用的是兩級源級跟隨器，它被接入到后面，與此同時，又需要引進一個肖特基二極管，這樣就起到了一個降低反饋點的直流電平所特需的水平的作用，達到了這樣一個效果后，在偏低壓的條件下，電路同樣可以正常工作。
5主要工藝流程
第一步，我們要準備好充足的材料，對材料進行結構和參數方面的設計計算，并確定材料的外延生長，來確定集成方式及集成所需要的元器件。第二步，對PD臺面進行腐蝕，首先腐蝕掉INP層露出HEMT的帽層，把MSM保留在芯片上，即通過把PD臺面以外的PD層材料腐蝕掉來露出HEMT層。第三步就是進行器件的隔離工作，仍然使用臺面腐蝕的辦法將HEMT和PD元器件之間隔離起來，想要實現比較好的隔離效果就一定要準確的腐蝕到半絕緣襯底上。最后就是保護芯片的工作了，在芯片表面沉淀一層介質，這樣不僅保護了芯片表面還成為了源漏的輔助剝離介質。
6結束語
光纖通信技術作為通信產業中的支柱，是我們現如今社會中使用最多的通信方式。即使在現在的社會當中，光纖通信技術得到了十分穩定有效的發展，但是現在科技發展如此之快，越來越多的新技術涌現出來，我國的通信技術水平也得到了明顯的改善與提高，光纖通信的使用范圍和價值也在悄悄地擴張。但是光纖通信技術為了迎合網絡時代，必須有更高層次的發展，才能占據市場的主流地位。我相信隨著光通信技術更加深入地發展，光纖通信一定會對整個通信行業甚至社會的進步起到舉足輕重的作用。
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