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集成電路芯片范文1
關鍵詞：功能特性；固定0-1故障；橋接故障；標準輸入矩陣
中圖分類號：TP3 文獻標識碼：A 文章編號：1009-3044（2013）12-2866-05
超大規模集成電路的高速發展導致了單個芯片的組成元素個數的指數增長。然而，由于每個芯片的基本輸入輸出是有限的，這導致了測試芯片工作更加困難。此外，集成電路制造商們因為知識產權的問題不樂意公開電路板內部實現的詳細細節。另外，為了確保一個系統操作的可靠性，用戶需要在在芯片提供給系統前對其進行測試。盡管如此，用戶通?？梢詮募呻娐分圃焐痰臄祿姓业揭恍┰撔酒墓δ軐傩院托酒牟糠煮w系結構。因此，兩個問題出來了：1）只是基于一個芯片的功能特性而不知道其內部的實現細節，對其進行測試可能嗎？2）進一步，用和上一步同樣的信息，不僅測試這個芯片的固定故障而且測試其橋接故障可能嗎？事實是，對這兩個問題的回答都是積極的。
在這篇文章中，我們根據芯片的功能特性提出了一些系統的測試方法。不管怎樣，基于對被測電路板的有限信息，我們的測試也會受限。因此，我們在此只考慮電路板的基本輸入輸出上的故障。換句話說，我們將要測試的故障僅限于下邊幾種：
1） 基本輸入輸出上的固定故障；
2） 輸入線間的非反饋橋接故障；
3） 輸出線間的非反饋橋接故障；
4） 輸入和輸出間的反饋橋接故障。
盡管我們的測試僅僅是根據電路板的外部特性提供的有限信息，我們得到了很好的效果，可以很方便的檢測電路板的功能特性。對于大多數的用戶來說，這個方案可以直接實現而不用復雜設備，軟件和其他復雜工作。
1 基本定理
下邊的定理，已經在前幾篇論文中提出并證明，在這里再次列出但不予證明。方便起見，不失一般性，在這片文章中，我們提到橋接故障時就是這與-橋接故障模型。此外，我們把橋接故障劃分為反饋型橋接故障和非反饋型橋接故障。
定理1：讓我們來考慮一個電路板，其實現的F（n，m）這個功能函數，該功能函數有n個輸入x1，...xn和m個輸出F1，...Fm，我們在此提出一個輸入矩陣T，其格式如下：
我們稱T為輸入矩陣T。
T可以檢測出輸入線x1，...，xm中的任何一個固定故障，當且僅當（a）T既不包含全0列也不包含全1列。（b）對每一個i（1≦i≤n），這里總存在一個j（1≤j≤N）和一個k（1≤k≤m）使得Fk（t1j，...ti-1j，0，ti+1j，...，tnj）≠Fk（t1j，...ti-1j，1，ti+1j，...tnj）.
定理2：定理1中提到的輸入矩陣T檢測所有的輸出線上的固定故障當且僅當對應定理1中的輸入矩陣，輸出矩陣。
既不包含全0列也不包含全1列。
定理3：功能函數F（n，m），有n個輸入x1，...xm，m個輸出F1，...Fm，在這個電路板中非反饋橋接故障可以被檢測當且僅當至少存在一個輸入結合（a1，...as，xs+1，...，xn），（a1，...as）不是全0也不是全1，且有一個k（1≦k≦m）滿足
Fk（a1，...as，xs+1，...，xn）≠Fk（0，...，0， xs+1，...，xn）
定義1：X=（x1，...，xn），xi={0，1}。對于有n個變量的布爾功能函數F來說，當X中含有的1的個數最少且使F=1時，X成為F的最輕最小項。
定理4：實現布爾功能函數F的輸入輸出間的任何反饋橋接故障都可被檢測出來通過一個一步測試方案0或者一個兩步測試（0，LM），這里LM是F的一個最輕最小項。
因為對于所有的反饋橋接故障來說，只有上邊所提的一步或兩步測試被需要。不管怎樣，在兩步測試中，LM必須提供給電路板，測試將第二步尾隨第一步進行。
2 測試固定故障和橋接故障的案例應遵循的規則
基于上面所描述的理論，我們發現一些測試一個電路板的外部輸入輸出的固定故障和橋接故障應遵循的規則。
讓我們考慮一個實現功能函數F（n，m）的電路板。T和F（T）是我們以上提到的輸入輸出矩陣。然后，我們可以發現如果T檢測錯誤，那么輸入矩陣T和輸入矩陣F（T）必須滿足如下規則：
規則1：為了檢測固定故障，T和F（T）都既不包含全0列也不包含全1列。因為，如果不這樣，一個固定型故障不能與非固定性故障但是有全0或全1列的區分開來。
規則2：為了檢測輸入線上的固定故障，對于每一個輸入線Xi，必須存在一個j和一個k，使得Fk（t1j，...ti-1j，0，ti+1j，...，tnj）≠Fk（t1j，...ti-1j，1，ti+1j，...，tnj）。
規則3：為了檢測輸入和輸出線上的非反饋橋接故障，T和F（T）都不能含有兩列相同列，這樣任意的非反饋橋接故障都可以被檢測到。因為這個原因，這里必須
規則4：為了檢測一個電路板的輸入輸出間的反饋橋接故障，輸入矩陣中必須包括上邊所提到的一步和兩步陣列。
基于上述的規則，固定故障和橋接故障的測試矩陣可以很容易的產生且不用去了解被測芯片的內部詳細實現。
作為一個例子，我們來考慮一個8-bit RAM，其有8個輸入（x1，x2...x8），4個地址線（a1，a2，a3，a4）和一個讀寫控制線C.當C=0時是寫模式，當C=1時是讀模式。此RAM的8個輸入線可以被描述為：
失一般性，我們假定所有的存儲單元在測試前置0，這樣下邊的輸入輸出矩陣可以用來檢測所有以上提到的故障。我們首先按順序依次寫5個8-bit數據，然后是讀操作把數據倒序讀出來。
可以看出我們上邊提到的固定故障和橋接故障用這對輸入輸出矩陣都可以被檢測出來。為了進一步的闡述輸入輸出矩陣的用途，我們簡單的看幾個例子：
1） 檢測輸入線上的固定故障：一個控制線C上的固定故障，任何一個地址線ai或任何一個數據輸入線xj上的固定故障都可以用T和F（T）檢測到。例如，在a1上有一個固定0故障，這樣第五行的輸入變成（0011111110000），使得地址單元（0111）重新寫入（11110000），而地址單元（1111）并沒有數據寫入。因此，在輸出矩陣中，輸出的第六行變成（00000000）而且輸出的第七行變成（11110000）.因此，a1上的固定0故障可以被檢測到。
2） 檢測輸出線上的固定故障：對于人一個輸出線zi上的固定故障可以簡單的被輸出矩陣檢測到。任何輸出線上的固定故障將會形成輸出矩陣上的全0或全1列。
3） 檢測輸入線上的非反饋橋接故障：地址線間的任何非反饋橋接故障可以檢測到通過觀察到兩行相同的輸出。例如，兩個地址線a1和a3連接到了一起，那么數據輸入矩陣的第三行（01010101）將被重新寫到地址單元（0001）。結果是，輸出矩陣的第8和第9行有相同的值（01010101）。用類似的方法，一旦地址線和輸入線間有連接在一起的，這樣在輸出矩陣中將有多余一行的數據會被改變，因此這個故障可以輕易的檢測到。
4） 檢測基本處出現上的非反饋橋接故障：這個故障可以被直接檢測到僅僅通過檢查在輸出矩陣里是否有至少兩個形同的列即可。因為任何輸出線上的非反饋橋接故障都會導致在輸出矩陣中至少有一對相同的列。
3 固定故障和橋接故障的確定
通過上述討論的規則，我們現在發明一個系統的方法可以確定一個電路板的固定故障和橋接故障的位置，而不用知道電路板的詳細實現。
方便起見，我們來考慮一個4位快速全加法器。這個加法器有9個輸入線：包括4個數據輸入線（A1，A2，A3，A4），（B1，B2，B3，B4）和一個低位向高位的進位C0，五個輸出線：4個輸出線（∑1，∑2，∑3，∑4）和一個向高位的進位線C5.然后讓我們來考慮如下的輸入-輸出矩陣。用來檢測和確定可能的固定故障和橋接故障。
從上面可以看出，4位全加器實現的布爾功能函數F（9，5），它有9個輸入5個輸出。為了測試和定位故障，矩陣可以稱為標準輸入矩陣（standard input matrix ， SIM）， 它生成的矩陣稱為符合輸出矩陣（corresponding output matrix， COM）。在COM中的每一行都是根據運算法則對輸入產生的?，F在我們考慮為什么這個選擇好的SIM和COM可以用來測試和定位所有可能的固定型故障和橋接故障。
1） 如果在輸入線上有任何固定型故障，那么至少會有兩個相等的形式出現在SIM中。因此，也會有兩個相等的形式出現在COM。
2） 如果在輸出線上有任何固定型故障，那么在COM中會有全0或全1的列出現。
3） 如果在任何兩個輸入線之間有NFBF故障，那么至少有兩個相等的形式出現在SIM中，因些也會有兩個相等的形式出現在COM中。
4） 如果在任何兩個輸出線上有NFBF故障，那么至少有兩個相等的列現在COM中。
5） 如果在任何輸入線和輸出線之間有FBF故障，然后根據一步或兩步測試序列，至少錯誤列上會有一個0。
從上面的例子，可以和很容易看到，不僅固定型故障和橋故障可以被測試出來，而且它們的位置也可以根據他們在輸出矩陣中的錯誤形式找出來。根據上面的討論，可以得到下面的結果。在一個電路的合適SIM中，可以找出在主輸入和輸出上的各種錯誤，只要它的相應COM符合下面的條件：
1） 在輸出矩陣中不多于兩個相等且相鄰的行。
2） 在輸出矩陣中不多于兩個相等的列。
3） 在輸出矩陣中沒有任何的0（1）列。
進一步，如果輸入形式SIM也滿足在III中的規則4，那么它也可以測試在輸入線和輸出線上的FBF故障。
為了定位故障，我們重新考慮下面SIM和它COM的通用例子。SIM中根據函數有個n條輸入，我們的（n+1 x n）輸入矩陣中每行ti有（i-1）0s，第（tn+1）th行是全（1，1，. . . ，1）向量。圖1（a）展示了SIM的初始化狀態。對于M列的輸出矩陣，我們稱是SIM按照F函數對應生成的。
根據上面的呈現的三個可測試條件，我們現在可以用下面的幾個原則去定位固定型故障和橋故障。
1）如果在輸入線xi（1≤i≤n）上有一個故障s-a-0，那么SIM中的輸入形式t（n-i+2）將要變成t（n-i+1），這讓SIM中的兩個相鄰行t（n-i+2） 和t（n-i+1）相等。同樣，在輸出矩陣中，F（n-i+2）也將變成F（n-i+1），標記為：F（n-i+2） F（n-i+1）.
2）如果在兩行以上輸入線上有NFBF錯誤，就是xi和xj，（1≤i≤j≤n ）那么，根據上面相同的原因，可以很容易地知道在輸出形式COM中將發生F（n-i+2） F（n-i+1）的變化。
3）接下來可能會瑣碎些，對于輸出線上的固定型故障或NFBF故障，可以直接觀察輸出矩陣就可以看出來。因此，上面的規則使用（n+1 x n）SIM和（n+1 x m）COM可以應用來去確定固定型故障和橋故障。
對于輸入線和輸出線間的FBF故障，可以使用測試序列（0，LM）在加在SIM的前面就測試任何在輸入線和輸出線間的FBF故障。
事實上，在圖1上描述的SIM不一定能保證產生一個有效的COM去滿足上面的三個測試條件。因此，現在的測試生成算法如果生成一個錯誤的SIM，就交換SIM中的列再生成合適的COM，可以有效地適應初始SIM。這里講一種列交換算法，它將修飾輸出形式COM以滿足合適的測試條件。
列交換算法的任務是進行列交換，描述如下。
列交換規則：
第一步：對于給定的函數F（n ， m），形成初始化的a （n+1） x n SIM，可如圖3所示。
第二步：根據給定的函數和SIM，運算生成它相應的COM。
第三步：檢查新生成的COM是否符合三個條件。 符合條件就停止運行。不符合條件進行第四步。
第四步：完成當前SIM中所有列的交換以生成一個新SIM，轉回第二步。
為了舉例說了列交換算法中的列交換，我們考慮了一個熟知的電路上的應用。如圖4，它是一個4位的ALU，帶著14條輸入線和5條輸出線，首先從它初始的SIM通過函數得到相應的COM。
然而很明顯可以看到，從初始SIM計算出來的COM并不滿足上面三個可測試條件。因為一些COM中相鄰的行是相等的。如F4 =F5 ，F6 =F7 ，F10 = …=F14。經過重復執行2-4步，我們通過交換SIM中列的位置可以改變的輸入形式，因此再次計算所得的COM也會改變它的值，此時再次重新檢查新的COM是否滿足三個輸出條件。經過幾次重復列交換算法后，初始的SIM和COM已經改變了他們的形式產生出新的COM，新計算的COM也可滿足可以可測試條件，這樣我們就可以根據原則進行測試。變成圖5所示。
4 加速尋找速度和實驗結果
交換算法可以生成有效的SIM和它的COM，事實上，最壞的情況下，交換算法的時間復雜度可以達O（n），n為被測試電話的輸入線數。這是因為它需要所有可能的輸入排列去找到一個合適的SIM。當N增加時，算法的時間復雜度也就增加。因此，一個隨機的交換算法可以很好地提高查找速度以生成符合條件的COM。使用隨機交換算法，我們每次交換的SIM的n個輸入數列是隨機產生的，而不是以前算法中的相鄰地一個接一下產生的。理論上，最壞的情況下，隨機交接算法和原始算法有相同的時間復雜度，但在實際操作中，前者卻是更高效的。下面的表中，列出了以四項基準比較這兩種算法的實驗運行時間。
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集成電路芯片范文2
【關鍵詞】集成電路版圖；CD4011B；CMOS工藝
1.引言
集成電路產業是最能體現知識經濟特征的高技術產業[1]。以集成電路為主要技術的微電子產業的高度發展促進了現代社會的電子化、信息化、自動化，并引起了人們社會生活的巨大變革。集成電路布圖設計（以下簡稱版圖設計）在集成電路設計中占有十分重要的作用。版圖設計是指集成電路中至少有一個是有源元件的兩個以上元件和部分或者全部互連線路的三維配置，或者為制造集成電路而準備的上述三維配置[2]。集成電路芯片流片成本高，必須保證較高的成品率，版圖設計人員應具有扎實理論基礎和豐富的實踐經驗。典型芯片是經過實踐檢驗性能優越，所以，通過研究已有的典型芯片版圖是提高設計能力的有效途徑。
版圖設計是在一定的工藝條件基礎上根據芯片的功能要求而設計的。目前，集成電路的主要工藝有三種，分別是雙極工藝、CMOS工藝和BICMOS工藝[3][4]。其中CMOS工藝芯片由于功耗低、集成度高等特點而應用最廣泛，所以，研究CMOS工藝芯片版圖具有更重要的意義。
本文對CD4011B芯片進行了逆向解析，通過研究掌握了該芯片的設計思想和單元器件結構，對于提高CMOS集成電路設計水平是十分有益的。
2.芯片分層拍照
3.單元結構
4.電路圖和仿真
5.結論
本文采用化學方法對CD4011B芯片進行了分層拍照，提取了電路圖，仿真驗證正確。從芯片的版圖分析，該芯片采用NMOS場效應晶體管、PMOS場效應晶體管、PN結二極管和基區電阻等器件單元，四個與非門版圖一致且對稱布局。該芯片采用典型的CMOS工藝，為了節省面積采用叉指場效應晶體管，輸入和輸出端采用防靜電保護結構。電路為典型的CMOS與非門電路。該芯片的版圖布局體現了設計的合理性和科學性。
參考文獻
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作者簡介：
王?。?965—），男，遼寧沈陽人，碩士，沈陽化工大學信息工程學院副教授，研究方向：微機電系統設計。
集成電路芯片范文3
對2015年形勢的基本判斷
宏觀經濟持續復蘇，全球半導體市場保持增長
由于全球經濟持續復蘇，市場增速不斷回升的影響，2014年世界半導體產業保持者穩定增長的趨勢。移動智能終端、平板電腦、消費類電子、工業控制、新能源汽車、節能環保、信息安全等產業的不斷發展，成為全球半導體市場發展的重要推動因素。根據美國半導體行業協會（SIA）統計，2014年前三季度，全球半導體產業銷售額2444.7億美元，與上年同期相比成長10%，其中第三季度以870億美元銷售額創下歷史單季度最高紀錄，同比增長9%，增速為5.7%。受惠于個人電腦、筆記本電腦的回穩，4G技術滲透率提升，預計2014年全球半導體銷售規模將達3255億美元，同比增長6.5%。
展望2015年，隨著蘋果公司新款移動智能終端iPhone6、iPadAir2以及可穿戴設備Applewatch等產品的陸續上市，將進一步增強對移動處理器、存儲器、指紋識別等芯片市場的需求刺激。同時，芯片產業發展現階段以呈現出逐步由移動智能終端向智能家居和汽車電子等領域深入發展的趨勢，受物聯網新應用對各種傳感器及低功耗、小尺寸芯片的需求增長等因素的影響，全球半導體市場業績將持續向上攀升，銷售規模有望達到3500億美元，較2014年增長7.5%。
但是，隨著半導體工藝尺寸逐步逼近硅工藝物理極限，摩爾定律的重要性正逐步減弱。2015年，半導體產業面臨最大的挑戰來自于先進制程不斷攀升的成本投入，并可能長期影響整體產業的成長動能。因此，2015年雖然預計仍會有規模的成長，但如何能增加研發動能，以較低成本突破關鍵技術節點，將是2015年半導體產業最大的重點。
我國產業規?？焖僭鲩L，技術水平不斷提升
在宏觀經濟持續復蘇，全球半導體市場保持增長大背景下，我國集成電路產業仍保持較快的增長速度。2014年前三季度，全行業實現銷售額2125.9億元，同比增長17.2%，高于全球同期增長水平7.2個百分點，產業規模進一步擴大。其中，設計業繼續保持快速增長態勢，銷售額為746.5億元，同比增長30%；制造業銷售額486.1億元，同比增長7.9%；封裝測試業銷售額893.3億元，同比增長13.2%。芯片設計業占全行業比重達35.1%，較2013年提高了3.4個百分點，設計環節快速增長為我國下游芯片制造和封測環節帶來更多訂單，有效降低這兩個環節對外依存度過高帶來的產業發展風險。我國集成電路產業結構逐步優化。預計2014年集成電路產業銷售額達到3000億元，同比增長11.4%。
技術方面，IC設計業先進設計技術水平提升至16nm，2014年9月華為海思與臺積電合作推出首款16nm FinFET 64手機位芯片。IC設計業的主流設計技術推進到40/28nm水平。IC制造業，2014年1月，中芯國際宣布可以向客戶提供28nm多晶硅（Ploy SiON）和28nm高k介質金屬柵極（HKMG）的多項目晶圓（MPW）代工服務，正式進入28nm工藝時代。部分關鍵裝備和材料實現從無到有，部分被國內外生產線采用，離子注入機、刻蝕機、濺射靶材等進入8英寸或12英寸生產線。
展望2015年，在國家對信息安全建設重視程度進一步加大，《國家集成電路產業發展推進綱要》和產業投資基金的逐步運作，以及移動互聯網、物聯網市場進一步發展的推動下，我國集成電路芯片需求有望持續釋放，從而帶動全行業規模進一步增長。只要保持2014年目前平穩快速的增長趨勢，到2015年就可以完成《國家集成電路產業發展推進綱要》制定的3500億元的發展目標。
預計，我國IC設計業將成為銷售規模超過1300億元的第一大行業，芯片制造業銷售規模將超過1000億元，封裝測試業銷售規模超過1200億元。與此同時，集成電路產業的主流技術將推進到28/20nm，先進技術將導入到16nm領域。我國集成電路產業為迎接“十三五”發展構建了堅實的基礎。
企業跨國合作頻繁，中國資本開啟海外并購
我國目前擁有全球最大、增長最快的集成電路市場，占全球市場份額達到50%左右，成為全球集成電路巨頭鏖戰的主戰場。
越來越多的海外巨頭謀求與國內企業合作。2014年7月，美國高通公司宣布將部分驍龍處理器代工訂單交由中芯國際代工，高通表示將攜手中芯國際，將28nm技術應用于驍龍處理器，借此利用市場換技術、市場換訂單的機會，有望成為長電科技等國內相關公司的成長動力。9月，全球芯片龍頭企業英特爾公司向紫光集團注資90億元，并達成合作協議，聯合開發基于英特爾架構和通信技術的手機解決方案，在中國和全球市場擴展英特爾架構移動設備的產品和應用。在加深與海外巨頭合作的同時，國內的龍頭企業也逐步開啟了海外并購的步伐。2013年年末至2014年三季度期間，中國集成電路行業共發生4宗海外并購，涉及金額超過50億美元。
展望2015年，伴隨著國家集成電路產業投資基金的落地以及我國半導體行業的不斷內生發展，還將有更多的中國半導體企業開展相應海外的兼并收購。不斷的“走出去，引進來”獲得先進的技術、專利或其他知識產權，包括技術人員，提高自主創新能力。
目前長電科技正在醞釀收購球第四大半導體封測企業新加坡星科金朋，如果此次并購成功，長電科技未來將在CSP、WLCSP、SiP、3D TSV等先進封裝技術的競爭中取得更大的市場份額。同時，也有望進入全球封測行業第一陣營，營收規模甚至能超過全球第三大的矽品（SPIL）。
政策細則逐步實施，產業發展環境日趨向好
為確保國家信息安全，提高我國集成電路產業核心競爭力，2014年6月，出臺《國家集成電路產業發展推進綱要》，其內容與《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》（國發[2000]18號）和《進一步鼓勵軟件產業與集成電路產業發展的若干政策》（國發[2011]4號）一脈相承，但增加了三個亮點：一是加強組織領導，成立國家集成電路產業發展領導小組。二是設立國家集成電路產業發展投資基金。三是將加大金融支持力度將集成電路產業發展提升到了國家戰略的高度。9月，國家集成電路產業投資基金正式設立。該基金將采取股權投資等多種形式，重點投資集成電路芯片制造業，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業，推動企業提升產能水平和實行兼并重組，為我國集成電路產業突破投資瓶頸，提供有力保障。
展望2015年，在《推進綱要》的引導和推動下，各地方的集成電路產業扶持政策將密集出臺，產業投資基金模式將成為首選，以協同配合國家基金的運作。我國集成電路產業發展的政策體系將得到進一步完善。但也需注意，密集的政策也容易導致執行者無所適從，難以充分理解和貫徹政策精神，同時也有可能導致政府對行業的過度干預，影響市場在資源配置中的絕對作用。
需要關注的幾個問題
制造業發展將面臨諸多壓力
當前全球集成電路產業競爭格局，正逐漸由寡頭壟斷轉變為寡頭聯盟，聯盟之外的企業難以進入，而專利共享、技術共享也營造了各種小圈子，在這種情況下，中國企業想要憑一己之力占有一席之地，越來越困難。2014年10月，IBM以負盈利15億美元方式，將旗下的芯片制造業務出售給了芯片代工廠商格羅方德。同時，IBM未來五年將投入30億美元研發基礎半導體技術，研究成果同步轉移給格羅方德，格羅方德未來可能成為全球擁有最先進半導體技術的晶片代工廠。從目前全球芯片代工格局來看，臺積電一家獨大，市場占有率接近50%。格羅方德、聯電、三星屬于第二梯隊，分列第二到四位，市場占有率分別為9%左右。格羅方德和IBM的此次交易，必將引起全球芯片代工競爭格局的變化。
未來，各家企業將會投入更多資源用于新技術的研發，以確保自身的技術競爭優勢。中芯國際目前營收全球排名第五，市場占有率5%左右，28nm的高端制程落后于國外兩代。雖然產業投資基金已經明確指出將重點支持集成電路制造業，但是從資金投入到真正實現產出效應，還需要一段較長的周期。因此，我國集成電路制造業在全球新一輪競爭中將面臨更大挑戰。
4G設備加速替代過程仍面臨專利隱患
核心技術與知識產權的缺失，仍是制約我國集成電路產業發展的重要因素。自2013年11月至今，國家發改委對美國高通公司壟斷調查事件已持續了一年之久，目前已經進入了最后處罰階段。處罰將會涉及罰金以及調整專利費等幾個方面。其中罰金或將超過10億美元，但這對于年收入超過200億美元的高通而言，影響相對較小。雖然調整專利授權費可能會一定程度影響高通的業績，并可借此緩解我國手機芯片產業的發展壓力。但是在4G技術方面，高通仍然具有強大的LTE技術優勢，其專利總量遠遠超過3G。
2015年，隨著國內4G設備對3G設備的加速替代，高通的眾多LTE知識產權將陸續“變現”。屆時，不但會對終端企業造成巨大的成本壓力，其相互嵌套的專利布局也極易使國內芯片企業陷入專利陷阱。因此，如果核心技術創新能力不能跟上世界高端腳步，單單依靠反壟斷手段來保護國內產業，那么，未來高端芯片對外依存度較高的局面仍不會較大改善，對我國集成電路產業發展而言也不是長久之計。
產業投資基金的落實面臨挑戰
集成電路產業發展投資基金已于2014年9月正式成立，下一步將面臨基金如何投放使用的問題。一是如何在“發展產業”和“資本回報”之間找到平衡，如何在“短期利益”和“長期利益”中找到折中。二是如何在“重點支持”和“兼顧多方”中做出抉擇，如何在“有競爭力的企業”和“有影響力的企業”中做出取舍。三是作為并購來說，國際上可并購的標的數量較少，而且相關國家和地區還對中國的收購加大限制，持抵制和反對態度，更加減少了并購標的的選擇；并且產業投資基金的目的性和針對性過于明顯，導致相關收購標的的價格便“居高不下”，所以如何兼顧產業發展的時間點和收購的時間點是一個非常重要的問題。四是國內相關領域具有可整合國際企業的本土企業管理團隊非常少。
因此，在成功并購了國外企業之后，如何實施有效的管理，如何通過并購使國內企業和產業通過消化吸收做大做強，又成為一個亟待解決的問題。不能為了并購而并購，在補“全”還是補“強”我國集成電路產業的問題上，還是要從國內產業發展需求出發，根據相關企業的發展目標而實施。
此外，千億元的投資基金看似龐大，實際細算下來可能仍然有所不足。從目前來看，這1200億元資金將分5年投入，因此每年相當于不過200多億元，加之還要分配到產業鏈的幾個環節之上使用。這個數字與國際IC巨頭每年投入相比仍有差距。集成電路產業有大者恒大的特點，目前我國企業雖然經過多年追趕實力有所提高，但總體上是落后的，再想追趕先進水平需要付出更大的努力。
應采取的對策建議
借力產業投資基金機遇，做大做強半導體制造業
一是加大投資，支持先進芯片生產線建設。伴隨著《國家集成電路產業發展推進綱要》的落地以及1200億產業發展投資基金的成立，芯片制造業迎來新一輪發展機遇。
應繼續加大對集成電路制造龍頭企業扶持力度，一方面支持32/28nm芯片生產線建設，形成與芯片設計業相適應的規模生產能力，另一方面加快立體工藝開發，推動22/20nm、16/14nm芯片生產線建設。二是鼓勵芯片制造與設計廠商結盟，縮短研發周期。未來處理器芯片陸續將實現本土化生產，扶植以芯片制造為核心的產業鏈各環節的龍頭企業，積極探索上下游環節虛擬一體化模式，共同推進處理器產品的設計服務、光罩制作、芯片生產、測試、封裝以及故障、問題分析等工作，縮短產品上市周期。依托公共技術和服務平臺，開展聯合技術創新和品牌推廣，實現上下游良性互動。三是推進企業兼并重組，提高競爭力。芯片制造業是典型的資金和技術密集型產業，其規模效應十分顯著，因而要在強調自主創新的同時，做大產業規模。要鼓勵芯片制造企業兼并重組，擴大規模，在知識產權、技術、設備、采購、人力資源、市場條件等方面形成優勢，達到規模經濟效益。鼓勵集成電路制造企業通過資產聯營、兼并、收購、參股、控股等手段增加企業融資渠道，優化產業資源配置，實現優勢企業的強強聯合，做大做優做強骨干企業，培育若干具有國際競爭力的集成電路制造企業。
加強處理器芯片核心技術研發，實現自主知識產權體系
一是加強自主芯片技術的專利布局。在使用專利交叉授權的基礎上，加強處理器芯片的自主核心技術研發，組織芯片知識產權核開發，建設國家級知識產權核庫，提高知識產權產品的可復用性，加快產品研發。在充分研究國內外市場的前提下，準確把握芯片技術的知識產權壁壘及自由操作領域，布局海外專利市場。二是建立芯片知識產權核標準。強化處理器芯片知識產權核測評與認證系統，根據國際上芯片知識產權核心標準的制定情況，建立與國內集成電路設計水平相適應，科學完善的知識產權核心技術標準體系，為國內企業知識產權和產品的質量和信譽提供證明，建設統一的市場競爭環境。三是完善芯片知識產權和保護體系。建設適合國內知識產權商業模式的交易體系和保護體系，對芯片技術成果采用專利權、商業秘密以及集成電路布圖設計進行多角度保護。建立國內處理器芯片知識產權聯盟，加強企業在知識產權方面的合作，交互授權，建立企業共享的知識產權池，從而快速增強國內芯片知識產權實力。
進一步完善融資體系，創新資源利用方式
集成電路芯片范文4
設計業突飛猛進 制造封裝穩步增長
從統計數據看，上半年國內集成電路全行業共實現銷售收入307.87億元，與2008年上半年的236.54億元相比，增長30.2%，其增幅與2008年上半年的57.5%相比有明顯回落。
在產量方面，1-6月份國內集成電路總產量累計為110.19億塊，比2008上半年的94.19億塊增長17%，也大大低于去年同期54.7%的增長水平。
從2008年上半年國內集成電路產業各行業的發展情況看，IC設計業的發展最為引人注目，珠海炬力、中星微電子、同方微電子等一批新興設計公司正在快速成長，其銷售收入正成倍增長。與此同時，中國華大、杭州士蘭、華虹集成電路等國內老牌設計公司也保持了穩定增長的發展勢頭。在此帶動下，上半年國內集成電路設計業規模繼續快速擴大。1-6月份設計行業共實現銷售收入51.47億元，與2008上半年的32.7億元相比，同比增幅達到57.4%。
與集成電路設計行業的快速發展不同，上半年國內芯片制造行業的發展明顯趨緩。1-6月份芯片制造行業共實現銷售收入105.14億元，其35.4%的同比增幅與2008年同期高達182.4%的增幅相比有較大的回落。這一方面是受全球半導體市場不景氣導致國際Foundry訂單減少、價格下跌的影響；另一方面也是由于過去幾年國內芯片制造行業產能擴充在2008年得到集中釋放，新的產能擴張計劃尚未展開的原因。
在封裝測試業方面，近幾年國內封裝測試企業一直保持了平穩增長的勢頭，即便是在今年上半年國際市場疲軟的環境下依舊保持了這一勢頭。1-6月份國內封裝測試行業共實現銷售收入151.26億元，同比增長19.9%，與去年同期基本持平。
由于各行業發展速度的不同，三大行業在整體集成電路產業中所占份額繼續隨之改變，其總的趨勢依舊是封裝測試業所占的比重逐步減小，設計和芯片制造所占比重逐步增大。2008年上半年，設計業在集成電路產業中所占的比重達到16.7%，比2008年上半年10.1%的份額擴大了6.6個百分點，芯片制造業所占比重也由2008年上半年的31.2%擴大到34.2%，而封裝測試業所占比重則由2008年上半年的58.7%下降到49.1%。
華東帶動作用減弱
華北華南增長平穩
從華北、華東以及華南這三大國內集成電路產業集中分布區域的生產情況看，以上海、江蘇和浙江為核心的華東地區，其新增芯片生產線產能已經逐漸釋放，芯片制造業對該地區集成電路產業整體的帶動作用開始減弱，2008年上半年該地區集成電路產業銷售規模的同比增長率由2008年同期的75.5%回落到29%，銷售收入為225.49億元，其在全國集成電路產業中所占份額為73.2%。
作為目前國內集成電路產業相對集中的區域之一，華北地區集成電路產業增勢平穩，2008上半年該地區集成電路產業共實現銷售收入67.07億元，同比增長28.6%，在全國集成電路產業總銷售規模中所占份額為21.8%。
集成電路芯片范文5
集成電路是換代節奏快、技術含量高的產品。從當今國際市場格局來看，集成電路企業之間在知識產權主導權上斗爭激烈，重要集成電路產品全球產業組織呈現出跨國公司(準)寡頭壟斷的特征，集成電路跨國公司銷售、制造、研局朝全球化方向發展。有鑒于此，當前集成電路是中國的“短腿”產業。
(一)產品研究開發至關重要。
集成電路產品研發和換代周期較短。按照摩爾定律，集成芯片上所集成的電路數目，微處理器的性能，每隔一個周期就翻一番；可比單位貨幣所能購買到的電腦性能，每隔一個周期就翻兩番。為什么集成電路產品研發換代周期如此之短?因為芯片制造商要以最短時間，盡其所能，開發新技術，將技術標準更新換代，以實現產品性價比迅速優化，并大規模鎖定消費者群體，乃至防止自身技術標準鎖定的消費者、使用者群體流失到競爭廠商那兒去。由此，集成電路制造商要生存和發展，必須從銷售收入之中，高比率地支出研發預算，建設研發隊伍，開展研發行動。研發主要目標在于，形成具有性價比優勢的技術標準和產品規格。以全球優勢芯片制造商英特爾為例，近幾年其研發支出占銷售收入的比重一直高達13-15％，而同期相對比，即使是研發強度較高的汽車和航空器產業，其優勢跨國公司的研發支出占銷售收入的比重也都在5％上下。
(二)知識產權主導權上斗爭激烈。
研發投入和行動是為了獲取創新成果。集成電路廠商之間，在研發成果的認定、建設、保護方面，常年都是劍張弩拔，斗爭異常劇烈。首先，研發成果要及時在產品市場銷售地申請登記為專利、商標等知識產權；這種登記行動在步調上要早于國際市場開拓。再以英特爾公司為例，美國專利和商標局的數據顯示，近幾年來英特爾所獲該局授權專利數目一直排在前十位，2007年獲得授權數1865項，在授權巨頭中排第五。其次是技術標準的認定和推廣。一項技術標準的權益的表現就是一個技術專利群體。從全球個人和辦公用計算機市場整體格局看，英特爾和微軟擁有所謂w英特爾事實標準；為鞏固這一標準的壟斷地位和保持周邊技術標準的優勢地位，英特爾可謂不遺余力。英特爾每隔一個季度，要在美國、中國、歐洲等世界主要大市場區，選擇商務中心城市，舉辦所謂英特爾信息技術峰會；峰會的一項重要工作就是推介英特爾的技術標準。近年推出的計算機技術標準涵蓋到系統總線、PC架構、多媒體網絡、無線通訊、數字家電等方面。三是知識產權的訴訟與反訴訟。作為PC機技術標準主導者，英特爾和微軟兩家公司幾乎每年都發生訴訟與反訴訟事件，訴訟涉及的核心問題是知識產權侵權和市場壟斷。近年來，就法院正式立案案件而言，英特爾的訴訟或反訴伙伴涉及美國Broadcom、超微、美國消費者群體、Transmeta、Intergraph、中國臺灣威盛、中國深圳東進等；至于從2005年開始，美國AMD公司訴訟英特爾更是表明，AMD公司要正面挑戰英特爾在PC機CPU芯片供應上占據多年的絕對壟斷地位。
(三)重要集成電路產品全球產業組織呈現出跨國公司(準)寡頭壟斷的特征。
集成電路廠商要做到大規模鎖定消費者群體，除在研發投入和節奏上要占優勢和先機之外，還需要盡可能地將產品市場國際化。因為只有以高度國際化的市場為基礎，企業才能在產品生產和銷售上取得規模經濟優勢，才能攤薄昂貴的研發成本。全球產品市場規模的擴張和研發強度的加大又是相輔相成的。于是，對集成電路等產業來說，若以全球市場為背景，我們會看到這樣一幅圖景：一旦某個企業在市場份額上初占優勢，它在研究開發經費的投入，在技術標準的推出和擁有，在鎖定消費者步伐等方面，都會較長時間處于優勢或領先的地位。全球市場份額也會朝向寡頭集中，直至另一個后起之秀再憑借某些條件，逐步突破原有優勢企業的寡頭地位，并推動市場份額重組，乃至再次形成新的銷售市場朝向單寡頭或少數寡頭集中的格局特征。當前集成電路產品全球的銷售市場和產業組織格局充分說明這一點。據Gartner公司調查，2007年全球前十大公司占全球商業芯片銷售收入的53.1％。需注意，這僅是關于全部各類銷售收入的集中度數據。集成電路(芯片)是中間產品；對某一具體最終產品所使用某種具體芯片而言，往往由單個或為數不多的若干芯片制造商處于市場壟斷地位。例如，對個人和辦公用微型計算機最終產品來說，因所謂WINTEL事實技術標準對既定消費者群體的鎖定，至少在PC機的CPU芯片供應上，很多年來，英特爾公司實際上一直處于單寡頭壟斷地位。當然，近幾年這種單寡頭絕對壟斷地位也一定程度受到AMD公司的沖擊。至于其他具體種類芯片，也以單寡頭或少數寡頭壟斷供應居多。
(四)跨國公司銷售、制造、研局朝全球化方向發展。
2007年全球集成電路銷售收入最多的十家公司分別是英特爾，三星電子、東芝、德州儀器、意法半導體、英飛凌、現代半導體、瑞薩、恩智浦和日本電氣。十大巨頭均為跨國公司，均以全球市場為背景，進行制造、銷售、研發基地配置，以盡可能地取得行業競爭優勢。以英特爾公司為例。英特爾在50個國家開設約300個分支機構，總公司對分支構架的控制主要采取控股、內部化方式，全球化布局戰略在銷售、制造、研發等方面都得到充分體現。
從銷售收入地域格局來看，銷售地域格局的多元化和新銷售地域增長點的形成是支撐英特爾銷售收入迅猛上升的主要因素。1997至2007年間，英特爾公司美洲銷售份額從44％0持續下降至20％；歐洲份額從27％持續下降至19％；亞洲份額從19％持續上升至51％。
從制造過程來看，英特爾在全球范圍整合生產體系，將高附加值部分(硅片生產與加工)留在美國，將制造設施放在以色列，將勞動密集型業務放在馬來西亞、愛爾蘭、菲律賓、巴巴多斯、中國和哥斯達黎加等地。隨著中國市場重要性上升，英特爾在建設原上海測試和封裝工廠的基礎上，先后于2004年、2007年再在中國成都、大連建設封裝測試和生產制造工廠。
從研局來看，在芯片設計和測試方面，美國、印度、以色列、中國等重要區域市場支點和人力資源豐富區是公司布局重點，其三大模塊化通信平臺、解決方案中心、研發中心分別布設在美國、中國和比利時。20世紀90年代以來，英特爾的全球架構整合行動一定程度影響和引領著其他芯片商。其中，一些公司對海外機構進行了重組。
(五)集成電路是中國的“短
腿”產業。
我國集成電路的設計和制造還處在起步發展階段，遠不具備強勢國際分工地位。這在多方面都有所體現。首先，集成電路是中國大額逆差產業。盡管近年我國貨物貿易實現巨額貿易順差，但順差、逆差產業的分化明顯。順差主要集中在紡織、家電等產業上，而集成電路、礦產、塑料等發生大額逆差。2005年和2006年集成電路是我國頭號逆差產品，其貿易逆差總額分別高達856億美元和676億美元，相當于當年全部貨物貿易順差的48.2％和66.4％。其次，我國各種專有權連年發生大額貿易逆差。2006年和2007年，通過國際收支反映出來的中國“專有權利使用費和特許費”貿易項逆差分別為64.3億美元和78.5億美元，分別相當于當年服務貿易國際收支逆差總額的72.8％和99.4％。如前闡述，集成電路產業要發展，需要以企業擁有強勢知識產權所有權為基礎，而專有權貿易項大額逆差實際上和集成電路設計產業處在幼稚期密切相關。還有，目前我國集成電路設計和制造企業的實際情況也說明了這一點。2007年中國地銷售收入排名第一的集成電路設計企業――華大集成電路設計集團有限公司銷售收入總額大致相當于同年英特爾銷售額的5％。在排名前幾位的芯片設計制造商中，業務種類主要集中在身份管理、消費結算、通信、MPi、多媒體等低端芯片上面。
二、中國本土企業的借鑒經驗
目前，在智能卡，固定和無線網絡、消費電子、家電所用芯片，以及PC機芯片等產品領域，我國已經有若干集成電路設計制造企業，自主品牌業務迅速增長。境內自主品牌企業的成長經歷初步表明，國內大市場能夠為企業成長提供比較優勢，知識產權建設是企業可持續成長的推動力，企業應該高度重視知識產權貿易糾紛應對，目前中國集成電路企業“走出去”尚不普遍。
(一)若干中低端集成電路設計企業迅速成長。
根據來自中國半導體行業協會的數據，中國內地集成電路設計產業銷售收入從2002年的21.6億元增長到2006年的186億元，年均增長71.3％。位居2007年銷售額前五位的企業分別是中國華大集成電路、深圳海思半導體、上海展訊通信、大唐微電子、珠海炬力集成電路。我國集成電路的本土“巨頭”的業務范圍主要集中在智能卡、多媒體、通信卡等低端業務上。同時，這些企業在成長早期的某個三至五年時間段，都發生過業務量迅猛增長。其中，珠海炬力2002-2005年間銷售收入年均增長高達950％；上海展訊通信2007年銷售收入相比上年增長了233.1％，中國華大集成電路2004-2006年銷售收入年均增長62.6％。
(二)境內大市場能夠為企業成長提供比較優勢。
境內大市場對企業成長的重要作用的典型表現是：“第二代身份證項目”為中國華大、大唐微電子、上海華虹、清華同方微電子等企業成長提供了較大市場機遇。這里再以珠海炬力對市場的主動開發為例。從2001年開始，珠海炬力推出所謂“保姆式服務”。炬力在銷售芯片的同時，免費附送一套完整的MP3制造“操作手冊”，對芯片手工、規范、標準、制作和質量等做詳細說明。同時，只要買了炬力芯片，炬力服務支持人員會告訴你到哪里買合適的PBC板，到哪里買電容、電阻，成本是多少?？蛻艏幢闶峭庑?，只要找幾個會焊接技術、能看懂圖紙的技術人員。然后再買模具回來，往上一扣就可以出貨?！氨Ｄ肥椒铡蔽舜罅恐行S商進入MP3市場，僅2005年，境內出現的MP3品牌就達600多個。由此，珠海炬力在中國本土成功巨量引爆MP3生產和消費能力。這種操作給矩力銷售收入帶來了井噴式增長。還有，珠海炬力后來深陷與美國芯片商SigmaTel公司的訴訟糾紛，對向美國出口受到限制，這時，正是面向境內和其他國家的銷售為珠海炬力提供了市場緩沖和財務支持。在后來與SigmaTel公司的較量中，珠海炬力要求國內司法機關執行“訴前禁令”，而正是因為考慮到可能失去中國境內大市場，成為外方企業考慮和解的重要權衡因素，中國境內大市場成為斗爭籌碼之一。實際上，我們再從國際經貿理論提供的論證來看，不論是波特的國家比較優勢論，還是戰略性貿易理論，或者是楊小凱等人新興古典貿易理論，境內大市場都是構建國際分工比較優勢的重要支持因素之一。
(三)知識產權建設是企業可持續成長的推動力。
具備研究開發實力是啟動、占領和拓展市場的基礎，也是企業可持續成長的動力。所有快速成長的中國集成電路設計企業都表現出了這個特點，有的企業在技術標準建設上也取得了很大成績。
1 中國華大。2006年華大實現了新增知識產權45項，其中申報發明專利29項，軟件著作權登記8項，集成電路版圖登記8項。該公司自2003年開始進行WLAN芯片研發工作，成為無線局域網領域的“寬帶無線IP標準工作組”正式成員。此外，作為“WAPI產業聯盟”發起人單位之一，華大還積極參與到國家WLAN標準的制定。
2 深圳海思。海思掌握具有一定地位的IC設計與驗證技術，擁有先進的EDA設計平臺、開發流程和規范，已經成功開發出100多款自主知識產權的芯片，共申請專利500多項。
3 上海展訊通信。展訊近百項發明專利獲得國內外正式授權，目前已形成一套核心技術的專利群。
4 大唐微電子。公司連續開發出一系列具有自主知識產權的技術與產品，目前，公司共向國家知識產權局申報專利90項。
5 珠海炬力。2003年以來，珠海炬力不斷加大自主知識產權技術的研發投入力度，并積極申請專利、布圖設計、軟件著作權、商標權等多種形態知識產權，專利申請量和獲得授權的數量實現了迅速增長。
(四)知識產權貿易糾紛提供的教訓非常深刻。
在深圳海思尚未從華為拆分出來的時候，華為就在集成系統的軟硬件方面和國外廠商有過知識產權摩擦。至于從2005年年初至2007年6月，珠海炬力與美國老牌芯片商SigmaTel的知識產權糾紛所引發的摩擦影響之大、企業投入之巨、持續時間之長、社會關注之廣，在我國貿易糾紛歷史上極為罕見。這一知識產權貿易糾紛提供的教訓值得我國集成電路和高新技術企業長期引以為鑒。
1 集成電路企業全球市場份額大幅攀升必然引發知識產權貿易摩擦。2003年以前，SigmaTel曾經在全球MP3芯片市場中占據70％以上的份額。但是，正是由于集成電路產品的快速換代性和消費者群體鎖定性，隨著珠海炬力的崛起，SigmaTel的市場份額
不斷遭到炬力蠶食。2006年4月，SigrnaTel第一季度收入較上年同期下降67％，正是出于“生死存亡”的考慮，SigmaTel才選擇在珠海炬力成長的關鍵期，不遺余力地通過訴訟和其他途徑，試圖“阻擊”炬力市場領地的蔓延。
2 知識產權訴訟過程本身就會給競爭對手造成重大傷害。在訴訟其間，珠海炬力曾經遭遇對美國出口受到禁止、公司股價大跌、前后訴訟支出超過1000萬美元等考驗，如若公司沒能挺住，可能就倒在訴訟途中。
3 與訴訟對手和解，是雙方博弈的理性選擇。在整個訴訟和反訴過程中，珠海炬力經歷“遭訴應訴反訴拒絕和解在對方調整條件后和解”的互動角色變化。而對手Sigma7el則經歷“一定程度得手遭反訴提出和解遭到拒絕調整條件后和解”的角色變化。雙方的和解與英特爾、微軟、IBM、華為等公司與糾紛對手和解有類似之處，是實力較量之后的理性博弈和解。
4 企業的知識產權管理必須同步于產品國際市場開拓。2005年以前，珠海炬力的知識產權管理是滯后于國際市場開拓的，當然也談不上事前對可能陷入的訴訟做前瞻性準備。而正是回應訴訟強烈地推動了企業的知識產權管理。
(五)企業主動“走出去”尚不普遍。
目前就企業國際化而言，境內快速成長的企業均在自身設計產品出口方面取得了較大進展。其中，深圳海思、上海展訊、大唐微電子、珠海炬力等企業的海外銷售收入都在公司銷售總額中占有一定的比例。其中，2006年，深圳海思出口收入占銷售收入的69％，上海展訊占32.6％，大唐微電子占1.4％，珠海炬力占89％。不過，在海外分支機構建設方面，僅深圳海思、上海展迅通信初步取得進展。
三、中國集成電路產業繼續突圍發展的基本要領
集成電路之所以成為中國的短腿產業，有其內在原因。集成電路企業的啟動需要有較先進的技術和較強勁的資本實力作為基礎；也需要國內居民普遍的收入達到一定水平，以支撐電腦、手機、消費電子、高端家電等購買閥值相對較高的產品形成市場規模。至于某些中高端芯片產品發展，國內企業還處于成長初期，會面臨外方強勢跨國公司全面壟斷市場的壓力。全面考慮這些情況，作為“短腿”的中國集成電路產業的發展歷程必定是一個不斷在技術和市場上構建優勢，并突出外方強勢企業重圍的過程。
(一)積極拓展產品種類，提升產品檔次。
我國現有集成電路企業，現有的集成電路關聯企業，如計算機、家電、消費電子、工程服務等產業領域廠商，應該在企業原有的技術和財務實力的基礎上，通過開發創新技術、建設技術標準和拓展產品市場，逐步拓寬和提升我國能夠設計、開發、制造的集成電路產品種類，乃至實現我國設計的自主品牌集成電路產品，逐漸延伸到手機、計算機用CPU等高端芯片產品領域，并逐漸結束我國在高端集成電路領域的空白狀態。
(二)企業主動開發境內大市場。
隨著我國居民收入水平不斷增長，我國消費購買閥值增大，對像集成電路這種高技術產業的突圍成長而言，境內大市場的孵化、支持、緩沖等作用將表現得越來越明顯。不過，境內大市場的這種作用需要企業主動去發現、開發和利用。因此，在中國內地企業提升集成電路產品檔次、培育民族品牌產品、建設自主技術標準體系的過程中，應該借鑒珠海炬力、中國華大等企業的經驗，創造性地拿出市場開發方案，通過生產和消費兩方面的促進，激發我國的集成電路市場容量潛力，并實現企業快速成長。
(三)加強技術標準建設，占領知識產權制高點。
境內集成電路企業和集成電路產業關聯企業，應以某些技術單點的創新成就為基礎，加強產品價值鏈上下游環節技術創新和專利開發，以點帶面，逐步形成本國自主知識產權技術標準集群。企業和政府共同努力，將謀求事實國際標準與國際標準認定結合起來，大力推進技術標準國際化。企業應積極建設產業聯盟，集中同行技術實力，削弱國際同行競爭性標準影響力，促進自主產權技術標準建設。政府則應完善技術標準國內管理。同時，積極參加技術標準國際組織和論壇，推動技術標準國際合作機制改革。
(四)企業盡快“走出去”，培育形成民族自主品牌跨國公司。
隨著我國自主品牌集成電路產品國際市場份額的增大，隨著產品品種逐漸延伸到電子產品CPU等核心環節或高端領域，我國企業與外國跨國公司的直面競爭將在所難免。因此，從指導思想上，在集成電路企業的成長過程中，一定要盡快“走出去”，要以本行業世界一流跨國公司為標桿，構建全球性與區域性恰當結合的研發、生產、銷售網絡。另外，與集成電路關聯的計算機制造、電信服務、工程服務企業，也都應該盡快成長為自主品牌跨國公司，并和集成電路跨國公司成長形成呼應、配合和相互促進的關系。
(五)政府和社會將集成電路產業作為戰略產業予以扶持和資助。
集成電路產業具有以下特征：研發和資本需求強度較高，廠商靜態動態規模經濟效應明顯，本國廠商和產業成長面臨外方強勢競爭對手，這些特征非常符合戰略性貿易理論所闡述的戰略性產業的特征。因此，政府應將該產業作為戰略扶持產業。具體地說，政府應該選擇集成電路(潛在)優勢企業，運用研發資助、財稅優惠、優惠性融資、出口補貼、“走出去”資助，外方優惠政策爭取等措施，積極推動本國戰略產業廠商提高國際市場份額。此外，政府還應和科研機構、其他社會各界一道，面向集成電路產業，加大基礎科學研究力度，加強與科技項目、知識產權、人才培養相關的配套公共管理和服務。
(六)政府統籌建設境內外大市場，加強國際經貿合作關系。
首先要加強境內外關聯產品消費設施和流通市場的建設。在國內，特別是在廣大農村地區宜采取財政支出、優惠信貸等方式；在境外，主要面向發展中經濟貿易伙伴，以政府發展援助、企業公益行動、貿易能力援助等方式，支持或幫助有線無線網絡、電力等基礎設施建設，改善PC、手機、家電等關聯產品流通市場，提升貿易伙伴的貿易能力。其次要策略地開展國際經貿關系合作。積極面向在集成電路產業上和我國不存在競爭關系的經濟體，通過FTA/RTA和其他經貿協議，形成(準)共同產品市場關系。第三要優化企業對外投資環境。加強國際投資協定合作和雙邊協商，破除中國企業境外投資進入障礙。
(七)加強知識產權貿易摩擦的防范和應對。
集成電路芯片范文6
近年來，中國集成電路（IC）產業快速發展。2011-2016年，中國集成電路產業銷售收入規模分別為1933.7億元、2158.5億元、2508.5億元、3015.4億元、3609.8億元、4300億元，上述年度的增長率分別為34.3%、11.6%、16.2%、20.2%、19.7%、19.1%，顯著高于規模以上工業增加值，是名副其實的朝陽產業。
作為集成電路行業中細分領域的優秀企業，富滿電子（300671.SZ）于2017年7月5日登陸創業板。此后的中報預披露，再次向股東交出了滿意答卷。7月13日，公司業績預告，預計2017年上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤同比增長40%-60%，業績增長的原因是集成電路行業整體增長及公司自身產品優勢的影響。
細分領域擁有較高知名度
中國集成電路產業受國家政策扶持的帶動，連續多年保持了快速增長的勢頭。
富滿電子是IC設計企業，主要從事高性能模擬及數模混合集成電路的設計研發、封裝、測試和銷售。依托公司的技術研發、業務模式、快速服務和人才儲備等優勢，公司在集成電路行業電源管理類芯片、LED控制及驅動類芯片等細分領域具備一定競爭優勢。
公司董事長劉景裕目前持有59.46%的股份，為公司實際控制人?；趯χ袊箨懴M電子領域廣闊發展空間的信心，2001年，劉景裕從臺灣來到深圳創業。
中國臺灣集成電路產業起步較早，特別是以臺積電、聯發科為代表的晶圓代工產業發達。但在劉景?？磥?，中國大陸是世界工廠，員工勤奮聰明，效率高，大陸IC企業依托制造業優勢掌握市場趨勢，在IC設計領域更有競爭力。
富滿電子主營業務收入主要來源于電源管理類芯片、LED控制及驅動類芯片和MOSFET類芯片產品。其中電源管理類芯片銷售金額占比最大，2016年為30.78%。富滿電子電源管理芯片的應用市場主要集中于鋰電池、移動電源等領域。在該細分領域，目前暫無重合A股上市公司。
富滿電子在集成電路領域發展多年，根據客戶的需求，推出了400多種IC產品。隨著公司經營規模不斷擴大，產品類型不斷豐富，公司在針對客戶需求的產品開發方面積累了寶貴的經驗。
富滿電子作為國家級高新技術企業，高度重視技術積累和儲備。公司已獲得46項專利技術，其中發明專利13項，實用新型專利33項；集成電路布圖設計登記36項；軟件著作權18 項。
主要產品需求空間廣闊
電源管理芯片的應用范圍十分廣泛，包括消費電子、其他各種電子設備等。得益于智能手機等便攜電子產品產量高速增長的契機，中國電源管理芯片市場近年來保持了快速的增長。隨著物聯網、可穿戴電子等新興應用熱潮襲來，電源管理芯片市場面臨新一輪商機與挑戰。
富滿電子是國內電源管理芯片供應商中少數同時具備設計、封裝和測試的本土IC企業之一。2016年，電源管理芯片銷量71137萬顆，銷售額10146萬元。
由于下游@示屏和照明市場需求急速擴張，2016年，富滿電子LED控制及驅動類芯片產能繼續擴張，LED驅動及控制類芯片銷量達到47657萬顆，銷售額達到8173萬元。公司表示，未來將在LED驅動及控制類芯片領域繼續加大研發投入，同時將繼續擴大產能。
此外，富滿電子的MOSFET類芯片銷售金額2014-2016年逐年增長。
此次公司IPO募資逾2億元，將主要用于擴產LED控制及驅動芯片、電源管理芯片兩大類產品，預期項目達產后每年將新增營收約2.3億元。
