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薄膜電容范文1
傳聞：薄膜電容器4季度開始貢獻業績。
記者連線：記者致電江海股份證券部，工作人員表示薄膜電容器還未正式投產，因此還無法貢獻業績。
江海股份（002484）2010年9月上市，主要產品為鋁電解電容器系列產品及其主要的原材料化成箔，是國內鋁電解電容業的龍頭企業，擁有國內生產廠商中最齊全的產品種類。
2012年受制于宏觀經濟疲軟公司工業類電容開工率不足，以及內蒙古化成箔募投項目投資遇電價上漲，公司業績下滑影響，半年報顯示上半年公司營收4.85 億元，同比下滑2.44%；凈利潤4496.69 萬元，同比下降15.24%；但從單季度來看，公司2 季度凈利潤2994 萬元，環比實現99.27%的增長，同比降幅也明顯收窄，綜合毛利率連續2 個季度上升，這表明公司經營狀況正在好轉。公司預計三季度歸屬于上市公司股東的凈利潤變動區間6743萬元至9271萬元，變動幅度—20%至10%。
2011年8月該公司宣布了一項超募資金使用計劃：公司使用2億元超募資金設立全資子公司，投建高壓大容量薄膜電容器生產線，建成后將為江海新增100萬只/年的薄膜電容器產能。整個項目由10條生產線組成，項目建設周期為30個月，計劃在2013年12月投產。項目建設完成后預計實現銷售收入5.65億元，實現年平均稅后利潤6641萬元。
薄膜電容器是江海股份上市后正式涉足的新產品。江海股份目前產品以鋁電解電容器為主，但毛利率只有21%左右；而A股目前主營薄膜電容器的公司法拉電子毛利率卻能達到35%以上。去年江海股份營業收入達到10.4億元，但凈利潤只有1.1億元；同期法拉電子營收13.3億元，凈利潤2.8億元，毛利率的差距十分明顯。
據悉，該公司目前已經建成1條生產線，記者連線工作人員表示還未正式投產，而在投資者互動關系平臺上，公司表示薄膜電容器今年銷售量很小，對公司業績貢獻很少。預計明年量產，開始貢獻業績。
華虹計通：
項目節點推遲將影響全年業績
傳聞：項目節點推遲將影響全年業績。
記者連線：記者致電華虹計通證券部，工作人員表示客觀來說項目節點推遲也將影響全年業績。
華虹計通（300330）作為射頻識別技術的電子收費與支付系統解決方案設備供應商，該公司于6月19日登陸創業板，發行價為15元，首日開盤價15.5元。當時該公司被多家券商稱為“城市軌道交通AFC系統的龍頭”，“優秀的AFC系統提供商”，但就在上市不到一個月的時間里，華虹計通半年度業績公告，半年報數據顯示該公司上半年歸屬于上市公司股東的凈利潤為1585.79萬元，而去年同期凈利潤為2081.72萬元，同比下降23.82%。
公司披露表示，業績下降一方面是由于項目節點的影響，同時銷售收入中毛利率相對較低的AFC系統業務收入占比較大；另一方面是由于應收賬款大幅增加，計提的資產減值準備增加。
而在10月13日公司公告的三季報數據中再次表示受部分項目節點的影響， 公司2012 年1—3季度主營業務收入較上年同期略有下降， 因此營業利潤出現一定幅度下降。三季報預告今年三季度盈利約：2057萬元—2191萬元，比上年同期下降約18—23%。至于全年業績，公司方面表示客觀來說也將受到項目節點推遲的影響。
但在二級市場上，該股票作為一只次新股，盤子小，股價9月份在發改委密集批復多個城市軌道交通建設刺激下，連續出現強勢放量漲停，之后隨大盤出現回落，考慮到穩增長是未來一段時間中國經濟主旋律，基礎設施建設尤其是城市軌道交通建設將在穩增長政策下扮演重要角色，投資者可以短線關注。
美盛文化：
上市獎金將計入三季度
傳聞：公司獲1686萬上市獎金計入3季度業績。
記者連線：記者致電美盛文化證券部，工作人員確認該消息屬實。
美盛文化（002699）于2012年9月11日登陸資本市場，公司是國內主要的動漫服飾制造商之一，專注于動漫衍生品細分產品動漫服飾的開發、生產和銷售，主要產品包括迪士尼形象動漫服飾、電影形象動漫服飾、傳統節日動漫服飾以及裝飾頭巾等。
該公司在國內動漫服飾行業中居于前列。2009年動漫服飾年銷售收入在1000萬元以上的大型企業約20家，占市場份額60. 5%。而公司2009年銷售收入已達1.25億，堪稱行業的龍頭企業之一。由于公司在規模上已大幅超越國內的絕大多數同行企業，這使得公司在上游采購和訂單爭取中具備一定優勢，同時，這為公司未來實現外延擴張奠定了基礎。
公司此次IPO共募集42628萬元，公司擬以募集資金21350萬元投資“動漫服飾擴產建設項目”，完全達產后新增1000萬套動漫服飾的產能（2011年公司的動漫服飾銷量為455.04萬套），預計正常年營業收入33999萬元，凈利潤9818萬元。
而公開數據顯示，該公司上半年實現凈利潤僅923.75萬元，9月15日該公司公告，獲得地方政府1686萬元的上市獎勵，而這無疑為公司今年的業績增添了一抹亮色。根據美盛文化的公告，這筆1686萬元的獎勵將一次性計入公司2012年營業外收入，這也意味著今年公司將因此增加1000萬元左右的收益，單從數字上看，這筆收益將超過公司今年上半年實現的凈利潤。
而從公司最近三季報預告來看，1—9月份歸屬于母公司所有者的凈利潤為4750萬元—5000萬元，同比增長1%—5%。而該筆獎金計入三季度無疑將對三季度業績產生積極的影響。
滄州明珠：
兩項鋰電隔膜專利獲批
傳聞：滄州明珠專利申請已獲批。
記者連線：記者致電滄州明珠證券部，該公司工作人員表示在已申請的5項專利中，2項有關鋰電隔膜的專利已獲批。
滄州明珠（002108）于2007年1月24日登陸資本市場，主營業務為PE管材、BOPA薄膜的生產和銷售，2009—2011年實現凈利潤1.02億元、1.16億元、1億元。
滄州明珠于去年7月推出定向增發預案，公司擬向包括控股股東東塑集團在內的投資者發行不超過4000萬股，不低于8.16元/股，募集資金總額不超過32640萬元，用于投資建設“年產19800噸聚乙烯（PE）燃氣、給水用管材管件項目”和“年產2000萬平方米鋰離子電池隔膜項目”。
在該次募投項目的可行性分析報告中表示，研發人員經過2年多的研發探索，目前已突破相關技術瓶頸，掌握了多層復合鋰電池隔膜的生產工藝，申請的5項發明專利已被受理并進入實質審查階段，而記者通過連線該公司證券部，目前有關鋰電隔膜的2項專利已經獲批。
薄膜電容范文2
關鍵詞：媒介融合；廣播電視；產業；創新模式；
中圖分類號：G210 文獻標識碼：A 文章編號：1674-3520（2014）-07-00-02
隨著科學技術的飛速發展和人們生活水平的不斷提高，當前人們逐漸對廣播電視行業的發展重視起來，人們對電視產業的運行模式及視覺形式有新的要求和期望，這對廣播電視行業提出了挑戰，同時也給廣播電視行業創造了機遇，因此，廣播電視行業人員正視該行業面臨的機遇和挑戰，摒棄傳統廣播電視節目播出模式，尋求一種新的模式和應作路徑，對相應創新模式和創新路徑進行分析，媒介融合的出現有力彌補了傳統電視廣播工作模式的諸多不足，我們應正視廣播電視產業發展現狀和相關問題，并探討出一套切實可行策略和運行模式，本文針對廣播電視創新模式特點，對媒介融合創新模式進行了詳細分析和闡述，希望為我國廣播電視行業的發展貢獻出一份力量。
一、廣播電視產業創新模式要點分析
（一）市場定位創新要點分析
從整體市場定位創新角度出發，當前我國廣播電視行業領域需要實施進行相應市場角色轉變，之后在此基礎上實現了從傳統媒介壟斷模式到現代化商業運作模式的完美轉變。在數字化技術面世之前，我國廣播電視行業領域仍舊處于模式致勝發展階段，渠道選擇和模式選擇等尤為重要，因為其在一定程度上決定著產業鏈中最有價值部分的歸屬，大部分市場利益就會收入囊中。科學技術飛速發展的同時，新型網絡技術也隨之出現，利益分配模式不斷更新調整，并朝著利于內容生產者方向不斷向前邁進，轉移角度也日趨合理化，渠道資源多樣化趨勢也顯而易見，當前廣播電視行業競爭以內容競爭為主。媒介融合時代的廣播電視行業生產者涵蓋了多種生產機構，相關的新聞信息和知識信息以及娛樂信息等均海量呈現，內容整合專業服務和信息解讀專業服務等得到迅速推廣和普及，這正是專業性較強的廣播電視行業機構發展趨勢所在，精確營銷模式實為創新核心。
（二）生產模式創新要點分析
單就生產模式創新而言，中國廣播電視行業需要真正實現全面微內容聚合轉變，摒棄傳統壟斷內容中的諸多弊端和不足。中國廣播電視行業領域長期實行的是直播一體廣播電視生產模式，廣播電視部門和機構都是按照原有宣傳任務進行相應操作，執行任務過程中會組織工作人員和專職人員進行節目制作和節目錄播。需要注意的是，近年來，中國廣播電視業開始逐步推行試行制播分離方案，并試圖引入一定的社會專業制作力量來進行輔助操作，并解決渠道過程所產生的廣播電視內容匱乏問題。媒介融合機制的合理介入，手機普、數碼相機、相應DV設備普及度不斷普遍化，音頻內容制作、音頻內容傳播、視頻內容制作和視頻內容傳播等逐漸被廣大普通網民所掌握，在一定程度上實現了信息生產全民化、信息生產草根化。我們通常所說的全面生產是現在廣播電視產業媒介融合時代的主流生產策略和主流生產模式，民眾生產會與廣播電視專業機構生產以及社會專業機構生產等結合起來，使得媒介內容碎片化和媒介內容巨量化等成為可能，廣播電視機構和廣播電視部門將從內容中進行細節劃分和內容解放，發揮出自身專業特長，并將聚合服務等做到盡善盡美。
（三）營銷模式創新要點分析
營銷模式創新的重要性不言而喻，廣播電視行業領域需要實現從廣播電視頻道專業化到一站式廣播電視服務理念的正常轉變。當下我國廣播電視行業領域正處于頻道專業化轉型階段，大眾市場專業主流營銷模式尤為常見。媒介融合的正式介入使得信息資源數量急劇增多且受眾需求也趨于個性化與定制化，傳統廣播電視產業營銷模式以大眾化服務理念為主，其逐漸被適位營銷模式和定制服務模式等所取代。媒介融合時代，廣播電視產業是建立在大眾傳播和廣告經營的基礎上的。向具有購買力的主流人群提供信息、娛樂服務和向主要廣告客戶提供廣告服務是廣播電視業的生存之道，定制服務和專業服務商類型各不相同，立體式一站服務模式、互動式一站服務模式和個性化一站服務模式以及海量化一站服務模式將完全取代單一式大眾化服務模式、單項式大眾化服務模式和規?；蟊姺漳Ｊ揭约跋嚓P容量有限化大眾服務模式等。
二、廣播電視產業媒介融合創新制度要點分析
（一）進行較為正規的產業屬性界定
首要一點就是要進行事業屬性界定和事業屬性分辨，我們需要先從企業化運作角度入手，但是事業單位角色與對應企業單位角色具有一定沖突性，假設事業單位、企業運作模式已成必然，那么國有廣播電視產業就會在政府權力介入的情況先出現市場壟斷和市場不平衡競爭，此時廣播電視產業市場競爭秩序也會呈現不公平態勢，廣播電視資源行政配置的出現無法實現市場效率提高和結構優化。媒介融合主要是指技術有機融合、業務有機融合、市場有機融合等。從本質角度而言，資源整合過程中應該以市場規律和市場發展特點作為主要依據，產業化無疑是創新方案首選。當前我國廣播電視產業體制改革的主要障礙在于政府管理的權力干預及政府政策的宣傳，換個角度而言就是廣播電視產業化發展會阻礙政府職能和政府權力執行，加強廣播電視產業市場化和廣播電視產業化可以在增強宣傳效果的同時也能達到利國利民的主要目的。
（二）打破出版界限和管理界限
制度改革和管理改革等勢在必行，我國現行廣播電視管理體制普遍存在管辦一體、政企不分的情況，宣傳與經營不分，政府既行使管理權，又直接參與經營，既當裁判，又當運動員，嚴重擾亂了市場秩序，也使廣播電視內部無法形成科學的公司治理結構。應對廣播電視行業內部人員和技術進行全面管理和適時調整，突破出版瓶頸，突破原有管理制度和條款束縛，樹立權利監督制度，全面促進廣播電視行業綜合發展。
（三）加強對創意經濟的學習
應該了解到，創意是創新模式和創新思想的嶄新表現形式，同時也是生產力要素中的重要組成部分，廣播電視媒體產業應拓寬自身產業空間和范圍，在此基礎上搭建信息服務平臺，以此匯聚和推銷品牌產品。近些年來，從中央到地方，從管理研究機構到各大媒體，都把創意經濟提到了重要日程，擺到了重要位置。廣播電視要努力學習借鑒他們的經驗作法并取得他們的支持與指導，不斷開拓視野，發揮優勢，提升價值，讓更多的廣播電視產品插上創意的翅膀，不斷掀起新的藍海波濤。
綜上所述，應通過市場定位操作、組織機構操作、生產模式操作和影響模式操作以及相應競爭模式操作等，賦予了廣播電視建設事業的新型創新定義以至廣播電視行業能夠得到長足發展，使得廣播電視屬性定位更加的科學化和規范化。
參考文獻：
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薄膜電容范文3
1概述
20世紀60年代后期，隨著聚丙烯電工薄膜的出現，電力電容器很快地從全紙介質經過紙膜復合介質向全膜介質發展，產生了全膜電力電容器。歐美發達國家在20世紀80年代初就已經實現了全膜化，而當時我國才開始進行全膜電容器研究。20世紀80年代中后期，我國的主要電容器生產企業（桂林電力電容器廠、西安電力電容器廠、上海電機廠電容器分廠）分別從美國通用電氣公司（GE）、愛迪生公司和西屋公司引進了全膜電容器制造技術和關鍵設備，經過消化吸收和改進，我國在20世紀90年代中期也實現了全膜化。全膜電容器具有以下優點：
①擊穿場強高（平均值達240MV／m），局部放電電壓高，絕緣裕度大；
②介質損耗低（平均水平為0．03％），消耗有功少，發熱少，節能，而且運行溫升低，產品壽命長；
③比特性好（平均為0．2kg／kvar），重量輕，體積小；④運行安全可靠。由于薄膜一旦擊穿，擊穿點可靠短路，避免發生由于紙介質擊穿碳化造成擊穿點接觸不良而反復放電造成電容器爆裂的嚴重故障。由于全膜電容器的顯著特點，因此，一出現就得到了的推廣應用，產品也得到了不斷的發展。目前，先進國家的全膜電容器的設計場強已達到了80MV／m，比特性已達到了0．1kg／kvar。我國的制造企業也正在努力研究、提高全膜電容器的技術水平。本文就主要影響全膜電容器技術水平的三個主要因素，介質材料、結構、工藝進行簡要分析。
2介質材料
全膜電容器的固體介質材料是聚丙烯薄膜，液體介質材料是芳香烴類的混合油，目前大多數企業使用芐基甲苯、苯基乙苯基乙烷，也有少數企業用二芳基乙烷。
2．1聚丙烯薄膜
聚丙烯薄膜最早由GE公司在20世紀70年代初應用在電容器上，而且GE公司首創了電力電容器用聚丙烯薄膜生產技術（管膜法）。此后，西歐出現了平膜法生產技術。目前，我國引進了10多條管膜法和平膜法生產線，可以生產粗化膜（單面粗化和雙面粗化）和光膜（主要用于自愈式電容器），薄膜厚度最小可達4μm，全膜電容器所用的膜厚通常在10μm以上。經過20多年的發展，國產的聚丙烯薄膜性能與先進國家的已經處于同一水平上，無論是電性能、機械性能還是工藝性能都基本接近，有的性能甚至超過先進國家的水平。以國內電容器生產企業常用的15μm厚的粗化膜為例，國產膜與進口膜性能比較列于表1。
隨著全膜電容器技術水平的提高，厚度薄的聚丙烯薄膜的應用越來越大，例如12μm及以下的薄膜將占主導地位。厚度減少后，薄膜制造廠的質量控制難度將會增大，當然薄膜的性能穩定性也會受影響。從國家標準GB／T12802－1996《電容器用聚丙烯薄膜》的規定中可見，12μm膜的（元件法）直流介電強度中值比15μm的低20MV／m（6％），10μm膜的的比15μm膜的低30MV／m（10％）。更主要的是薄膜越薄，電弱點越多，接GB／T12802－1996的規定，12μm以上的薄膜電弱點≤0．5個／m2，而10μm的≤0．6個／m2。如果按2m2／kvar計算，則一臺200kvar電容器可能會有多達200個的電弱點，即200個絕緣缺陷。對于高場強電容器，由于運行的場強提高了，選用更薄的薄膜，電容器的損壞幾率也會提高。因此，聚丙烯薄膜的性能必須得到提高以后才能應用到更高電場強度（60MV／m以上）的全膜電容器。實際上，某些廠家薄膜的性能指標，比如介電強度和電弱點遠高于國標要求值，只是在質量穩定性上需加強控制，即可滿足高場強電容器的要求。
從試驗的統計得出，降低粗糙度可有效提高薄膜的電氣強度，減少電弱點。隨著電容器生產工藝的提高和液體介質的發展，浸漬問題已經得到解決。因此，為了提高薄膜的介電強度和減少電弱點，應該使用單面粗化膜或粗糙度更小的薄膜生產高場強全膜電容器。即薄膜制造企業今后應重點控制介電強度和電弱點這兩個指標。
2．2液體介質液體介質應滲透到電容器固體介質內的所有空隙，消除產品內的殘存氣體，提高產品局放性能。因此，對液體介質的基本要求有三個方面：①介電強度高，一般要求達到60kV／2．5mm以上；②析氣性好，能夠溶解和吸收更多氣體；③粘度低，能夠充分浸漬和滲透聚丙烯薄膜。
目前普遍使用的芐基甲苯、苯基乙苯基乙烷和二芳基乙烷都能滿足以上要求，只是二芳基乙烷的粘度較高，低溫性能稍差。
如果用于生產高場強電容器時，液體介質中還必須加入添加劑，以提高液體介質的抗老化性能。
3結構
全膜電容器主要有兩種基本結構，一種是隱箔式結構（也叫引線片式結構，如圖1a），另一種是凸箔式結構（如圖1b）。
為了改善電極的邊緣電場畸變，非凸出的鋁箔電極邊緣通常進行折邊處理，尤其在凸箔式結構中普遍采用。由于隱箔式結構需要引線片引出電極，存在接觸電阻和尖角，而且不適宜進行折邊處理，因此，隨著場強的提高，已逐漸淘汰，現基本采用凸箔式帶折邊的結構。
固體介質通常由兩層或三層粗化的聚丙烯薄膜組成。介質的厚度對電極邊緣的電場畸變有影響，因此在選擇時要注意。
電極邊緣的電場強度Ee可按下式計算：式中：εm—固體介質相對介電常數；εy—液體介質相對介電常數；d—電極間距離；δ—鋁箔電極厚度；E—均勻處的電場強度從（1）式中可見，鋁箔折邊，相當于使δ增加一倍，因此，使邊緣電場下降到折邊前的（30%左右）。相反，如果選用較厚的聚丙烯薄膜或選用三層聚丙烯薄膜時，會使電極間的距離d增大，從而使邊緣電場畸變加劇，不利于產品運行。
實際應用中，有的企業為了減少產品的串聯數，提高了元件電壓，在基本保持電場強度（E）不變的情況下，選擇了較厚的薄膜或選擇三層膜結構。理論和試驗數據表明，這種結構的局部放電性能最差，實際的運行損壞情況也證明了這一點。另外，有的企業為了降低薄膜弱點重合的概率，選擇三層膜結構；從理論上分析，三層膜結構確實可以減少弱點重合的概率，但三層膜結構勢必要使用厚度更薄的薄膜，薄膜的性能（介電強度、電弱點）將會影響其效果，甚至適得其反。三層膜結構即使可以減少弱點重合概率，實際應用中還有一個因素必須考慮。在產品進行出廠耐壓試驗時，極間施加2．15Un的試驗電壓，如果三層膜中的一層存在電弱點時，所有電壓加在另外兩層膜上，以等厚的三層膜設計場強為55MV／m分析，其試驗耐受場強由118MV／m只上升到177MV／m，而薄膜浸油后的擊穿場強通常在200MV／m以上，即此臺電容器有可能通過出廠試驗而將隱患帶到電網中。兩膜結構時，若其中一層存在電弱點時，其試驗耐受場強將上升到236MV／m，即出廠試驗時就可將有弱點的產品挑出，而保證出廠產品的質量。實際應用中，三層膜結構的產品出廠合格率確實高于兩膜結構，但其早期損壞率也高于兩膜結構的產品。超級秘書網
無論是兩層膜結構還是三層膜結構，最好選擇厚度相同的薄膜。
4工藝
電力電容器制造包括四個方面的工藝：機加工工藝；元件卷制工藝；真空浸漬工藝和油處理工藝。其中后三者為電力電容器的專業工藝。機加工工藝只影響產品外觀質量，油處理工藝影響液體介質的性能和質量。下面重點分析元件卷制工藝和真空浸漬工藝。
4．1元件卷制工藝元件卷制是在凈化間內，利用卷制機，將固體介質材料（聚丙烯薄膜）和電極材料（鋁箔）卷制成為元件的過程。
在元件卷制工藝中，潔凈度單位空間中懸浮的塵埃的顆粒是影響產品質量的最主要因素，尤其對全膜電容器而言，由于薄膜具有靜電吸附的作用，很容易吸附環境中的塵埃。如果吸附的是導電性顆粒，會使極間電場畸變或產生浮動電位從而使介質擊穿；如果吸附的是非導電性顆粒，顆粒在電場作用下會首先擊穿從而使介質也擊穿。
4．2真空浸漬工藝真空浸漬是利用加熱抽真空的方法將電容器內的水份和氣體排除后，注入合格的液體介質的過程。
真空浸漬工藝要解決兩個關鍵問題，一是如何盡可能地排除水份和氣體；二是如何使液體介質能夠充分滲透產品內的所有空隙。
根據真空理論，真空度越高，氣體的排除越徹底。但是，即使把真空度提高到1．33×10－1Pa，空隙的氣體分子密度仍高達3．2×1016個／m3，如果進一步提高到1．33×10－4Pa，氣體密度仍達到3．2×1013個／m3。再加上真空罐內表面和產品表面的吸附氣體，想通過抽真空的辦法徹底排除氣體和水份是不可能的，也是不經濟的，實際生產中，真空度最高只到1．33×10－1Pa。通過兩種途徑解決這個問題，一是利用液體介質的溶氣能力將殘存的氣體溶解；二是在注入液體介質的同時，繼續抽真空。隨著全膜電容器的電場強度的提高，必須采用邊注油邊抽真空的方法。
前面已經分析過，薄膜之間具有靜電吸附作用，要使液體介質充分滲透到薄膜之間確實很困難，但是壓力浸漬工藝的應用有效地解決了浸漬問題。目前，實際應用中的壓力浸漬工藝有兩種方式；一種是油位差壓力浸漬；另一種是利用外力的壓力浸漬。油位差壓力浸漬如圖2所示。其高度差通常只有3m左右，因此壓力只有0．3MPa左右，而且頂上的儲油罐必須破空。油位差壓力浸漬工藝時間較長。
利用外力的壓力浸漬如圖3所示。其壓力可任意調節，可利用強壓力進行浸漬，而且不需破空，油路處于密封狀態。由于利用了強壓力，因此浸漬徹底，而且工藝時間較短。如果壓力浸漬工藝效果能進一步提高，則對聚丙烯薄膜的粗化要求可以降低，進而使薄膜的性能提高，提高產品可靠性。
5結論
全膜電容器的技術水平的提高，必須重點研究解決以下四個方面的問題：
①聚丙烯薄膜的性能必須提高，尤其是厚度規格小的薄膜，隨著電場強度的提高，薄膜的介電強度和電弱點尤其重要；
②電容器結構的選擇必須綜合考慮材料的性能和工藝水平；
薄膜電容范文4
高壓部分主要由整流、濾波、高壓開關管、開關脈沖形成電路以及過流、過壓保護和EMC等電路組成。對于電源高壓側的摩機，大家常常更換高壓濾波電容，但對其容量選擇則有許多不同的意見。根據經驗，開關電源的初級側高壓濾波電容容量常選擇3pF／W，即當開關電源輸出功率在1W時，此電容為3pF。衛視機功耗常在20w以下，根據上述經驗公式，此電容容量可選擇60pF左右，即68pF。我曾試驗過將此電容容量增至100pF，效果較68μF稍好，但100μF電容價格要高于68μF電容近一倍。所以建議使用68μF，此時性價比最高。
低壓部分主要是由30V、22V、12V、5V、3．3V各路電壓的高頻整流濾波及電壓反饋光耦等構成。因開關變換器是以脈沖形式向電源汲取電能，故當濾波電容器中流過較大的高頻電流時，要求用于開關穩壓電源輸出整流的電解電容器阻抗頻率特性在300kHz甚至500kHz左右仍不呈現上升趨勢，而普通電解電容器在100kHz后就開始呈現上升趨勢(見圖2)，用于開關電源輸出整流濾波效果相對較差。同時普通電解電容器溫升相對較高。當負載為突變情況時．用普通電解電容器的瞬態響應遠不如高頻電解電容器。由于鋁電解電容器在高頻段不能很好地發揮作用，應輔之以高頻特性好的陶瓷電容器或無感薄膜電容器，其主要優點是：高頻特性好，ESR低，如MMK5型容量1μF電容器，諧振頻率達2MHz以上，等效阻抗卻小于0．02Ω，遠低于電解電容器，而且容量越小諧振頻率越高(可達50MHz以上)。在鋁電解電容器兩腳上并聯上高頻特性好的小容量陶瓷電容器或無感薄膜電容器，這樣將得到很好的電源輸出頻率響應或動態響應。
對于各電壓支路濾波電容容量的選擇，應結合各路電源負載的大小及對紋波敏感的程度而做出處置。在此建議如下：
30V：10～22pF／50V電容．并聯一只O．1μF陶瓷電容器：
22V：470pF／35V電容，并聯兩只0．1μF陶瓷電容器；
12V：1000μF／35V電容。并聯兩只0.1μF陶瓷電容器：
薄膜電容范文5
【P鍵詞】GaN基；聚酰亞胺（PI）；金屬遮光層；微圖形
1 背景介紹
氮化鎵（GaN）三族氮化物寬禁帶半導體材料體系，由于其寬廣的帶隙（從0.6eV的紅外區域一直覆蓋到6.1eV的深紫外區域）和優異的光學、電學性質，在藍、綠、紫外（UV）及深紫外波段的發光二極管（LED）和激光器（LD）等光電子器件領域有著廣闊的應用[1]。由于一些GaN芯片的特殊設計，經常需要一種粘附性良好不易被顯影液、去膠液等溶脹又具有一定厚度且具有光敏特性的絕緣材料來充當圖形表面的保護膜、層間的絕緣膜、深溝槽的填充物，尤其是隨著芯片大集成化、高密度化，多芯片組件（MCM）應運而生[2]，其關鍵技術就是需要填充深溝槽將多芯片組件表面平坦化。
聚酰亞胺（PI）是一種綜合性能十分優異的材料：耐高低溫性能優異，分解溫度在500℃左右，250℃下可以連續使用70000h，在熱力學溫度4K（-269℃）的液態氦中仍不會脆裂；機械強度高，高溫下只發生很小的蠕變，耐磨減磨性良好，200℃經過1500h老化處理其拉伸強度降低較少；電學性能良好，介電常數為3.4左右，介電損耗為10-3；熱膨脹系數低，不會因為溫度變化而發生覆膜脫粘現象；耐化學藥品性能好，可以耐有機溶劑、耐稀酸[3-4]。聚酰亞胺（PI）、旋涂玻璃介質膜（SOG）、苯丙環丁烯（BCB）為代表的耐熱性樹脂已被廣泛用作電子學領域中的半導體元件表面保護膜、層間絕緣膜、溝槽填充物等。尤其是PI相對SOG有著理想的膜厚及良好粘附性，PI相對BCB其成本優勢顯而易見，因此PI在眾多耐熱性樹脂中更是脫穎而出，首推為最理想的使用材料。
光敏性PI經紫外線（i，g線）曝光后發生光固化交聯反應，將非曝光區用有機或水性溶劑溶解后，可得到高分辨率的圖形，此圖形經加熱固化后形成的聚酰亞胺層膜具有低介電常數和低吸水率及優良的熱穩定性、機械性能及光學性能。然而目前工藝上PI旋涂的基材一般為硅片、陶瓷、耐熱性樹脂、載體膜、鋁板、不銹鋼板、各種合金板等支撐的基材，幾乎找不到GaN基上使用PI的案例。這主要是因為GaN特殊的結構特性和光學特性，導致單純使用紫外光刻技術無法使負性光敏聚酰亞胺在GaN基上形成標準有效的微圖形，進而在制作工藝上阻礙了一些設計良好的半導體發光器件制造方案之實施。本文將制備一層幾何圖形金屬作為遮光層，再利用聚酰亞胺負性感光性的性質來制備聚酰亞胺微圖形， 使以上阻礙迎刃而解，為半導體發光器件制造中GaN基表面保護膜、層間絕緣膜、溝槽填充物的制備工藝提供一些參考思路。
2 實驗部分
2.1 材料與設備
2.1.1 材料
藍寶石或Si或SiC為襯底的GaN基；負性光刻膠；去離子水；去膠液；丙酮；無水乙醇；鹽酸；乙酸丁酯；ZKPI-520I型負性光敏聚酰亞胺；金屬Ni或Ti；
2.1.2 設備
勻膠機；光刻機；烘箱；金屬蒸發臺；
2.2 實驗方法
2.2.1 流程
制備光刻膠掩膜層蒸鍍金屬層形成幾何圖形的金屬遮光層 制備聚酰亞胺微圖形亞胺化（低溫固化）去除金屬遮光層亞胺化（高溫固化）
2.2.2 制備
1）利用常規紫外光刻技術在5片以藍寶石為襯底的GaN基上制備光刻膠幾何圖形掩膜層。
2）利用真空蒸鍍設備在上述GaN基上蒸鍍100nm Ni金屬層。
3）用110℃去膠液3min將Ni金屬層進行Lift-off技術工藝，Lift-off工藝后先浸入丙酮中10～30sec，再浸入無水乙醇中10～30sec，取出后用去離子水沖洗干凈，放入烘箱烘干，得到具有幾何圖形的金屬Ni遮光層。
4）利用旋涂方法在上述5片GaN基上涂布一層均勻的負型聚酰亞胺薄膜，5片GaN基分別為1000rpm12sec、2000rpm14 sec、3000 rpm16 sec、4000 rpm17 sec、5000 rpm18 sec，然后進行前烘，溫度110℃，烘烤時間為5min。
5）利用步驟1）中所用的光刻掩模版套刻對聚酰亞胺薄膜進行曝光，5片的曝光時間分別為20sec、18sec、16sec、14sec、12sec，用聚酰亞胺相應的顯影液顯影3min，然后在乙酸丁酯中定影2min，得到聚酰亞胺的微圖形，其圖形與金屬層的幾何圖形相反。
6）對5片GaN片材上的聚酰亞胺微圖形進行0～300℃的低溫固化，如圖1。
7）用體積濃度為50%鹽酸水溶液去除GaN片材上殘余的Ni金屬遮光層，時間5min。
8）對GaN片材上的聚酰亞胺微圖形進行330℃，60min的高溫固化，完成聚酰亞胺微圖形的制備。
2.3 測試
采用顯微鏡觀察以上5片GaN基聚酰亞胺微圖形的表面形貌。
采用臺階儀測量以上5片GaN基聚酰亞胺微圖形的厚度。
采用電容儀測試以上5片GaN基聚酰亞胺微圖形的薄膜電容，在相對濕度為50%、溫度為18℃、頻率范圍在50KHZ～800KHZ下測得薄膜電容值，再通過式（1）計算獲得薄膜的介電常數，測試3次取平均值。
其中ε為薄膜的介電常數，C為測得的薄膜電容值，d為薄膜的厚度，s為電極面積，ε0為真空介電常數，ε0=8.85*10^（-12）F/m。
3 結果與討論
以上制備的5片GaN基聚酰亞胺圖形均不易被顯影液、去膠液等溶脹，機械強度高，耐熱性好，同時與GaN粘附性良好，表面平坦，顯微鏡觀察的表面形貌如圖2和圖3。臺階儀測得5片的PI薄膜厚度為2um～7um，旋涂轉速與厚度關系如圖4。5片樣片通過電容儀測試電容再計算得出的介電常數均在4以下。
4 結論
該制作方法工藝簡便，易操作，成本較低，且成品率高。制備出的聚酰亞胺圖形與GaN粘附性良好，同時不易被顯影液、去膠液等溶脹，而且低介電常數絕緣性能較好，厚度根據需要可以做到2um～7um，機械性能優良，用此聚酰亞胺微圖形可以充當GaN芯片的表面保護膜、層間絕緣膜、深溝槽填充物，尤其能夠解決多芯片組件（MCM）的表面平坦化，具有極大的經濟價值和使用價值。
【參考文獻】
[1]郭偉玲，錢可元，王軍喜.LED器件與工藝技術[M].北京：電子工業出版社2015.
[2]王秀峰，伍媛婷.微電子材料與器件制備技術[M].北京：化學工業出版社，2008.
薄膜電容范文6
關鍵詞 高末簾柵過荷故障；處理預案；實例分析；快速定位
中圖分類號TN9 文獻標識碼A 文章編號 1674-6708（2013）83-0216-02
0 引言
國家廣電總局725臺有12部DF100A短波發射機，雖然已經全部實現自動化，由于機器多、任務重、倒頻次數的增加，發射機故障率也隨之增多，在發射機運行中經常出現高未簾柵過荷的故障，為了減少停播，保證播出質量，我們摸索出一整套高未簾柵過荷故障的判斷、分析、處理預案，經過多年實踐，實用效果很好，對安全播出起到了重要保障作用。提高了判斷故障的準備性，縮短了停播時間?，F將這套預案介紹給大家。
1 高末簾柵工作原理
2 高末簾柵過荷故障的特點
高末簾柵過荷故障現象：在播音中，高末簾柵過荷，發射機面板指示燈6S20變紅，發射機高壓掉，重加加不上。如圖2所示：
引起1K22B高壓斷繼電器得電，1K22B常閉接點22 21打開，高壓掉。由于高末簾柵過荷導致1K40繼電器得電，1K40常開接點8 12 閉合，1K33繼電器得電。6S20高末簾柵過荷提示燈變紅。
3 高末簾柵過荷故障預案及直流回路分析
1）高末簾柵過荷故障我們可以通過二種方法來判斷：
（1）測法
甩開簾柵回路中的3R25，用2500V搖表搖測絕緣，一端接地，一端接簾柵極，若搖測絕緣很低，則可判斷PA簾柵負載回路有故障。（即3R25以后到PA管簾柵級之間元器件有問題）若絕緣度很高，則應檢查供電回路。（即3R25到簾柵模塊之間的元器件有問題）如圖所示。
另外，當出現簾柵流過荷時，我們甩開3R25后，降功率加高壓，如果不過荷，說明故障就在負載回路。如果過荷，說明故障在電源回路。在處理電源回路故障時要注意：甩開簾柵模塊輸入光纜，這樣可以排除九單元調制器控制器（9A4板），因為簾柵控制回路安裝在音頻通路板上（9A4）上，若公共通路9A4有問題時會導致簾柵過荷。
（2）表值觀察法
①觀察簾柵壓表值，降功率到零，或去掉激勵，加高壓觀察簾柵壓；若是正常，簾柵壓為零；若是有表值，則可快速判斷為簾柵模塊擊穿所致；
②觀察簾柵流表值，當PA簾柵極有通地現象時，或者簾柵回路中電容擊穿時，此時簾柵流很大。降功率到零，一加高壓簾柵流就會很大，稍微一升就會過荷掉高壓。此時我們檢查簾柵處的各電容就可輕松判斷出故障。當簾柵級出現簾柵電流過小，此時是因為簾柵回路有開路現象，當簾柵極防振電阻3R25、電感L16斷開時會導致阻抗變大，相當于開路，所以簾柵流會很小或沒有。
通過以上兩種方法可以我們總結出了以下經驗：當高末簾柵過荷時（1）我們首先降功率為零，看是否過荷？如果過荷，甩開簾柵模塊控制光纜，看是否過荷，如果不過說明9A4板故障；如果過荷說明模塊IGBT有故障或是模塊本身有問題。（2）當降功率為零后，如果不過荷，我們稍升功率這時簾柵壓很小，簾柵流很大，說明模塊輸出引線到3C31簾柵薄膜電容之間元器件有問題。這時分開分析負載回路和電源回路就可輕松判斷。
2）直流回路分析如下：
由圖3所示可知高末簾柵直流回路路徑是 ：簾柵級――陰級燈絲――燈絲變壓器次級――地――簾柵流分流器（2R7）――簾柵模塊――簾柵阻流圈――陷入電路（R24、R25、L16）――簾柵級。
通過直流回路分析：可以判斷簾柵流的方向，由于PA管采用陰地線路，簾柵薄膜電容3C31使射頻信號通地，在一定程度上防止直通和反作用。所以無高頻電流。當出現故障時，我們只考慮直流通路即可輕松判斷簾柵流大小和方向。
故障實例分析：
故障實例一
（1）故障現象
播音中忽然掉高壓，高末簾柵過荷指示燈變紅，復位后重加現象依舊。
（2）故障判斷
高末簾柵連續過荷，且降功率到零，重加稍微升功率，簾柵流很大，屏流很小，再升即掉高壓。首先簾柵流變大，運用表值觀察法分析簾柵級有通地現象，造成簾柵流變大。一般為負載回路有故障。
（3）故障分析
甩開3R25，用2500V搖表搖測絕緣，絕緣很低，則負載回路故障，逐一檢查3R25到電子管之間元器件，電流變大一般檢查電容即可，通常為3C31擊穿所至。
（4）故障處理
更換管座，卸下電子管簾柵盤，換上耐壓高的薄膜電容后，發射機正常。還應檢查放電球距離是否合適，保護是否靈敏。
故障實例二
（1）故障現象
高末簾柵連續過荷，降功率無效，將功率降到零，簾柵壓仍有700V。
（2）故障判斷
甩開3R25，甩開光纜加高壓，降功率為零，仍有簾柵壓，可判斷電源回路有故障，3C45到模塊之間有問題，考慮到簾柵流變大可能為3C45、C1電容擊穿所至，但是根據降功率后仍有簾柵壓可快速判斷為簾柵模塊損壞。
（3）故障分析
由于高末模塊IGBT擊穿時，造成加高壓時（降功率）有700V簾柵壓加至電子管，不受九單元控制，使簾柵先上。正常順序：（風― 水――燈絲――柵級――屏級――簾柵級）瞬間電流很大，引起簾柵過荷。另外，簾柵電源有兩塊模塊組成，判斷故障時，甩開其中一塊模塊輸入端的三個保險，降功率加高壓看簾柵壓有沒有，如果有
說明另一塊模塊損壞。如果沒有，說明此模塊損壞。
（4）故障處理
更換功率模塊。
