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光電子器件范文1
論文摘要：納米光電子技術是一門新興的技術，近年來越來越受到世界各國的重視，而隨著該技術產生的納米光電子器件更是成為了人們關注的焦點。主要介紹了納米光電子器件的發展現狀。
1納米導線激光器
2001年，美國加利福尼亞大學伯克利分校的研究人員在只及人的頭發絲千分之一的納米光導線上制造出世界最小的激光器-納米激光器。這種激光器不僅能發射紫外激光，經過調整后還能發射從藍色到深紫外的激光。研究人員使用一種稱為取向附生的標準技術，用純氧化鋅晶體制造了這種激光器。他們先是"培養"納米導線，即在金層上形成直徑為20nm～150nm，長度為10000nm的純氧化鋅導線。然后，當研究人員在溫室下用另一種激光將納米導線中的純氧化鋅晶體激活時，純氧化鋅晶體會發射波長只有17nm的激光。這種納米激光器最終有可能被用于鑒別化學物質，提高計算機磁盤和光子計算機的信息存儲量。
2紫外納米激光器
繼微型激光器、微碟激光器、微環激光器、量子雪崩激光器問世后，美國加利福尼亞伯克利大學的化學家楊佩東及其同事制成了室溫納米激光器。這種氧化鋅納米激光器在光激勵下能發射線寬小于0.3nm、波長為385nm的激光，被認為是世界上最小的激光器，也是采用納米技術制造的首批實際器件之一。在開發的初始階段，研究人員就預言這種ZnO納米激光器容易制作、亮度高、體積小，性能等同甚至優于GaN藍光激光器。由于能制作高密度納米線陣列，所以，ZnO納米激光器可以進入許多今天的GaAs器件不可能涉及的應用領域。為了生長這種激光器，ZnO納米線要用催化外延晶體生長的氣相輸運法合成。首先，在藍寶石襯底上涂敷一層1 nm~3.5nm厚的金膜，然后把它放到一個氧化鋁舟上，將材料和襯底在氨氣流中加熱到880℃~905℃，產生Zn蒸汽，再將Zn蒸汽輸運到襯底上，在2min~10min的生長過程內生成截面積為六邊形的2μm~10μm的納米線。研究人員發現，ZnO納米線形成天然的激光腔，其直徑為20nm~150nm，其大部分（95％）直徑在70nm~100nm。為了研究納米線的受激發射，研究人員用Nd:YAG激光器（266nm波長，3ns脈寬）的四次諧波輸出在溫室下對樣品進行光泵浦。在發射光譜演變期間，光隨泵浦功率的增大而激射，當激射超過ZnO納米線的閾值（約為40kW／cm）時，發射光譜中會出現最高點，這些最高點的線寬小于0.3nm，比閾值以下自發射頂點的線寬小1/50以上。這些窄的線寬及發射強度的迅速提高使研究人員得出結論：受激發射的確發生在這些納米線中。因此，這種納米線陣列可以作為天然的諧振腔，進而成為理想的微型激光光源。研究人員相信，這種短波長納米激光器可應用在光計算、信息存儲和納米分析儀等領域中。
3量子阱激光器
2010年前后，蝕刻在半導體片上的線路寬度將達到100nm以下，在電路中移動的將只有少數幾個電子，一個電子的增加和減少都會給電路的運行造成很大影響。為了解決這一問題，量子阱激光器就誕生了。在量子力學中，把能夠對電子的運動產生約束并使其量子化的勢場稱之成為量子阱。而利用這種量子約束在半導體激光器的有源層中形成量子能級，使能級之間的電子躍遷支配激光器的受激輻射，這就是量子阱激光器。目前，量子阱激光器有兩種類型：量子線激光器和量子點激光器。
3.1 量子線激光器
近日，科學家研制出功率比傳統激光器大1000倍的量子線激光器，從而向創造速度更快的計算機和通信設備邁進了一大步。這種激光器可以提高音頻、視頻、因特網及其他采用光纖網絡的通信方式的速度，它是由來自耶魯大學、位于新澤西洲的朗訊科技公司貝爾實驗室及德國德累斯頓馬克斯·普朗克物理研究所的科學家們共同研制的。這些較高功率的激光器會減少對昂貴的中繼器的要求，因為這些中繼器在通信線路中每隔80km（50mile）安裝一個，再次產生激光脈沖，脈沖在光纖中傳播時強度會減弱（中繼器）。
3.2 量子點激光器
由直徑小于20nm的一堆物質構成或者相當于60個硅原子排成一串的長度的量子點，可以控制非常小的電子群的運動而不與量子效應沖突?？茖W家們希望用量子點代替量子線獲得更大的收獲，但是，研究人員已制成的量子點激光器卻不盡人意。原因是多方面的，包括制造一些大小幾乎完全相同的電子群有困難。大多數量子裝置要在極低的溫度條件下工作，甚至微小的熱量也會使電子變得難以控制，并且陷入量子效應的困境。但是，通過改變材料使量子點能夠更牢地約束電子，日本電子技術實驗室的松本和斯坦福大學的詹姆斯和哈里斯等少數幾位工程師最近已制成可在室溫下工作的單電子晶體管。但很多問題仍有待解決，開關速度不高，偶然的電能容易使單個電子脫離預定的路線。因此，大多數科學家正在努力研制全新的方法，而不是仿照目前的計算機設計量子裝置。
4 微腔激光器
微腔激光器是當代半導體研究領域的熱點之一，它采用了現代超精細加工技術和超薄材料加工技術，具有高集成度、低噪聲的特點，其功耗低的特點尤為顯著，100萬個激光器同時工作，功耗只有5W。 轉貼于
該激光器主要的類型就是微碟激光器，即一種形如碟型的微腔激光器，最早由貝爾實驗室開發成功。其內部為采用先進的蝕刻工藝蝕刻出的直徑只有幾微米、厚度只有100nm的極薄的微型園碟，園碟的周圍是空氣，下面靠一個微小的底座支撐。由于半導體和空氣的折射率相差很大，微碟內產生的光在此結構內發射，直到所產生的光波積累足夠多的能量后沿著它的邊緣折射，這種激光器的工作效率很高、能量閾值很低，工作時只需大約100μA的電流。
長春光學精密機械學院高功率半導體激光國家重點實驗室和中國科學院北京半導體研究所從經典量子電動力學理論出發研究了微碟激光器的工作原理，采用光刻、反應離子刻蝕和選擇化學腐蝕等微細加工技術制備出直徑為9.5μm、低溫光抽運InGaAs／InGaAsP多量子阱碟狀微腔激光器。它在光通訊、光互聯和光信息處理等方面有著很好的應用前景，可用作信息高速公路中最理想的光源。
微腔光子技術，如微腔探測器、微腔諧振器、微腔光晶體管、微腔放大器及其集成技術研究的突破，可使超大規模集成光子回路成為現實。因此，包括美國在內的一些發達國家都在微腔激光器的研究方面投人大量的人力和物力。長春光機與物理所的科技人員打破常規，用光刻方法實現了碟型微腔激光器件的圖形轉移，用濕法及干法刻蝕技術制作出碟型微腔結構，在國內首次研制出直徑分別為8μm、4.5μm和2μm的光泵浦InGaAs／InGaAsP微碟激光器。其中，2μm直徑的微碟激光器在77K溫度下的激射闊值功率為5μW，是目前國際上報道中的最好水平。此外，他們還在國內首次研制出激射波長為1.55μm，激射閾值電流為2.3mA，在77K下激射直徑為10μm的電泵浦InGaAs／InGaAsP微碟激光器以及國際上首個帶有引出電極結構的電泵浦微柱激光器。值得一提的是，這種微碟激光器具有高集成度、低閾值、低功耗、低噪聲、極高的響應、可動態模式工作等優點，在光通信、光互連、光信息處理等方面的應用前景廣闊，可用于大規模光子器件集成光路，并可與光纖通信網絡和大規模、超大規模集成電路匹配，組成光電子信息集成網絡，是當代信息高速公路技術中最理想的光源；同時，可以和其他光電子元件實現單元集成，用于邏輯運算、光網絡中的光互連等。
光電子器件范文2
摘要：用YAG 激光束照射硅樣品表面形成小孔，在孔內的側壁上出現較規則的網孔狀結構；用拉曼熒光光譜儀檢測該結構有很強的光致熒光，其強度比樣品的瑞利散射強，加工時間不同其強度有明顯的差異，當激光輻照時間為9s時，孔洞側壁上的網孔狀結構較穩定，且有較強的光致熒光，本文解釋了PL峰較強的形成機理，認為氧化程度（主要是Si=O雙鍵的數目）在其中起重要作用。在無氧化的環境里用激光加工出的硅樣品幾乎無發光，這證實了氧確實在光致熒光增強上起著重要作用。用冷等離子體波模型來解釋孔側壁網孔狀結構形成的機理，并用量子受限-發光中心模型來解釋納米網孔壁結構的強熒光效應。
關鍵詞：激光輻照 納米結構 局域態 氧化
1 引言
單晶硅是現代半導體器件和大規模集成電路的支柱。然而，硅的禁帶寬度(約為1.12eV)窄小，又是間接帶隙，這就限制了硅基材料在光電子器件中的應用。自從1990年Canham 發現多孔硅室溫下強光致發光現象以來，許多專家學者用不同的方法形成硅基上的低維結構來模仿多孔硅的發光，并成功獲得多孔硅穩定、肉眼可見的藍光發射[2]，這一發現為多孔硅的全硅光電子集成帶來了希望。在應用方面，人們已初步研制出多孔硅發光二極管、多孔硅光電探測器等。但對納米硅基材料發光機理卻眾說紛紜，出現了各種各樣的物理模型，各有優缺點?？傮w上看，目前主要存在以下五種發光機理解釋模型：(1)量子限制發光模型；(2)界面層中的激子效應發光模型；(3)與氧有關的缺陷發光模型；(4)量子限制效應―發光中心發光模型；(5)直接躍遷發光模型。
目前,迫切需要解決的問題是在硅樣品上生成穩定的低維結構并有較強且穩定的PL 發光。 最近的研究表明:無論是納米硅晶發光還是多孔硅發光，其發光機理都與氧化硅層相關, 即所謂的納米硅晶的光泵作用與氧化硅層發光中心的亞穩態激射。傳統的生成納米硅晶和氧化硅層二體系統結構的方法有:經高溫退火在富硅氧化層中形成硅原子團簇，或用濺射法將硅離子注入氧化層， 但其加工質量和穩定性都不理想。我們認為：用激光輻照手段生成納米硅晶和氧化硅層二體結構應該是最有希望的方法, 包括:在氧化層中用激光誘導硅離子游離與凝聚、用激光輻照生成低維結構并使其表面氧化等。
本文選擇用激光輻照的方法在單晶硅樣品上加工出具有較強的、穩定的PL 發光特性的氧化低維結構, 采取對樣品加工不同的時間來控制氧化程度和在不同的環境中來加工樣品, 并從物理層面上研究氧化低維結構的行成機理, 分析激光與硅材料的相互作用過程，建立激光誘導的冷等離子體波作用模型，從而指導激光加工的優化過程。參照QCLC 模型[3],建立量子受限-晶體與氧化物界面態綜合模型來解釋PL 發光的增強效應，并設法從低維納米晶體量子受限態與氧化硅界面態的相對位置來構造PL 發光增強效應的閾值分布結構。
2 實驗
樣品采用(100)取向的10 - 20Ωcm 的P型硅晶片。先對樣品作預處理：用酒精清洗其表面，用氫氟酸溶液（NH4F（質量分數49%）與HF 以10:1的體積比混合）清除樣品表面在大氣中生成的天然氧化物，再用去離子水浸泡30s。吹干后，用YAG脈沖激光(波長: 1064nm；脈沖寬度約8ns，束斑直徑0.045mm)照射樣品。激光束強度大約5 x 108 W cm-2 ,照射斑點直徑大約30μm。將單晶硅樣品直接放在空氣中進行不同時間的激光輻照加工：加工時間分別為1s、5s、8s、9s、10s；將單晶硅樣品浸入酒精、氫氟酸和水中進行激光輻照加工。這樣，將激光與硅樣品的作用過程和檢測過程均隔離于無氧化的環境中。先在514nm的激發光作用下,分析樣品的PL光譜；用電子掃描探針（EPMA―1600型，日本島津公司制造）的二次電子和背散射電子成像技術觀察與分析樣品的表面形貌結構。
3 分析與討論
當脈沖激光照射在硅樣品上，形成一種網孔結構，如圖1 ( a)所示。該結構來自激光與半導體樣品相互作用產生等離子體波[4]，在孔洞中形成諧頻駐波，我們用該模型來解釋洞壁上的網狀低維結構的形成機理。其形成機理為：高強度的連續激光照射在硅材料上，激發出的電子-空穴對構成等離子體系統，其局部的遷移形成內部的電場和磁場。在內部的電磁場作用下，電子-空穴對等離子體產生振蕩形成等離子體波，其頻率為[5]：ω = e ( n /mε)
該等離子體振蕩頻率正比于載荷子密度n 的平方根，而載荷子密度n 又正比于激光脈沖的輻照能量。控制激光加工的功率和時間等參量，使等離子體波的波長對于孔洞線徑尺寸滿足諧振條件，在孔洞中便有等離子體波的諧頻駐波產生，該駐波在孔洞側面上形成的駐波節線構筑起網孔狀結構的納米尺度孔壁(量子線) ，該結構有很強的PL 發光效應。由上述可知，控制激光照射到樣品上的能量是形成該結構的關鍵。在優化激光加工條件時要考慮的另一因素是氧化程度隨著激光輻照時間和輻照能量等的變化。上述的低維結構表面都有一層氧化硅包裹，在這層氧化硅中鑲嵌有納米硅晶體團簇，氧化硅層的厚度會影響納晶團簇的尺寸。
將1s、5s、8s、9s, 10s的加工樣品做比較,發現9s時,其706nm處的PL峰強度最大,如圖1（b）所示。隨著加工時間的改變，其PL峰仍在706nm附近，沒有發現移動，不能用量子受限效應來預測發光峰，這就說明該峰與納晶硅尺寸沒有關系。該峰的光子能量為1.756eV，遠大于純硅的禁帶寬度1.12eV。而Si=O雙鍵的形成所需的能量較小且不需要太多的原子，所以我們認為此發散來自納晶硅表面的Si=O雙鍵陷阱態，其電子―空穴對的復合能量比納晶硅的禁帶寬帶要小。它不受納晶硅尺寸空間量子效應的限制，同時納晶硅表面的低值氧化物也具有相同的能量，能俘獲電子而發光。該過程可以描述為：電子從價帶頂被激發到展寬了的導帶底，然后迅速遂穿到納晶硅表面的氧化界面態，由于該能態電子具有較長的壽命，從而形成粒子數反轉，躍遷到價帶頂形成受激輻射。激光的輻照有兩方面的作用：其一是誘導在納米尺度的氧化層中生成越來越多的硅納米團簇，激光輻照時間變長和能量的增加會促進該過程的進行；其二是氧化硅層的厚度隨著激光輻照時間和能量的增加而增加，其中鑲嵌的納晶團簇的尺寸也跟隨變大，從而影響PL發光的強度。隨著加工時間的增加，氧的含量增加，在開始的時候Si=O的數目增加或低值氧化物增加，形成較多的氧化界面態，這些氧化界面態能更有效的俘獲電子形成較多的發光中心，這樣發光強度就隨著加工時間的增加而增強，該過程對應實驗中時間從1s增加到9s的過程；隨著加工時間的繼續延長，氧化程度進一步加深，Si=O雙鍵的數目繼續增多，表面氧化層增厚，硅納米顆粒減少甚至被徹底氧化，電子的遂穿變得困難同時電子的非輻射躍遷增強，導致PL強度變弱，該過程對應實驗中的加工時間大于9s時的過程。所以加工時間存在一個最佳的時間9s，這就為硅基的低維結構發光提供一個依據，控制加工時間，達到控制氧化程度（主要控制Si=O數目）的目的，從而得到較強的PL發光，這對硅基的全光集成具有重要的意義。
為了進一步證明氧化界面態在其中的重要作用，我們設計了下面的對照實驗。將單晶硅樣品浸入酒精、氫氟酸和水中進行激光輻照加工。這樣，將激光與硅樣品的作用過程和檢測過程均隔離于無氧化的環境中。將浸入酒精、氫氟酸和水中激光加工的樣品處于浸泡狀態檢查PL 發光的比較，如圖2所示。浸入酒精（ethanol）和氫氟酸（HF）中用激光加工的硅樣品表面基本沒有氧化，故幾乎沒有PL 發光，而水中有于有氧離子的存在，有微弱的發光，這就進一步證明了氧在其中的重要作用。
激光輻照加工樣品PL光譜的比較
我們建立量子受限―晶體與氧化物界面態綜合模型來解釋PL 發光的增強效應,該模型參照了QCLC 模型，模型認為低維納米結構由于量子受限效應展寬納晶硅的禁帶寬度，只要這種低維納米結構對應的量子受限能隙寬度大于氧化界面態的能隙寬度，如圖3(a) 所示，受限躍遷的電子便能被氧化界面態俘獲，就可能實現受激輻射，從而有較強的PL 發光，這種氧化硅界面態形成的亞穩態分布與低維納晶受限態分布的相對位置結構便構造了受激發光的閾值區間；而當低維納米結構的尺寸變化，其對應的量子受限能隙寬度小于氧化界面態的能隙寬度時，躍遷的電子不能跳到氧化界面的亞穩態上，如圖3 ( b) 所示,只能發生較弱的自發輻射。
我們認為，無論氧化納晶的尺度大小,只要滿足圖3(a)的條件,既展寬的能隙中出現陷阱態，就有PL 發光增強效應出現，并伴隨頻率釘扎現象。不同的晶體與氧化物界面態，有不同能隙，故出現不同的PL譜。用該模型能夠解釋本文實驗的結果。 納晶硅表面形成氧化硅層，由于量子受限作用展寬了納晶硅能隙，氧化界面態出現在展寬的能隙中，當電子被激發到導帶后，便很快弛豫到1.756eV附近的氧化界面態上，形成粒子數反轉，從而在706nm處形成增強的PL發光峰。
4 結果
我們用激光輻照來形成硅的網狀結構,它的形成機制可以由激光打孔時的等離子體產生諧波駐波的理論來解釋?？刂萍す饧庸さ臅r間，可以在硅量子點表面形成一定數量的Si=O雙鍵，實驗發現當加工時間為9s時，具有較強的PL峰，能形成密度合適的Si=O雙鍵。并仔細分析了不同加工時間對PL強度的影響機理，認為氧化程度起重要作用。將單晶硅樣品浸入酒精、氫氟酸和水中進行激光輻照加工，浸入酒精和氫氟酸中用激光加工的硅樣品表面基本沒有氧化，故幾乎沒有PL 發光，而浸入水中被輕微氧化，有叫微弱的PL發光，這一結果證實了氧在PL發光中的重要作用。在納晶硅上,用量子受限效應和納晶硅與氧化硅之間的陷阱態效應可以解釋多孔氧化硅結構上的受激輻射機理。這為研發多孔硅激光器奠定了基礎。
參考文獻：
[1]Canham LT. App lied Physics Letters 1990,57,1046
[2]富笑男,李新建,賈瑜等.藍光發射多孔硅RTO過程中的尺寸分離效應.物理學報. 2000,49(6).1180-1184
[3]Qin G G,Liu X S,Ma S Y,et al.Photoluminescence mechanism forblu-light-emitting porous silicon.Phys Rev B,1997,55:12876
[4]HUANGWEIQ I,L IU SH IRONG.Self2assembled germanium nanostructures by laserassisted oxidation[J].Chin.Phys.2006,15(2).389 -393.
[5]黃偉其、吳克躍、許麗等.激光加工形成硅基上的氧化低維納米結構的PL 發光.半導體學報，2008，29（1）：116―122
光電子器件范文3
20世紀70年代以來,由于半導體激光器和光纖技術的重要突破，推動了以光纖傳感、光纖傳輸、光盤信息存儲與顯示、光計算以及光信息處理等技術的蓬勃發展，從深度和廣度上促進了光學和電子學及其他相應學科(數學、物理、材料等)之間的相互滲透，形成了一個邊緣的研究領域。光電子學一經出現就引起了人們的廣泛關注，反過來又進一步促進了光電子學及光電子技術的發展。光電子技術包括光的產生、傳輸、調制、放大、頻率轉換和檢測以及光信息存儲和處理等。因此，可以這么說，現代信息技術的支撐學科是微電子學和光學，光電子學則是由電子學和光學交叉形成的新興學科，對信息技術的發展起著至關重要的作用。光電子技術是光頻段的電子技術，是電子技術與光學技術相結合的產物，光電子技術是光電信息產業的支柱與基礎，涉及光電子學、光學、電子學、計算機技術等前沿學科理論，是多學科相互滲透、相互交叉而形成的高新技術學科，其技術廣泛應用于光電探測、光通信、光存儲、光顯示、光處理等高新技術光電信息產業。同時，隨著生物醫學、生命科學等新興學科的發展，其中的信息獲取手段對光電子技術的依賴程度越來越高，加快了這些學科之間的交叉融合，從而誕生了很多邊緣學科，比如生物光子學、光醫學等。綜上所述，可見光電子技術在現代信息產業技術中的重要地位，因此，光電子技術這門課程不僅是光學工程專業的基礎必修課程，也應該作為電子信息工程專業的專業選修課程來開設。
電子信息工程專業的光電子技術課程的基礎理論知識包括：光度學基本知識、光輻射傳播、光束調制與解調、光輻射探測技術等。其中，光度學基本知識是最基礎的內容，包括：電磁波波譜、輻射度學、光度學、熱輻射基本定律、激光原理、典型激光器等。光輻射傳播包括：光輻射的電磁理論、光波在大氣中的傳播規律與特性、光波在電光晶體中的傳播規律與特性、光波在聲光晶體中的傳播規律與特性、光波在磁光晶體中的傳播規律與特性、光波在光纖波導中的傳播規律與特性、光波在水中的傳播特性、光波在非線性介質中的傳播等。光度學基本知識和光輻射傳播這兩個基礎內容可以說是光電子技術課程基礎中的基礎，而對于電子信息工程專業的學生來說，這些知識點比較抽象，為了便于該專業學生對光電知識的接受和激發他們的興趣，因此，在課堂上有必要多花時間重點講解這部分的知識點，同時在制作PPT教案時盡可能使用圖片或動畫描述一些原理性的知識。
比如：在講解激光是如何產生的時候，可制作動畫描述自發輻射、受激吸收、受激輻射的原理；在講解激光器的結構和工作原理時，可制作多色圖片對激光在各種光學諧振腔中的受激放大過程進行描述；在介紹各種典型的激光器時，最好收集到它們的實物照片進行講解；在講解光波在各種光學晶體中的傳播特性與規律時，最好能制作三維立體的圖片描述光學晶體的各向異性的特性，相應的公式表達盡量簡潔化，然后結合動畫描述光波在其中傳播時所發生的變化。光束的調制、掃描和解調技術的理論教學內容包括：光束調制的基本原理、電光調制技術、聲光調制技術、磁光調制技術、直接調制技術、光束機械掃描技術、光束電光掃描技術、光束聲光掃描技術、空間光調制器等。這些知識點的理論基礎都是“光輻射在光學晶體中的傳播規律和特性”。其中光束調制的基本原理移植了微電子學中微波調制中的很多概念，電子信息工程專業的學生易于理解，但是光束調制和掃描的實現技術中，除了需要使用各種光學晶體以外，還需要使用半波片、全波片、起偏器、檢偏器共同組成一個系統完成光束的調制和掃描。這些光學器件對于沒有光學工程基礎的電子信息工程專業的學生來說比較陌生，因此，在講解過程中應該通過動畫或圖片等手段形象地描繪線偏振光、橢圓偏振光、圓偏振光等基本光學概念，并借用相關的光學參考資料對這些光學器件的功能和原理進行簡單介紹。
只有這樣，才有利于電子信息工程專業的學生深刻理解光束的調制、掃描、解調等技術。光輻射探測技術的理論教學內容主要包括：光電探測的物理效應、光電探測器的性能參數、光電探測器的噪聲、光電導探測器—光敏電阻、PN結光伏探測器的工作模式、硅光探測器、光電二極管、光熱探測器、直接光電探測系統、光頻外差探測的基本原理等。由于電子信息工程專業的學生已經具備了較好的半導體器件理論基礎知識，而光電子器件本身也屬于半導體器件，因此學生只要掌握了愛因斯坦的光電效應原理，就很容易理解各種光電子器件的工作原理、性能特點及應用領域。該部分所介紹的各種光電半導體器件很可能會在學生將來從事信息產業技術的相關工作中用到，也可能會在將來某些學生跨到光電信息或光學工程相關專業進一步深造時從事相關科研課題研究時用到，比如：PN結光伏探測器、光敏電阻、光電二極管、光電三極管等，都會經常用到。因此，建議在理論教學過程中，除了結合圖片等多媒體教學手段介紹相關光電子器件的工作原理外，最好能夠給學生展示光電子器件的實物，以便給學生一些感官認識。電子信息工程專業光電子技術課程的系統方面的知識點包括：光電成像系統、光電顯示系統等。
其中，光電成像系統的基本器件是電荷耦合攝像器件(CCD)，CMOS攝像器件和電荷注入器件(CID)。目前，CCD攝像器件的應用最為成熟和廣泛，主要包括線陣CCD和面陣CCD等，其原理基礎仍然是光電半導體器件和兩相或三相電極電路的結合。因此，教學中應結合脈沖數字電路知識重點講解CCD的原理和特點。光電成像系統的內容包括：系統基本結構、基本參數、紅外成像系統、紅外成像中的信號處理及綜合特性等。其中紅外成像系統涉及很多應用光學方面的知識，這對沒有應用光學基礎知識的電子信息工程專業的學生來說比較陌生，而且屬于光學工程專業學生的研究方向之一，因此，這部分內容簡單介紹即可。而紅外成像中的信號處理都涉及電子電路方面的知識，屬于電子信息工程專業的范疇，這部分內容可以重點講解。光電顯示系統包括陰極射線管原理、液晶顯示原理、等離子體顯示原理、電致發光顯示原理及多色激光顯示原理等，其中前三類顯示技術的應用已很廣泛和成熟，可以重點講解，而后兩類顯示技術比較前沿，可以簡單介紹，以便讓電子信息工程專業的學生了解當今光電顯示技術的發展趨勢。電子信息工程專業光電子技術課程應用方面的內容包括：光纖通信、激光雷達、激光制導、紅外遙感、紅外跟蹤制導、光纖傳感技術等。這些應用技術可以分別舉一個相應的實際應用系統進行介紹，讓學生體會到光電子技術的重要性和廣泛性，激發他們對這門技術的興趣。#p#分頁標題#e#
對于電子信息工程本科專業而言，畢竟培養的學生不屬于光學工程或光電子技術領域的人才，而且電子信息工程專業已有很多屬于本專業的實驗課程及課程設計，筆者認為光電子技術課程的實驗教學應根據該專業學生的理論基礎和將來他們最可能需要的工程能力而設置。在該課程中，各種光電子器件和原理、功能及應用最易于電子信息工程專業的學生理解，而且也是電子信息工程師應該具備的基本知識，因此，筆者建議開設一些光電子器件的相關實驗課。由于光電子技術課程的總學時設置為48學時，所以建議理論教學為40學時，8學時為實驗教學(共4個實驗)。
光電子器件范文4
關鍵詞：光纖通信技術應用發展
光纖通信是利用光作為信息載體、以光纖作為傳輸媒介的通信方式。具有頻帶極寬，通信容量大；損耗低，中繼距離長；抗電磁干擾能力強；無串音干擾，保密性好；體積小重量輕，易于敷設；原材料資源豐富，可節約金屬材料，成本低等獨特優點，決定了它在通信技術里的主導地位。但任何一種技術體系都必須不斷的發展，來滿足用戶不斷的需求，光纖通信技術也不例外。有人認為：光纖通信的傳輸能力已經達到10Tbps，幾乎用不完，而且現在大干線已經建設得差不多，埋地的剩余光纖還很多，光纖通信技術不需要更多的發展，但我認為它還具有很大的發展空間，會有很大的需求和市場。主要體現在：單纖雙向傳輸技術、 光纖到戶（FTTH）接入技術、骨干節點的光交換技術和研發集成光電子器件等方面。
1單纖雙向傳輸技術
單纖雙向傳輸技術是相對于雙纖雙向傳輸來講的，雙纖傳輸時，收發信號分別在不同的兩根光纖里傳輸，而單纖傳輸時，收發信號被調制在不同的波段后在同一根光纖里傳輸。以前為了節約光纖資源，我們不斷在光纖傳輸容量上下工夫，從PDH的8M，34M，140M 到 SDH 的 155M，622M，2.5G，10G 再到 WDM 的320G，1600G等，光纖的傳輸容量不斷增大，從理論上講光纖的傳輸容量是無限的，但受到設備器件的限制，傳輸容量大大降低，達不到理論效果。目前光纖通信傳送網都是通過雙纖雙向傳輸的，假如改用單纖雙向傳輸技術就可以節約一半的光纖資源。對于現存的無數個龐大的光纖通信傳送網來說，可以節約的光纖資源是可想而知的。研發出成熟的單纖雙向傳輸技術具有劃時代意義。目前單纖雙向傳輸技術已有實用，但主要用在光纖末端接入設備：PON無源光網絡、單纖光收發器等設備，骨干傳送網上暫時還沒有用到這個技術。從這個方面來講，這也是光纖通信技術發展的一個方向。
2光纖到戶（FTTH）接入技術
根據社會發展形勢，HDTV高清數字電視是將來的主流業務，怎么實現，就要靠帶寬豐富的FTTH技術。FTTH是一種全透明全光纖的光接入網，適用于引進新業務，對傳輸制式、帶寬和波長等基本上沒有限制，并且ONU安裝在用戶處，供電、維護、升級更新都比較方便?？梢哉J為HDTV是FTTH的主要推動力，即HDTV業務到來時，非FTTH不可。而且在FTTH建成后可以逐步實現三網合一，即寬帶上網接入、有線電視接入和傳統固定電話接入。
FTTH的解決方案通常有P2P點對點或點對多點和PON無源光網絡兩大類。
P2P方案――優點：各用戶獨立傳輸，互不影響，體制變動靈活；可以采用廉價的低速光電子模塊；傳輸距離長。缺點：為了減少用戶直接到局的光纖和管道，需要在用戶區安置一個匯總用戶的有源節點。
PON方案――優點：無源網絡維護簡單；原則上可以節省光電子器件和光纖。缺點：需要采用昂貴的高速光電子模塊；需要采用區分用戶距離不同的電子模塊，以避免各用戶上行信號互相沖突；傳輸距離受PON分比而縮短；各用戶的下行帶寬互相占用，如果用戶帶寬得不到保證時，不單是要網絡擴容，還需要更換PON和更換用戶模塊來解決。PON有多種，一般有如下幾種：(1)APON：即ATM-PON，適合ATM交換網絡。(2)BPON：即寬帶的PON。(3) OPON：采用通用幀處理的OFP-PON。(4)EPON：采用以太網技術的PON，GEPON是千兆畢以太網的PON。(5)WDM-PON：采用波分復用來區分用戶的PON，由于用戶與波長有關，使維護不便，在FTTH中很少采用。
值得一提的是，近來，無線接入技術發展迅速?？捎米鱓LAN的IEEE802.11協議，傳輸帶寬可達54Mbps，覆蓋范圍達100米以上，目前已商用。如果采用無線接入WLAN作用戶的數據傳輸，包括：上下行數據和點播電視VOD的上行數據，對于一般用戶其上行不大，IEEE802.11是可以滿足的。而采用光纖的FTTH主要是解決HDTV寬帶視頻的下行傳輸，當然在需要時也可包含一些下行數據。這就形成“光纖到戶+無線接入”(FTTH+無線接入)的家庭網絡。這種家庭網絡，如果采用PON，就特別簡單，因為此PON無上行信號，就不需要測距的電子模塊，成本大大降低，維護簡單。如果，所屬PON的用戶群體，被無線城域網覆蓋而可利用，那么可不必建設專用的WLAN，只需靠密布于用戶臨近的光纖網來支撐就可實現，與FTTH相差無幾。FTTH+無線接入也是未來的發展方向。
3骨干節點的光交換技術
光交換實際上可表示為：光纖通信傳輸+交換。
光纖只是解決傳輸問題，還需要解決光信號交換問題。過去，通信網都是由金屬線纜構成的，傳輸的是電子信號，交換是采用電子交換機?，F在，通信網除了用戶末端一小段外，都是光纖，傳輸的是光信號，而交換的還是電信號。真正合理的方法應該采用光交換的。但目前，由于光開關器件不成熟，只能采用的是 “光―電―光“方式來解決光網的交換，即把光信號變成電信號，待電子交換后，再變換成光信號。顯然這是不合理的辦法，效率不高且不經濟?，F在正在開發大容量的光開關器件，用來實現光交換網絡，具有代表性的是ASON-自動交換光網絡。
通常在光網絡里傳輸的信息，一般速度都是高速的，電子開關不能勝任，只能在低次群中實現電子交換。而光交換可實現高速信號的交換。當然，也不是說，一切都要用光交換，特別是低速，顆粒小的信號的交換，應采用成熟的電子交換技術，沒有必要采用不成熟的大容量的光交換技術。當前，在數據網中，信號以 “包”的形式出現，采用所謂“包交換”。包的顆粒比較小，可采用電子交換。然而，在一些骨干節點，它們承擔的是業務匯聚任務，信號速率高，應該考慮采用容量大的光交換。
目前，少通道大容量的光交換已有實用。如用于保護、下路和小量通路調度等，一般采用機械光開關、熱光開關來實現。由于這些光開關的體積、功耗和集成度的限制，通路數一般在8―16個。
電子交換一般有“空分” 和“時分”方式，在光交換中有“空分”“時分”和“波長交換”方式。光纖通信很少采用光時分交換。
光空分交換：采用光開關把光信號從某一光纖轉到另一光纖?？辗值墓忾_關有機械的、半導體的和熱光開關等。近來，采用集成技術，開發出MEM微電機光開關，其體積小到mm。已開發出1296x1296MEM光交換機(Lucent)，但屬于試驗性質的。
光波長交換：是對各交換對象賦于一個特定的波長。于是，發送某一特定波長就可與某特定對象進行通信。實現光波長交換的關鍵是需要開發實用化的可變波長的光源，光濾波器和集成的低功耗的可靠的光開關陣列等。現已開發出640x640半導體光開關+AWG的空分與波長相結合的交叉連接試驗系統(corning) 。采用光空分和光波分可構成非常靈活的光交換網。
技術成熟的自動交換的光網絡ASON，是光纖通信技術進一步發展的方向。
4研發集成光電子器件
如同電子器件那樣，光電子器件也要走向集成化。雖然不是所有的光電子器件都要集成，但會有相當的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在發展的PLC-平面光波導線路，如同一塊印刷電路板，可以把光電子器件，如DFB和DBR半導體激光器、量子阱半導體激光器、波長可調諧半導體激光器、波長可調諧光器、光開關器件、無源光器件、光邏輯器件等需要的器件組裝于其上，也可以直接集成為一個光電子器件。
日本NTT采用PLO技術研制出16x16熱光開關；1x128熱光開關陣列；用集成和混合集成工藝把32通路的AWG+可變光衰減器+光功率監測集成在一起；8波長每波速率為10Gbps的WDM的復用和去復用分別集成在一塊芯片上，尺寸僅15x7mm 。NTT采用以上集成器件構成32通路的OADM 其中有些已經商用。近幾年，集成光電子器件有比較大的改進。
我國的集成光電子器件也有一定進展。集成的小通道光開關和屬于PLO技術的AWG有所突破。但與發達國家尚有較大差距。如果我們不迎頭趕上，就會重復如同微電子落后的被動局面。要實現單纖雙向傳輸也好，FTTH也好，ASON也好，都需要有新的、體積小的、廉價的、集成化的光電子器件來支撐，集成光器件的研發成為光纖通信技術發展必不可少的環節。
5結束語
事實證明光纖通信技術不僅應用在通信的主干線路中，還可以應用在電力通信控制系統中進行監測、控制等，而且在軍事領域的用途也越來越廣泛。為了能在這些領域發揮出其更出色的作用，我們的光纖通信技術就要不斷的更新發展，研究出更經濟、更實用、更方便的光纖通信技術。
參考文獻：
光電子器件范文5
本文的主角――陜西師范大學材料科學與工程學院特聘教授胡鑒勇，是國內有機光電子材料研究領域的新生代杰出代表。以有機電致發光二極管（OLED）、有機場效應晶體管（OFET）和有機太陽能電池（OPV）為代表的有機光電子材料和器件是研究的熱點，胡鑒勇博士長期致力于應用于高性能有機光電子器件的新型有機/高分子半導體材料的開發和研究，在高效穩定的有機光電子材料的設計、合成、性能表征及其在有機光電子元器件的應用方面開展了大量創新性研究，取得了一系列原創性成果，逐漸成長為有機光電子材料領域的骨干力量。
勤奮鉆研，鑄就科研里程碑
早1995年大學畢業后，胡鑒勇在家鄉的一所中學擔任了9年的化學教師；2004年留學于日本佐賀大學獲得工學博士學位，隨后進入日本山形大學有機光電子研究中心，OLED研究世界權威科學家城戶淳二教授（Prof. Junji Kido）研究室進行博士后研究，并在日本世界級科研中心-日本理化學研究所RIKEN，跟隨著名有機半導體材料科學家龍宮和男教授（Prof. Kazuo Takimiya）從事特別研究員工作；2015年由陜西師范大學以海外高層次人才-陜西省“百人計劃”特聘教授身份引進到陜師大材料科學與工程學院工作。
“勤奮、刻苦、創新、突破”是胡鑒勇博士的特點，在日本求學工作期間，他參與過一項日本國家研發課題（高效有機電子器件研發），承擔過日本文部科學省、日本新能源和產業技術開發機構（NEDO）和日本科學技術振興機構（JST）資助的多項研究課題。
在有機深藍熒光材料的研究方面胡鑒勇博士貢獻卓著。高效率的深藍發光能最大限度地提高全彩顯示品質或照明的顯色指數，有效降低OLED顯示器的功耗，開發性能好的藍光材料，尤其是具有高的發光效率和CIE色度坐標Y值小于0.10的深藍光材料對于實現高性能的OLED器件意義重大，胡鑒勇博士設計合成了一類新的蒽類衍生物―基于雙蒽的D-A型深藍延遲熒光材料，通過對傳統的藍光始祖材料蒽分子進行一系列結構上的修飾，包括采取苯基為中心橋鏈和pi共軛阻隔基團，在其對位上分別引入以單蒽為核的電子供體單元（D）和電子受體單元（A），形成了具有獨特的雙蒽結構的D-A型材料分子，以該類材料為發光體，成功實現了滿足高清晰度電視（HDTV）藍光標準的高效率器件，對實現高性能OLED器件具有“里程碑”式的創新意義。該工作發表在材料領域國際頂尖期刊《先進功能材料》上（Adv. Funct. Mater. 2014， 24， 2064），并入選SCI高被引論文（top 1%）。
在空氣穩定的、高遷移率的雙極性有機半導體材料的研究方面胡鑒勇博士成績斐然。開發空氣穩定的、高遷移率的n型和雙極性有機半導體材料，是實現高性能OFET的前提。胡鑒勇博士和團隊成員一起合作開發了一種全新的電子受體單元―萘并二噻吩二酰亞胺（NDTI），以其為共聚電子受體中心的D-A型聚合物實現了空氣穩定的，高遷移率的n型和雙極性有機場效應晶體管，該成果發表在美國化學會上（J. Am. Chem. Soc. 2013， 135， 11445），并入選SCI高被引論文（top 1%）。以此為契機，胡鑒勇博士進一步基于NDTI發展了新型雙極性有機小分子材料，并實現了空氣穩定的、可溶液加工的、高遷移率的雙極性有機場效應晶體管和互補邏輯電路（J. Mater. Chem. C， 2015， 3， 4244； Chem. Mater. 2015， 27， 6418）。
在非富勒烯受體材料的研究方面胡鑒勇博士成效顯著。近些年來，以聚合物電子給體和富勒烯電子受體材料為活性層的本體異質結太陽能電池取得了巨大的進步，但由于富勒烯價格昂貴、吸收光譜和能級調制較為困難，開發高效的n型聚合物電子受體材料來替代富勒烯備受業界關注。胡鑒勇博士開發的基于NDTI的有機小分子和聚合物，作為非富勒烯受體材料，在全聚合物OPV器件中取得了較好的光電轉換效率（ACS Macro Lett. 2014， 3， 872）。
迄今為止，胡鑒勇博士以第一作者或通訊作者在Adv. Funct. Mater.； J. Am. Chem. Soc.； Chem. Commun.； Org. Lett.； J. Mater. Chem. C.； Chem. Eur. J.；和J. Org. Chem.等國際著名學術期刊上共發表SCI論文30余篇，受邀撰寫英文論著1章， 在國際學術會議上作講演報告20余次，多次受邀在國內著名大學和學會上做學術交流報告，申請日本專利多項，已授權2項。多年來作為一名有機光電子材料領域的科研人員，胡鑒勇博士兢兢業業、孜孜以求，以自己的實際行動為鑄就科研力量不斷添磚加瓦。
迎接挑戰，提升人生新高度
“十年彈指一揮間”，十年前為了提升人生高度，豐富人生閱歷，胡鑒勇博士以34歲的“高齡”選擇自費出國留學路，付出了常人難以想象的的艱辛和努力；十年后懷揣著拳拳赤子之心，胡鑒勇博士毅然謝絕多家日本和國內公司的誠意邀請，選擇了陜西師范大學作為自己事業發展的新平臺。
為了進一步提升有機光電子材料研究新高度，拓展以有機電致發光二極管（OLED）、有機場效應晶體管（OFET）和有機太陽能電池（OPV）為代表的有機光電子材料和器件在新型信息顯示、綠色節能固體照明和新能源等技術領域的應用前景，胡鑒勇博士爭取到了多項科研課題，在不到一年的時間里，成功打造了一個環境優美、設備一流的先進實驗室和一個小而精致的科研創新團隊，以期在OLED躋身最具發展前景的下一代顯示技術和固態照明技術產業化，OFET應用于有機傳感器、有源矩陣顯示、射頻標簽、電子紙等新興產業，OPV技術光電轉換效率實用化等領域大顯身手，開展更深入、更細致的高端研究工作。
光電子器件范文6
關鍵詞：微電子；二元光學器件；制作工藝
隨著二元光學技術的發展，二元光學器件已經廣泛用于光學傳感、光通信、光計算、數據存儲等諸多領域。這類器件主要用于像差校正和消色差，通常的方法是在球面折射鏡的一個面上刻蝕衍射圖案，實現折射和衍射混合消像差和較寬波段上的消色差。此外，二元光學器件能產生任意波面以實現許多特殊功能，從而具有重要的應用價值。
1.二元光學器件及其發展概述
二元光學是基于光波衍射理論發展起來的一個新興光學分支，是光學與微電子技術相互滲透、交叉而形成的前沿學科?；谟嬎銠C輔助設計和微米級加工技術制成的平面浮雕型二元光學器件具有重量輕、易復制、造價低等特點，并能實現傳統光學難以完成的微小、陣列、集成及任意波面變換等新功能，從而使光學工程與技術在諸如空間技術、激光加工、計算技術與信息處理、光纖通信及生物醫學等現代國防科技與工業的眾多領域中顯示出前所未有的重要作用及廣闊的應用前景。
隨著近代光學和光電子技術的迅速發展，光電子儀器及其元件都發生了深刻而巨大的變化。光學零件已經不僅僅是折射透鏡、棱鏡和反射鏡。諸如微透鏡陣列、全息透鏡、衍射光學元件和梯度折射率透鏡等新型光學元件也越來越多地應用在各種光電子儀器中，使光電子儀器及其零部件更加小型化、陣列化和集成化。微光學元件是制造小型光電子系統的關鍵元件，它具有體積小、質量輕、造價低等優點，并且能夠實現普通光學元件難以實現的微小、陣列、集成、成像和波面轉換等新功能。
2.二元光學器件的應用現狀
隨著二元光學技術的發展，二元光學元件已廣泛用于光學傳感、光通信、光計算、數據存儲、激光醫學、娛樂消費以及其他特殊的系統中。也許可以說，它的發展已經經歷了三代。第一代，人們采用二元光學技術來改進傳統的折射光學元件，以提高它們的常規性能，并實現普通光學元件無法實現的特殊功能。這類元件主 要用于相差校正和消色差。通常是在球面折射透鏡的一個面上刻蝕衍射圖案，實現折/衍復合消像差和較寬波段上的消色差。此外，二元光學元件能產生任意波面以實現許多特殊功能，而具有重要的應用價值。如材料加工和表面熱處理中的光束整形元件、光學并行處理系統中的光互連元件以及輻射聚焦器等。
目前，二元光學瞄準了多層或三維集成微光學，在成像和復雜的光互連中進行光束變換和控制。多層微光學能夠將光的變換、探測和處理集成在一體，構成一種多功能的集成化光電處理器，這一進展將使一種能按不同光強進行適應性調整、探測出目標的運動并自動確定目標在背景中的位置的圖像傳感器成為可能。這是一種焦平面預處理技術，它以二元光學元件提供靈活反饋和非線性預處理能力。探測器硅基片上的微透鏡陣列將入射信號光聚焦到陣列探測器的激活區，該基片的集成電路則利用會聚光激發砷化鎵銦二極管發光，其發射光波第二層平面石英基底兩面的衍射元件引導到第三層面硅基底的陣列探測器上，最終得到處理后的信號。這種多層焦平面預處理器的每一層之間則利用微光學陣列實現互連耦合，它為傳感器的微型化、集成化和智能化開辟了新的途徑。發展趨勢二元光學是建立在衍射理論、計算機輔助設計和微細加工技術基礎上的光學領域的前沿科學之一，超精細結構衍射元件的設計與加工是發展二元光學的關鍵技術。二元光學的發展不僅使光學系統的設計和加工工藝發生深刻的變革，而且其總體發展趨勢是未來微光學、微電子學和微機械的集成技術和高性能的集成系統
3.二元光學器件的制作工藝
3.1二元光學器件的制作原理
二元光學元件的設計問題十分類似于光學變換系統中的相位恢復問題：已知成像系統中入射場和輸出平面上光場分布，如何計算輸入平面上相位調制元件的相 位分布，使得它正確地調制入射波場，高精度地給出預期輸出圖樣，實現所需功能。近幾年來，隨著制作工藝水平的發展和衍射元件應用領域的擴展，二元光學元件 特征尺寸進一步縮小，其設計理論已逐漸從標量衍射理論向矢量衍射理論發展。通常情況下，當二元光學元件的衍射特征尺寸大于光波波長時，可以采用標量衍射理 論進行設計。計算全息就是利用光的標量衍射理論和傅里葉光學進行分析的，關于二元光學元件衍射效率與相位階數之間的數學表達式也是標量衍射理論的結果。在 此范圍內，可將二元光學元件的設計看作是一個逆衍射問題，即由給定的入射光場和所要求的出射光場求衍射屏的透過率函數。
二元光學元件的特征 尺寸為波長量級或亞波長量級，刻蝕深度也較大（達到幾個波長量級），標量衍射理論中的假設和近似便不再成立，此時，光波的偏振性質和不同偏振光之間的相互 作用對光的衍射結果起著重大作用，必須發展嚴格的矢量衍射理論及其設計方法。矢量衍射理論基于電磁場理論，須在適當的邊界條件上嚴格地求解麥克斯韋方程 組，已經發展幾種有關的設計理論，如積分法、微分法、模態法和耦合波法。前兩種方法雖然可以得到精確的結果，但是很難理解和實現，并需要復雜的數值計算； 比較起來，模態法和耦合波法的數學過程相對簡單些，實現也較容易
3.2二元光學器件的制作工藝
二元光學元件的基本制作工藝是超大規模集成電路中的微電子加工技術。但是，微電子加工屬薄膜圖形加工，主要需控制的是二維的薄膜圖形；而二元光學元件則是一種表面三維浮雕結構，需要同時控制平面圖形的精細尺寸和縱向深度，其加工難度更大。近幾年來，在VLSI加工技術、電子、離子刻蝕技術發展的推動 下，二元光學制作工藝方面取得的進展集中表現在：從二值化相位元件向多階相位元件、甚至連續分布相位元件發展；從掩模套刻技術向無掩模直寫技術發展。最早的二元光學制作工藝是用圖形發生器和VLSI技術制作二階相位型衍射光學元件。
隨著高分辨率掩模版制作技術的發展，掩模套刻、多次沉積薄膜的對中精度的提高，可以制作多階相位二元光學元件，大大提高了衍射效率。但是離散化的相位以及掩模的對準誤差，仍影響二元光學元件的制作精度和衍射效率的提高。由直寫技術的應用，省去掩模制作工序，直接利用激光和電子束在基底材料上寫入所需的二維或三維浮雕圖案。利用這種直寫技術，通過控制電子束在不同位置處的曝光量，或調制激光束強度，可以刻蝕多階相位乃至連續分布的表面浮雕結構。無掩模直寫技術較適于制作單件的二元或多階相位元件，或簡單的連續輪廓，而利用激光掩模和套刻制作更適合于復雜輪廓和成批生產。在掩模圖案的刻蝕技術中，主要采用高分辨率的反應離子刻蝕、薄膜沉積技術。其中離子束刻蝕的分辨率高達0.1μm，且圖案邊緣陡直準確，是一種較為理想的加工手段。
結束語：
隨著二元光學技術的發展，二元光學器件已經廣泛用于光學傳感、光通信、光計算、數據存儲等諸多領域。這種技術的應用使得很多領域得到了快速的發展，為社會的進步做出了很大貢獻?？傊覈陌l展要依靠科技的進步，所以國家還要進一步的發展科技，最終實現我國社會主義現代化建設的偉大宏愿。
參考文獻：
[1] 雷剛.數字光刻制作微光學器件的評價研究[D].南昌：南昌航空大學，2011
