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高電壓技術論文范文1
（1）利用高壓噴射法進行施工時
其主要是利用鉆機來進行鉆孔，當鉆機達到要求的深度時，則利用高壓泥漿泵的高壓射流來對周圍的土體結構進行破壞，同時再不斷的將鉆桿進行旋轉提升，并在此過程中利用特殊噴嘴來向周圍土體中高壓噴射固化漿液，使其漿液與土體達到有效的固化，從而形成一定性能和正式成立的固結體，增加土體的強度和穩定性。
（2）固結體形成什么樣的形狀
這是與噴射流的移動方向有緊密聯系的，因為在噴射過程中，通常會采用旋轉、定向和擺動三種噴射方式，這樣就會導致在旋噴情況下形成旋噴柱，這對于提高地基的抗剪強度，加固地基都具有良好的作用，而且可以對于地基土變形的情況有較好的改善作用，特別是當上部具有較大荷載時，具有良好的承載作用，不至于變形或是受到破壞。而利用定噴時固結體則會呈現壁狀，而擺噴則會形成厚度較大的扇狀，這對于地基的防滲作用都具有非常好的效果，可以有效的確保邊坡的穩定性，進一步改善地基土的水力條件。
2高壓噴射灌漿工藝
2.1原材料
在灌漿施工時，需要確保漿體達到良好的可泵性和保水性，所以通常都會在施工前對漿體進行必要的處理和養護，使其保持立方體的模型持續七天，然后還要對其進行抗壓力度檢查，確保其符合灌漿時對漿體的要求。同時在施工過程中，為了有效的避免漿體出現干縮的現象發生，則需要將矢量的膨化劑加入到漿液中，有效的改善漿體干縮情況的發生。
2.2定位技術
對噴灌位置的確定時需要利用定位技術進行，同時還要嚴格遵照施工圖紙，對施工中各種參數進行充分的考慮，利用定位技術找準防滲墻的位置，還要錯開固有的鋼筋位置，并做好標記，等一切工作準備就緒后，檢查后與符合標準要求，即可以進行鉆孔作業。
2.3鉆孔技術
在灌漿施工中，對鉆孔有一定的限制。首先，不管是直孔，還是孔壁，都應該有較高的筆直性和足夠的均勻度；其次，在施工中，需要有一個合理的程序，這就要求必須嚴格按照規范進行操作。例如灌漿流程要從前到后依次開展，需注意后一鉆孔作為前一鉆孔的檢查孔，應借助壓水實驗來檢查鉆孔的吸水量，如果吸水量符合規定，后續孔的灌漿工作便可省去。此外，在灌漿施工開始前，需要做一些清理工作，將鉆孔或裂隙中的巖粉徹底沖洗掉，以維持其干凈性。常用沖擊鉆進行鉆孔，按規定標準，鉆頭和鋼筋的直徑差應控制在5mm左右。
2.4插管
鉆完孔后，按照設計好的深度將注漿管及時插入地層，此環節通常和鉆孔是連在一起的，即每鉆完一個孔，就須將噴射管插入，輸送壓縮空氣，接著將漿泵打開，持續30s送漿，然后將鉆桿拔出。插管時為避免噴射管的噴嘴被泥沙堵塞，可將插管和射水工作同時進行，如果壓力過大，可能會出現射塌孔壁的情況，因此，水的壓力盡量保持在1MPa以內。
2.5噴漿
噴漿要遵循自下而上的順序，且需要結合土質、地下水等因素綜合考慮，對噴漿的流量、壓力及提升速度進行適當調整。有時需進行二次噴射，即在上次噴射形成的漿土混合物上進行噴射，噴射流遇到的阻力比上次噴射要小，二次噴射有利于增加固體的直徑。噴漿完成后，對套筒、拉桿等進行清洗，以便下次使用。
2.6檢查
灌漿工作結束后，要做的就是檢查工作，必須對施工質量做一個嚴格且全面的檢查，而且大概要維持一個月左右。比如說檢驗灌漿區的鉆孔，就要做好壓水實驗，通過對巖心膠的觀察來確定其施工質量是否符合規定要求。
3水利工程高壓噴射灌漿施工中質量控制
3.1位置
首先必須按照指定的設計要求來布設防滲墻。那么，墻的厚度要和設計的要求一樣，子距一般為2.0m、有效半徑和擺角分別是1.8m和15°，另外，升速度一般為10cm/min。噴嘴型號為2mm，氣嘴7mm，水壓為29.4～34.3MPa，空氣壓735kPa。
3.2測壓管的四周必須要用黃沙來做漏層
規定管口為2英寸的PVC管，管底1.1m高為透水部分，外用400g/m2土工布包裹。
3.3在水泥的使用材料上必須要經過嚴格的質量控制
需要專業的人員進行現場取樣后特意地送往檢測部門在進行檢驗復試，那么，需要往水泥材料里添加外用劑的時候，也必須經過試驗后才能明確要摻進的量度。
3.4鉆孔在經過嚴格的檢驗之后才能進行孔內和縫面沖洗
將孔口敞開用風和水一次進行清洗，將風（水）管插入孔底，風（水）反復沖洗，直至回清水后即可結束。
3.5灌漿
由于裂縫兩邊的混凝土在灌漿壓力的作用之下會產生有害的變形，在進行灌漿施工時應布置好一起對裂縫進行監測，另外，在施工灌漿技術時的工序應保持先淺到深、一側向另外一側、右下至上來進行，另外，在灌漿施工結束的標準是單孔吸漿率趨于零之后，灌注20～30min，想要防止因為竄孔而破壞噴射注漿的固結體，就必須要分序進行噴射施工工藝。
4結束語
高電壓技術論文范文2
被加州大學洛杉磯分校研究小組稱為磁電隨機存儲器的這款內存極有可能成為未來幾乎所有電子產品的內存條，包括智能手機、平板電腦、計算機、微處理器，也可專門用于數據存儲，如計算機和大型數據中心的固態磁盤等。
磁電隨機存儲器優于現有技術的主要優點是它耗能極低，同時密度大、讀取和寫入速度快、不揮發，不用加電也可保存數據（這類似于硬盤驅動器和閃存條，但速度要快得多）。
當前，磁性內存的技術基礎是自旋轉移矩，利用了電子（自旋體）的電荷和磁特性，以電流移動電子，向內存寫入數據。盡管自旋轉移矩與其他內存技術相比有諸多優勢，但其電流寫入機制仍須消耗一定能量，即寫入數據時會產生一定熱量。其存儲能力受到數據物理距離的限制，即寫入信息所需電流的限制。這種低位能力拉高了比特成本，從而限制了自旋轉移矩技術的應用。
在磁電隨機存儲器中，加州大學洛杉磯分校的研究小組用電壓取代電流來寫入數據。這樣就無須用導線移動大量的電子，而只須利用電壓（電勢差）即可開關磁位，向內存寫入信息。這樣計算機內存產生的熱量就大為減少，節能效率提高10到1000倍。此外，內存密度可提高5倍，在同樣的物理空間內能存儲更多的位信息，從而降低了比特成本。
該研究負責人為加州大學洛杉磯分校電氣工程系教授王康，成員還有論文第一作者、電氣工程研究生胡安· G·阿爾扎泰以及加州大學洛杉磯分?！獓栏呒壯芯坑媱澥鸱菗]發邏輯項目經理、電氣工程助理研究員佩德拉姆·哈利利。
哈利利說：“以電壓控制納米級磁體的能力是磁學研究中令人興奮、快速增長的領域。這一工作為下列研究提供了新思考：如何以電壓脈沖控制開關方向，如何不用外部磁場就能確保設備正常工作，如何把它們整合成高密度存儲器陣列等。一旦做成商品，磁電隨機存儲器相對現行其他技術的優勢不僅表現在能量散失少上，還表現在能使磁阻隨機存儲器極為密實，這也很重要。由于成本低、性能高，磁電隨機存儲器可以挺進以前為成本和性能所困的新的應用領域?！?/p>
阿爾扎泰說：“最近首款自旋轉移矩—磁阻隨機存儲器（STT-RAM）商用芯片問世，它也為磁電隨機存儲器的推廣打開了大門，因為它們的設備原料和制造工藝十分相似，后者既可兼容STT-RAM當前的邏輯電流技術，又減緩了能量和密度的限制?！?/p>
名為《納米級磁穿隧接面的電壓開關控制》論文介紹了上述研究成果，在12月12日于舊金山召開的美國電氣和電子工程師協會國際電子設備2012年會上進行了宣讀，該年會是“半導體和電子設備領域突破性成果的杰出論壇”。
磁電隨機存儲器采用了稱為受電壓控制的磁絕緣體結點的納米級結構，數層摞在一起，其中有兩層是磁性材料，一層磁場方向固定，另一層可通過電場加以控制。特殊設計的設備對電場很敏感。當施加電場時，兩個磁層間就產生了電位差，即電壓。電壓可通過在各層表面聚積或消除電子，向內存寫入信息。
王康指出：“像這樣能量極低的自旋電子設備，其潛在應用不只限于存儲器產業。這些存儲器可集合邏輯和計算，從而徹底消除預備電力，使即通型電子系統成為現實，極大提高設備功能?！?/p>
高電壓技術論文范文3
關鍵詞：變壓器，過電壓，保護措施
變壓器運行時，如果電壓超過它的最大允許工作電壓，稱為變壓器的過電壓。過電壓往往對變壓器的絕緣有很大的危害，甚至使絕緣擊穿。過電壓分為內部過電壓和大氣過電壓兩種。輸電線路直接遭雷擊或雷云放電時，電磁場的劇烈變化所引起的過電壓稱為大氣過電壓(外部過電壓)；當變壓器或線路上的開關合閘或拉閘時，因系統中電磁能量振蕩和積聚而產生的過電壓稱為內部過電壓。變壓器的這兩種過電壓都是作用時間短促的瞬變過程。科技論文。內部過電壓一般為額定電壓的3.0－4.5倍，而大氣過電壓數值很高，可達額定電壓的8－12倍，并且繞組中電壓分布極不均勻，端頭部分線匝受到的電壓很高。因此，必須采取必要的措施，防止過電壓的發生和進行有效的保護。
過電壓在變壓器中破壞絕緣有兩種情況，一是將繞組與鐵心(或油箱)之間的絕緣高壓繞組與低壓繞組之間的絕緣(這些絕緣稱為主絕緣)擊穿；另一種是在同一繞組內將匝與匝之間或一段繞組與另一段繞之間的絕緣(這些絕緣稱為縱絕緣)擊穿。由于過電壓時間極短，電壓從零上升到最大值再下降到零均在極短的時間內完成，因而具有高頻振蕩的特性，其頻率可達100kHZ以上。在正常運行時，電網的頻率是50HZ，變壓器的容抗很大，而感擴ωL很小，因此可以忽略電容的影響，認為電流完全從繞組內部流過。但對高頻過電壓波來說，變壓器的容抗變成很小，而感抗變成很大，此時電流主要由電容流過，所以必須考慮電容的影響。科技論文?？紤]電容影響后，變壓器的分布參數電路（見后面圖1）。
其中：CFe——繞組每單位長度上的對地電容；C’——高低壓繞組之間每單位長度上的電容；Ct——繞組每單位長度上的匝間電容；L’——過電壓時繞組每單位長度上的漏電感；R’——繞組每單位長度上的電阻。
下面簡單說明兩種不同類型過電壓產生的原因：
1.內部過電壓我市電網中，絕大多數是降壓變壓器，下面就以降壓變壓器空載拉閘為例說明內部電壓產生的原因
根據變壓器參數的折算法可知，把二次側(低壓側)電容折算到一次側(高壓側)時，電容折算值為實際值的(1/K2)倍，所以二次側電容的影響可以略去不計。這就是說，空載時可以忽略二次側的影響。就一次繞組來說，由于每單位長度上的對地電容CFe是并聯的，故對地總電容為CFe=ΣCFe由于一次側單位長度上的匝間電容Ct是串聯的，故它的匝間總電容為Ct=1/(Σ1/Ct)在電力變壓器中，通常CFe＞＞Ct，所以定性分析時，匝間電容的影響也可略去不計。當再忽略繞組電阻R1時，可得空載拉閘過電壓時的簡化等效電路（見后面圖2）：其中L1是一次繞組的全自感。把空載變壓器從電網上拉閘時，如果空載電流的瞬時值不等于零而是某一數值Ia，這時相應的外施電壓瞬時值為Ua。于是在拉閘瞬間，電感L1中儲藏的磁場能量為1/2L1i2a，電容CFe上儲藏的電場能量為1/2CFeU2a。由于這時變壓器的電路是由電感L1和電容CFe并聯的電路，故在拉閘瞬間，回路內將發生電磁振蕩過程。在振蕩過程中，當某一瞬間電流等于零時，此時磁場能量全部轉化為電場能量，由電容吸收，電容上的電壓便升高到最大值Ucmax。當不考慮能量損失時，根據能量守恒原理有CFeU2cmax= L1i2a＋CFeU2a故得上式表明，當拉閘電流和電容上的電壓一定時，繞組的電感愈大，對地電容愈小，則拉閘時過電壓愈高。電力系統中，拉閘過電壓通常不超過額定電壓的3.0－4.5倍。
2.大氣過電壓大氣過電壓是輸電線路直接遭受雷擊或雷云放電時，電磁場的劇烈變化所引起的
當輸電線路直接遭受雷擊時，雷云所帶的大量電荷(設為正電荷)通過放電渠道落到輸電線上，大量的自由電荷向輸電線路的兩端傳播，就在輸電線上引起沖擊過電壓波，稱為雷電波。雷電波向輸電線兩端傳播的速度接近于光速，持續的時間只有幾十微秒，電壓由零上升到最大值的時間只有幾微秒。雷電波的典型波形為曲線由零上升到最大值這一段稱為波頭，下降部分稱為波尾。如果把波頭所占時間看成是周期波的四分之一周期，則雷電波可看成是頻率極高的周期性波。這樣，當過電壓波到達變壓器出線端時，相當于給變壓器加上了一個頻率極高的高電壓。這一瞬變過程很快，一開始，由于高頻下，ωL很大的，1/ωC很小，電流只從高壓繞組的匝電容和對地電容中流過。由于低壓繞組靠近鐵心，它的對地電容很大，(即容抗很小)，可近似地認為低壓繞組接地?？萍颊撐??？衫纂姴ㄒu擊時，沿繞組高度上的電壓分布取決于匝間電容Ct和對電容CFe的比例。在一般情況下，由于兩種電容都存在，過電壓時，一部分電流由對地電容分流，故每個匝間電容流的電流不相等，上面的匝間電容流過的電流最大愈往下面則愈小，隨著電壓沿繞組高度的分布變為不均勻，見下圖：(圖3是過電壓波加在變壓器兩端的電壓)從圖中可見，起始電壓分布很不均勻，靠近輸電線A端的頭幾匝間出現很大的電壓梯度，因此，在頭幾個線匝里，匝間絕緣和線餅之間的絕緣都受到很大的威脅，這時最高匝間電壓可能高達額定電壓的50－200倍。
3.過電壓保護為了防止變壓器繞組絕緣在過電壓時被擊穿，必須采取適當的過電壓保護措施，目前主要采用下列措施
3.1避雷器保護
在變壓器的出線端裝設避雷器，當雷電波從輸電線侵入時，避雷器的保護間隙被擊穿，過電壓波對地放電，這樣雷電波就不會侵入變壓器，從而保護了變壓器。
3.2加強絕緣
除了加強變壓器高壓繞組對地絕緣外，針對雷電波作用的特性，還要加強首端及末端部分線匝的絕緣，以承受由于起始電壓分布不均勻而出現的較高的匝間電壓。這種方法效果有限，而且加厚絕緣使散熱困難，同時減少了匝間電容，增大了匝間電壓梯度。目前只在35kV及以下的變壓器中采用。
3.3增大匝間電容
匝間電容相對于對地電容愈大時，則電壓的起始分布愈均勻，電壓梯度越小，因此增加匝間電容是有效的過電壓保護措施。過去常采用加裝靜電板或靜電屏的方法，現在在110kV以上的高壓變壓器上，廣泛采用糾結式線圈。糾結式線圈制造工藝簡單，不增加材料，與連續式線圈相比能顯著增大匝間電容，所以現在高壓大型電力變壓器的高壓繞組大多數采用了這種繞線法。結束語造成變壓器過電壓的原因多種多樣，針對不同的過電壓，有不同的過電壓保護措施。在實際工作中，我們應進行經濟上和技術上的全面研究，選擇有效的過電壓保護措施，確保變壓器的安全穩定運行。
高電壓技術論文范文4
英文名稱：High Voltage Engineering
主管單位：國家電網公司
主辦單位：國網電力科學研究院;中國電機工程學會
出版周期：月刊
出版地址：湖北省武漢市
語
種：中文
開
本：大16開
國際刊號：1003-6520
國內刊號：42-1239/TM
郵發代號：38-24
發行范圍：國內外統一發行
創刊時間：1975
期刊收錄：
CA 化學文摘(美)(2009)
CBST 科學技術文獻速報(日)(2009)
Pж(AJ) 文摘雜志(俄)(2009)
EI 工程索引(美)(2009)
中國科學引文數據庫(CSCD―2008)
核心期刊：
中文核心期刊(2008)
中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)
中文核心期刊(1996)
中文核心期刊(1992)
期刊榮譽：
中科雙效期刊
聯系方式
期刊簡介
高電壓技術論文范文5
【關鍵詞】電渦流；傳感器；單片機
1.引言
現代社會是信息化的社會，人們的主要交流和溝通都是通過對信息的傳遞、處理而進行的。傳感器就是人們從自然界獲取各種相應外界信息的方式，能夠將相應的需要采集的信息轉換成為控制芯片能夠識別的電流或者電壓等信號，在現代的控制測量系統中具有不可缺少的作用。
本論文主要介紹的是電渦流式位移傳感器。電渦流式位移傳感器屬于電感式位移傳感器的一種，是基于電渦流效應而工作的傳感器，具有很多優點：高分辨率、高可靠性、較寬的頻率響應以及較高的靈敏度等等。
該傳感器還具有很強的抗干擾能力，相比而言，傳統的傳感器具有非線性誤差，要求工作環境恒定或者價格較高[1]。
2.電渦流式微位移傳感器
2.1 傳感器發展歷程
國外在工業化的過程中，逐漸將傳感器廣泛應用在各個生產領域，在航天和軍事領域也有十分領先的傳感器應用。之后伴隨各個國家的機械、自動化、計算機等信息產業如日中天，歐美國家以及亞洲的日本都對世界的傳感器具有相當重要的影響。
我國主要是在1960年開始對傳感器進行開發工作。國家組織大批科研人員對其進行研究和開發，并實施了“八五”、“九五”等國家計劃，使得其取得了十分矚目的應用成就。然而我們也應該清醒地意識到，我國在傳感器的基礎制造工藝等方面還不能和發達國家相提并論，許多核心技術以及芯片都要進口。與此同時，我們的傳感器在國際上沒有太大競爭力，產品研發和更新速度很低，缺少實用創新性[2]。
2.2 傳統傳感器缺點
以往的傳感器和電渦流位移傳感器比起來，具有以下幾個方面的嚴重不足：
（1）輸入一輸出特性存在非線性且隨時間而漂移；
（2）環境會干擾參數，使得測量結果發生漂移；
（3）因結構尺寸大，而時間響應特別差；
（4）易受噪聲干擾、信噪比低；
（5）靈敏度或者分辨率不夠理想。
2.3 電渦流式微位移傳感器
本論文所要介紹的電渦流位移傳感器，其工作原理是利用了渦流效應。該類型的傳感器，通過渦流效應使相應的位移的變化，轉換成線圈的阻抗值變化；之后利用特定的電路將線圈阻抗值變化轉換成為電壓的變化，再進行檢測和輸出，根據相應的公式或者經驗，能夠還原成位移信息。這種傳感器具有很多優點，比如具有很高的靈敏度、簡單的結構以及及時的動態響應。該傳感器廣泛應用在測量振動和位移等信息量上。大體上輸出的電壓信號與位移的變化量是線性的關系，公式是ΔS=K?ΔV。其中K是系統的比例常數，在不同的傳感器中根據系統結構的不同是不一樣的。
2.4 電渦流式位移傳感器測量原理
公式能夠精確描述該原理。我們根據公式可以得知，在其他條件不變的情況下，Z（線圈的阻抗）與S一一對應。電渦流傳感器測量位移的原理就是基于此公式，在特定的信號激勵過程中，傳感器會依據位移變化而產生電壓的變化。
3.測量系統的硬件設計
3.1 主控芯片
本論文設計的電渦流微位移傳感器使用的主控芯片是AT89S52單片機。MSC-51單片機是八位的非常實用的單片機。本論文所使用的AT89S52單片機就是基于這款單片機的。MSC-51單片機的基本架構被ATMEL公司購買，繼而在其基本內核的基礎上加入了許多新的功能，同時擴展了芯片的容量以及加入flash閃存等等。51內核的單片機具有很多優點，因此無論是在工業上還是在一些電子產品上應用都很多。全球也有許多大公司對其進行擴展，加入新的功能。即使是在今天，51單片機仍然在控制系統中占據很大市場[4]。
下面對本論文所使用的單片機作簡要介紹。AT89S52單片機具有最大能夠支持的64K外部存儲擴展，同時還具有8K字節的Flash空間。該單片機具有4組I/O口，分別是從P0到P3，同時每組端口具有8個引腳。每個引腳除了能夠作為普通的輸入和輸出端口外，還具有其它功能，也就是我們通常所說的引腳復用。其還具有斷電保護、看門口、計時器和定時器。51單片機一般的工作電壓是5V。
3.2 顯示模塊
本論文設計的LCD1602電路，該液晶模塊能夠顯示2行*16列的字符，相對于數碼管而言，顯示更加靈活多變。該液晶模塊用來顯示其測量處理后的數據。
4.測量系統的軟件設計
本論文的主程序循環采集電量的變化，并實時顯示在液晶模塊上。系統軟件是指完成系統設計功能的軟件。為了提高系統的實時性、可靠性，在編寫系統應用軟件時，主要考慮以下兩方面：
（1）提高系統抗干擾性能。在工業現場不可避免的有各種抗干擾因素。因此本系統除了在硬件上硬件復位和加電容濾波外。在軟件上，采用了指令冗余技術、延時消抖技術以及對位移大小采樣值進行中值濾波的數字濾波方法，進一步提高系統的抗干擾能力。
（2）采用模塊化編程。將系統的應用程序分為若干個功能模塊，這些模塊可以任意更改而不影響程序的其余部分，將各個功能模塊程序調通后，再把各個功能模塊結合起進行聯調，這大大減少了調試時間，提高了程序的通用性，方便程序的修改和檢查。
5.總結
電渦流位移傳感器是一種基于電渦流效應的傳感器，能夠將位移的變化轉換成電量的變化。本論文主要介紹了傳統傳感器的發展歷程，進而介紹了電渦流式微位移傳感器的測量原理和優勢，并基于單片機設計了測量系統。
參考文獻
[1]譚祖根，汪樂宇.電渦流檢測技術[M].北京：原子能出版社，1986.
[2]于鵬，許媛媛.利用插值法和曲線擬合法標定電渦流傳感器[J].中國測試技術，2007，1（33）.
高電壓技術論文范文6
關鍵詞：數控直流電源；穩壓電源；電壓源；電流源
中圖分類號：TM461文獻標識碼：A文章編號：10053824（2013）04006707
0引言
數控直流穩壓電源應用非常廣泛，是學習電子信息工程、通信工程、機電一體化、電氣自動化等電類專業學生必然涉及到的一個電工電子課程設計項目。全國大學生電子設計競賽曾于第一屆A題、第二屆A題和第七屆F題（電流源），全國首屆高職院校技能競賽樣題以及省級院校競賽都有涉及，用來檢驗學生的電子設計能力，可見其普遍性。
雖然較多論文都涉及，但電路設計的多樣性以及制作經驗篇幅鮮少，不足以使讀者完成作品并舉一反三。筆者參閱數十篇關于數控直流電源系統的設計，發現許多很難讀懂的問題。例如，給出參數設計輸出達20 V電壓，但運放直接驅動達林頓管明顯無法輸出達22 V以上。又如，通篇無關緊要的內容，唯獨缺少比較放大環節設計及關鍵電路的完整連接，也就是說DAC輸出到調整管之間內容匱乏，這也是本文解決問題的初衷。
直流穩壓電源按照功率管工作狀態，分為線性穩壓電源、開關穩壓電源2種。鑒于電類專業課程設計的需要，本文重點解析線性穩壓電源之關鍵設計，如與OP放大器設計聯系密切的部分，希望對讀者制作該項目或寫論文有所幫助。
1設計要求的性能指標與測試方法
1）輸出電流IL（即額定負載電流），它的最大值決定調整管（三端穩壓器）的最大允許功耗PCM和最大允許電流ICM，要求：IL （Vimax-Vomin）
2）根據輸出電壓范圍和最大輸出電流的指標，U/I可計算出等效負載阻值。例如，輸出電壓要求達30 V，最大輸出電流1 A，因此模擬負載應滿足從幾Ω到30 Ω之間，調整管耗散功率應滿足30 W以上，考慮加散熱片。
1.2質量指標
紋波電壓：是指疊加在輸出電壓Uo上的交流分量。在額定輸出電壓和負載電流下，用示波器觀測其峰一峰值，Uo（p-p）一般為毫伏量級，也可以用交流電壓表測量其有效值。紋波系數是紋波電壓與輸出電壓的百分比。設計中主要涉及濾波電路RLC充放電時間常數的計算。一般在全波式橋式整流情況下，根據下式選擇濾波電容C的容量：RL?C=（3-5）T/2，式中T為輸入交流信號周期，因而T=1/f=1/50=20 ms；RL為整流濾波電路的等效負載電阻。
穩壓系數Su和電壓調整率Ku均說明輸入電壓變化對輸出電壓的影響[2]，因此只需測試其中之一即可。電源輸出電阻ro和電流調整率Ki均說明負載電流變化對輸出電壓的影響[2]，因此也只需測試其中之一即可，具體操作參照指標的定義來實施。
2.2DAC接口電路的設計
2.3調整管控制電路、電壓采樣與電流采樣電路的
2.4ADC接口電路的設計、同時具備電壓源與電流源功能的設計
2.6具備電壓預置記憶存儲部分的設計
2.7保護電路的設計
2.8.2濾波電路的設計
3結語
曾經查閱數十篇類似穩壓電源電路圖，深感模擬電路設計的重要性。本文將電壓源與電流源的設計方案同時羅列，便于讀者理解設計要領。重點解析DAC輸出后的電路設計，圖中電壓、電流數據全部基于proteus交互式仿真完成。電路設計的連貫性、采樣電路取值、運放電路與驅動電路設計等，是同類論文較少論述的環節，可以有效解決目前存在的諸多問題，有助于讀者提高電路解析能力。僅此拋磚引玉，希望本文的設計能對讀者在實際工作中有所幫助，不當之處請多指教。
參考文獻：
[1]高吉祥.全國大學生電子設計競賽培訓系列教程――基本技能訓練與單元電路設計[M].北京：電子工業出版社，2007.
[2]鄧堅，楊燕翔，齊剛. 數控直流穩壓電源設計[J].計算機測量與控制，2008，16（12）：19911993.
[3]楊秀增，黃燦勝. 基于Nios II的高精度數控直流穩壓電源設計[J]. 電子設計工程，2009，17（9）：4749.
[4]許艷惠. 一種智能化高精度數控直流電源的設計與實現[J]. 微計算機信息，2007，23（32）：136138.
[5]DAC0832手冊.National Semiconductor Corporation DS005608[EB/OL].（20020120）[20121011]. http：///product/dac0832.
[6]岡村迪夫.OP放大電路設計[M].王玲，徐雅珍，李武平，譯.北京：科學出版社，2004.
[7]鈴木雅臣.晶體管電路設計（上）[M].周南生，譯.北京：科學出版社，2004.
[8]江海鷹，孫王強，孫杰，等. 實用高精度數控直流電流/電壓源[J].濟南大學學報：自然科學版，2006，20（3）：249251.
[9]彭軍.運算放大器及其應用[M].北京：科學出版社，2008.
[10]清華大學電子學教研組.模擬電子技術基礎簡明教程[M].3版.北京：高等教育出版社，2006.
[11]黃智偉.全國大學生電子設計競賽系統設計[M].北京：北京航空航天大學出版社，2011.
[12]陳光明，施金鴻，桂金蓮.電子技術課程設計與綜合實訓[M].北京：北京航空航天大學出版社，2007.
