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陶瓷電容器范文1
【關鍵詞】多層陶瓷電容器;高介瓷粉;制備方法
1.前言
多層片式陶瓷電容器（Multi-Layer Ceramic Capacitor英文縮寫MLCC）是一種適合SMT表面貼裝的片式電容器，幾乎所有的電子整機都必須配套應用。特別是移動通信產品、計算機、數碼相機、新一代數字化家電產品，對MLCC產品的需求量與日俱增，而且隨著電子整機產品趨向于輕、薄、短、小和表面貼裝技術的日益普及，MLCC的發展更具潛力。隨著中國日益成為全球主要的電子信息產品制造基地，國內MLCC市場需求總量呈現快速增長態勢，為國內MLCC企業的發展提供良好機遇。國內的企業，自主開發并制備高介瓷粉是實現大容量BME-MLCC的唯一途徑，也是實現自身不斷發展、滿足客戶需求、與提高與日韓產商競爭力的必經之路。
2.高介瓷粉制配方法、工藝
2.1 高介瓷粉配方的研發
為了滿足大容量BME-MLCC產品的需求，本公司開發了介電常數約為4200的高介瓷粉配方，并且確保產品的低損耗、絕緣性、可靠性、耐久性等等性能。
2.2 高介瓷粉制備的工藝路線
使用高介瓷粉和降低介質層厚度是實現更大容量MLCC的2條途徑，本項目通過高介瓷粉配方與優良的瓷粉性能實現薄介質厚度，將二者結合。為了滿足高容量MLCC用高介瓷粉的需求，采用以下制備工藝路線開發高介瓷粉如圖1所示。
圖1 高介瓷粉的開發工藝路線
其中，分散步驟采用立式砂磨機來完成，其原理圖如圖2所示。
圖2 立式砂磨機工作原理圖
漿料從下往上的方式，通過立式砂磨機的研磨腔體，如圖2所示。在研磨腔體內部，采用離心分離的方式來分散粉體。通過高速旋轉進行離心分離，將大顆粒的粉體離心至研磨腔體的外緣，不斷高速分散;同時，小顆粒粉體在腔體中間流過，避免小顆粒粉體的過度研磨帶來的小顆粒的缺陷。
2.3 流延漿料的分散工藝
分散工藝直接影響陶瓷漿料的質量及后續流延陶瓷生片的質量。對于超薄膜帶，對分散工藝的要求非常高，圖3是本項目的分散工藝路線：
圖3 流延漿料的分散工藝流程圖
其中，二次分散采用臥式砂磨分散工藝進行。通過研磨壓力與轉速的配合，提高分散效果，降低研磨時間，同時避免了由于研磨介質ZrO2的混入而引起的燒結問題。
2.4 大容量MLCC產品的制備工藝路線
BME高積層片式陶瓷電容器是將電子材料通過混磨制成漿料，用流延方式形成陶瓷介質薄膜，然后在介質薄膜上印刷金屬內電極，并將印有內電極的介質膜片交替疊合熱壓形成多個電容器并聯，在高溫下一次燒成整體芯片，然后將芯片內電極引出端被上金屬漿料，形成外電極，并對外電極進行鍍鎳，形成多層電極端頭，使產品尺寸超小型化、生產成本低、高品質、高可靠并適合表面組裝技術（SMT）的需要。為了適應大容量MLCC的要求，根據生產過程的特點，我司對傳統工藝流程進行了創新性改造，在成型工藝過程進行了改進。其中，在成型工段上，采用了創新成型工藝，如圖4所示。先在PET膜上印刷內電極，再進行流延，最后再進行疊層。該工藝可以避免印刷漿料蝕膜的問題，提高產品耐壓與IR不良，同時大大降低了生產成本。
圖4 大容量產品成型工藝
3.關鍵技術與解決途徑
（1）高介電常數的瓷粉
為了滿足大容量BME-MLCC產品的需求，本公司通過在BT中同時摻雜受主和施主元素或者摻雜Y3+、Dy3+、Ho3+、Er3+等稀土離子，開發了介電常數約為4200的高介瓷粉配方，低損耗、絕緣性、可靠性、耐久性等性能。并且粉體晶粒尺寸在0.3μm以下，并且在燒結過后形成芯殼結構，且無異常長大，滿足MLCC的電氣可靠性的要求。其次，要求原材料中的BT材料與添加劑等亞微米/納米級的粉體充分分散開、無團聚，同時能確保各種不同比重的成份混合均勻，成份一致。
引進業界最先進的高速立式砂磨設備，在1200rpm研磨速率下，在短時間內將粉體分散好，避免粉體過度分散而形成小顆粒的粉體，影響燒結性能。
（2）流延漿料制作技術
大容量MLCC所用的瓷粉顆粒小，比表面積大，所需的有機添加劑的比例比中、低容產品要高出許多。而添加劑比例高會給排膠、燒結工序帶來挑戰。通過對黏合劑體系、塑化劑體系、分散劑、溶劑體系的種類和用量的選擇，既要達到能流延出良好質量膜帶的要求，又要便于排膠工序排出，不影響燒結。
同時，由于粘合劑的加入，需要均勻分散。通常采用ZrO2研磨介質，而過度的分散可能引入Zr含量到粉體配方中，Zr的引入會影響產品的燒結性能，使得燒結密度下降。通過引進先進的分散設備，可以大大降低Zr的含量。圖5是EPMA的分析結果。
圖5 Zr含量EPMA測試結果
（3）超薄膜帶的成型工藝
為滿足大容量MLCC產品對超薄波膜帶的需求，超薄膜帶的流延工藝與流延設備同等重要。為配合新成型工藝，我司重新設計了流延漿料的溶劑體系，使得更好地匹配。
由于大容量產品的介質層數較多，每片介質層都有印刷上電極層的區域和不含電極層的區域，當介質層數較多時，印刷電極對產品的厚度會產生較大影響。例如0402X5R225規格產品采用1.8μm陶瓷生片疊200層設計。疊層后電極正對區域的疊層厚度為650μm，端電極處的厚度為575μm，而產品側邊的疊層厚度為500μm，最大的厚度差為150μm，整顆產品厚薄明顯不均，在排膠/燒結過程中易因有機物揮發通道不順暢而導致產品開裂。
針對此問題，本公司根據自主掌握的印刷陶瓷漿料技術，采用行業最新型的印刷、疊層設備，獨創了成型方法：將電極漿料先印刷到PET承載膜上，在通過off-roll流延模式，將陶瓷漿料填入電極層周圍的間隙上以匹配厚度差，解決厚度差的問題，且降低了PET膜使用量，降低了成本。
同時，對比常規的印刷方式，由于印刷漿料中存在溶劑，不可避免對陶瓷生片會產生溶解作用，對于較厚的陶瓷生片，其作用可忽略，而對于大容量產品，厚度薄到一定程度，其腐蝕影響非常巨大，直接導致產品失效。采用該種生產方式，可以避免印刷漿料溶解陶瓷生片的問題。
（4）氣氛保護多層共燒
大容量MLCC產品層數較多，燒結開裂是最經常遇到的問題。由于材料匹配性能、工藝參數等原因，易導致層間結合力不足，造成產品燒結開裂。為避免大容量MLCC常見的燒結開裂問題，開發了燒結前預處理工藝;同時引進了日本的先進燒結設備，新設備在溫度偏差、氣氛均勻性方面均有非常優秀的表現。而且，擁有快速升溫的特點，為大容量產品提供更加靈活的燒結方式。
以此為基礎，我司開發出了與中低容量產品截然不同的燒結溫度曲線、氣氛條件與再氧化條件的燒結工藝，專門用于大容量產品的生產。氣氛保護共燒結必須控制好氣氛中氫氣的濃度和混合氣體的露點。
我司利用電子印刷漿料的優勢技術，自主開發了內金屬電極與陶瓷填料均勻分散的印刷漿料，解決了由于內漿分散不良造成的小比例開裂問題。為了保證產品具有更高的可靠性，又加入了生坯燒結前預處理工藝，通過設計生坯處理工藝，在生坯排膠前加熱、加壓處理，有效防止了燒結開裂的缺陷。
4.結束語
綜上的所述，此產品已經通過工信部電子第五研究所檢測，各項指標均已達到常規使用要求。
在項目的開發和研制過程中，項目組成員通過不斷的技術自主創新、關鍵技術的突破性攻關，打破了國外廠家的技術壟斷，總結歸納出一整套能適應大容量MLCC產業化的關鍵工藝。
與國內外技術水平相比，該項目的產品可靠性、性能一致性、耐久性、產品成本控制等方面已經達到國際同行業的領先水平。
參考文獻
陶瓷電容器范文2
本發明涉及一種陶瓷基復合材料成形技術，綜合了壓注、注凝、浸滲的原理，用以制備形狀復雜、結構組分密度均勻、高強度的陶瓷基復合材料坯體，再進行燒結即可獲得高韌性陶瓷基復合材料制品。本發明提出的技術是一種創新的、制備高性能復雜形狀纖維增強陶瓷基復合材料的低成本、近凈尺寸的成形技術，與現有纖維增強陶瓷基復合材料成形制備技術相比，具有明顯的優越性，成形時間短、生產效率高。
專利號：200810228400.2
氮化鋁陶瓷材料及其制備方法
本發明公開了一種氮化鋁陶瓷材料及其制備方法。該方法是在現有常用制備方法的原料中添加納米氧化鋁，再按照常規制備工藝進行制備。可通過直接添加納米氧化鋁或添加有機鋁，如仲丁醇鋁、異丙醇鋁或乙酰丙酮鋁，并借助有機鋁的低溫分解間接獲得原位生長的納米氧化鋁。該方法可應用于干壓成形和流延成形，采用常壓或熱壓燒結等陶瓷制備工藝，可獲得分散特性好、均勻混合的氮化鋁和納米氧化鋁漿料，有利于提高物料的燒結活性、降低燒結溫度，以及提高陶瓷基板的色澤一致性、平整度和粗糙度，降低生產成本，在氮化鋁陶瓷生產領域具有廣泛的應用。
專利號：200810224311.0
一種碳化硅陶瓷的制備方法
本發明公開了一種碳化硅陶瓷的制備方法，具體為：采用固相燒結法，將竹炭粉碎研磨后，與硅粉按質量比1:3混合，將硅碳混合物與酚醛樹脂按質量體積比為1:1混合均勻；將混合物在140℃下預加熱成形；在真空或者Ar氣氛狀態下，將溫度升高到設定的最終燒結溫度進行高溫燒結；保持溫度30min，冷卻制得SiC陶瓷材料。本發明利用竹材生物結構通過高溫燒結而得到的碳化物材料，竹材在絕氧條件下進行炭化得到具有竹材孔隙結構的炭骨架，以此作為陶瓷相滲入和反應的生物模板，通過金屬或者無機非金屬物質滲入、燒結反應，使得到的陶瓷不僅具有竹材的精細結構，而且增加了反應面積，提高了合成速度，具有一般陶瓷制備方法無法比擬的優點。
專利號：200810224957.9
精鑄用自反應氧化鋁基復合陶瓷型芯及其制備方法
本發明提供了精鑄用自反應氧化鋁基復合陶瓷型芯及其制備方法，該復合陶瓷型芯是由剛玉粉及原位合成的鈦酸鋁、二鈦酸鎂和莫來石組成，所述復合陶瓷型芯由下列重量配比的原料制成：不同粒度的剛玉粉70～85%、氧化鎂粉0～2%、二氧化鈦粉8～20%、藍晶石粉6～10%，并加入占該四種原料總質量的1～3%的碳粉作為易潰散劑。所述方法將前述原料混合，干壓成形后高溫燒制而成。本發明氧化鋁基體中添加其他原料，所制備的陶瓷型芯高溫化學穩定性和熱穩定性良好；熱膨脹系數較低；燒結后收縮率小，室溫和高溫強度均滿足精密鑄造用陶瓷型芯的要求。
專利號：200810199121.8
一種高性能中低溫燒結高壓陶瓷電容器介質
一種高性能中低溫燒結高壓陶瓷電容器介質，涉及無機非金屬材料技術領域，它采用常規的高壓陶瓷電容器介質制備方法，利用電容器陶瓷的普通化學原料，制備得到無鉛、無鎘的無毒高性能中低溫燒結(燒結溫度為1100～1150℃)的高壓高穩定陶瓷的電容器介質，該介質適合于制備單片陶瓷電容器和多層片式陶瓷電容器，能大大降低陶瓷電容器的成本，并且在制備和使用過程中不污染環境，其特征在于所述介質的配方包括(重量百分比)： BaTiO3 58～92%、SrTiO3 2～19%、CaZrO3 0.5～10%、Nb2O5 0.05～1%、Y2O3 0.03～1.0%、Co2O3 0.03～1.0%、Bi2Sn2O7 6～30%；其中BaTiO3、SrTiO3、CaZrO3分別是采用常規的化學原料以固相法合成。其耐壓高，可達10kV/mm以上，介電常數為2200～3500，電容溫度變化率小，符合X7R特性、Y5T和Y5U特性的要求，使用過程中性能穩定性好，安全性高，對環境無污染。
專利號：200810155056.9
一種用于降低電聲轉換器壓電陶瓷燒結溫度的添加物
陶瓷電容器范文3
專利號：200710139515.X
異型建筑陶瓷輥道窯的加工工藝
本發明公開了一種異型建筑陶瓷輥道窯的加工工藝，其特征在于該工藝至少包括了如下工序：（1）將加工物料加工成陶瓷產品的初步形狀而形成坯體；（2）將坯體置于異型輥棒上，并使坯體與異型輥棒上的型槽相吻合；（3）坯體在異型輥棒上滾動并經高溫燒結而一次成形。本發明的加工工藝簡單，可有效地降低制造成本，且產品質量好。
專利號：200710030560.1
電介質陶瓷組合物、層合陶瓷電容器及其制造方法
本發明涉及電介質陶瓷組合物、使用該組合物的層合陶瓷電容器及其制造方法，具體提供具有滿足X8R特性的溫度特性且在高溫環境下的比電阻高的層合陶瓷電容器及其制造方法。本發明的特征在于，形成電介質陶瓷的電介質陶瓷組合物以BaTiO3+aMgO+bMOx+cReO3/2+dSiO2 表示時，相當于100molBaTiO3時，有0.4mol≤a≤3.0mol、0.05mol≤b≤4.0mol、6.0mol≤c≤16.5mol、3.0mol≤d≤5.0mol、2.0≤c/d≤3.3。
專利號：200710152444.7
高純致密氧化鋁陶瓷支撐件及其制造方法
本發明涉及高純致密氧化鋁陶瓷支撐件及其制造方法，該支撐件的組成成份為：Al2O3 99.6wt%～99.98wt%、MgO 0.01wt%～0.3wt%、復合添加劑 0.01wt%～0.3wt%。與現有技術相比，本發明的氧化鋁支撐件具有高致密度、高機械強度和硬度、優良的顯微結構、精確的形狀和尺寸，綜合性能可以滿足精確導航工程控制儀器的要求，具有多個貫通細孔或超薄壁結構，細孔尺寸和細孔定位精確。
專利號：200710046037.8
一種利用碎瓷片生產硅酸鋁陶瓷纖維的方法和應用
一種利用碎瓷片生產硅酸鋁陶瓷纖維的方法和應用，屬于以Al2O3和SiO2為基料的陶瓷纖維制品領域，其特征是：部分或者全部采用碎瓷片，經過熔融、噴吹或者甩絲，制成硅酸鋁陶瓷纖維。本發明的陶瓷纖維可以部分或者完全替代采用硬質粘土熟料來生產陶瓷纖維，同時具有成本低、環境友好等優點。
專利號：200710017161.1
一種耐熱紫砂陶瓷泥及其制品的制備方法
本發明提供一種耐熱紫砂陶瓷泥及其制品的制備方法。耐熱紫砂陶瓷泥含有以下組分和重量百分比：SiO2 60～73%、Al2O3 15%～38%、CaO 2～6%、MgO6～12%、Fe2O3 0～5%、K2O 0～2%、Li2O 0～5%；可采用下述礦石或化合物作為原料，其成分和重量百分比為：紫砂泥40～60％、黑粘土20～30%、白粘土10～25％、滑石10～18%、麥飯石5～10%；應用本發明所述的陶瓷泥，可制作各種在明火或電磁爐上使用的加熱器皿等；具有良好的熱穩定性和優良的抗冷熱沖擊性能，且使用紫砂原礦及麥飯石作為原料，烹調的食物色香味俱全，不分解食物中的營養成分，溫和不上火，達到保健作用，且易清洗、安全衛生，又節約能源，滿足人們現代生活的需求。
專利號：200710029315.9
形成陶瓷電弧放電管的組件及其制造方法
陶瓷電容器范文4
[關鍵詞]片式元器件；微型化；復合化；高頻元件
中圖分類號：D421 文獻標識碼：A 文章編號：1009-914X（2016）07-0079-01
在上世紀90年代，程控交換機和光纖傳輸與調制等通信設備的制造已經廣泛的使用在了眾多的領域，同時光纖傳輸和調制通信設備的制造已經大量的采用了通用的片式元器件，片式元器件在時代和技術發展的過程中也得到了十分明顯的改善和提升，它也已經成為了我國電子技術發展的一個重要的前提和基礎，現代信息化浪潮發展的過程中要需要這一技術的推動，此外片式元件也進入到了微型化、高頻化和高性能化的時代。
1、片式元件的小型化、微型化和復合化
當前片式元件器和SMT現在很多電子技術當中都得到了十分廣泛的應用，通用元件自撒很的小型化、微型化和復合化的發展趨勢能夠十分有效的和IC高度集成形成良好的配合，這樣也就對電子信息產品類的體積和重量起到非常重要的作用
在片式元件小型化的過程中，便攜式的信息和通信終端產品由于在緊湊型上有著非常好的邊線，所以在這一過程中也就可以對其進行全面的保證片式元件可以向更高水平發展，0603是當前非常主流的片石阻容元件，在元件應用的過程中，復合陣列化是一個非常重要的發展趨勢。當前也出現了很多功能各異的電路電阻網絡以及阻容網絡。
2、片式元件高頻特性電費改善與提升
以往的陶瓷電容器一般采用的是1類熱穩定型護額2類高介電常數型陶瓷材料，同時將其當做是電解質，按照相關的標準和規定，其在測試中頻率為1KHz和1MHz，所以我們通常稱其為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器。如果是線路板上插裝的電容器，其引線的長度一般在2―3mm，標稱電容量是1000―10000pF的高頻瓷介電容器的固有諧振頻率為f0，其數值通常為60―200MHz，10pF也就是600――1000MHz。一方面電容器的使用頻段越好比固有的諧振頻率低很多，此外，針對大于1MHz的頻率范圍，電容器的損耗情況會受到介質計劃等多種因素的影響，其數值也會在短時間之內迅速升高，也就是說Q值會非常明顯的呈下降趨勢，這也就是高頻瓷介電容器在高頻特性方面所存在的不足。在上世紀60年代就已經出現了將多層陶瓷電容器芯片集成電路的外貼元件，同時，這種元件在使用的過程中不需要設置引線結構，所以被稱為無感電容，在很寬的頻段之內都能展現出非常好的頻段特性。
上世紀60―70年代，美國的很多公司都研發出了高頻高QA低損耗的介質材料，這些材料的結構設計具有非常特別的地方，同時對制作工藝和測試技術進行了有效的控制，其在軍事領域得到了非常廣泛的應用。
近年來高QMLCC其優良的射頻功率特性倍受廣播電視移動通信及衛星通信等發射基站的青睞，蜂窩電話無線局域網W-LAN等無線通信與信息終端產品也開始普遍采用小型低壓品種規格，比如ATC180R型超低ESR高QMLCC在450MHz―1.8GHz頻段ESR僅為0.04―0.08W，22pF規格可用于雙頻蜂窩移動電話。在瓷介電容器高頻化進程中還值得一提的是微型化的片式微波單層瓷介電容器SLC，這是由美國DLI和MDI公司于70年明用二十余種相對介電常數10―20000的不同介質材料制成實際中尺寸規格為標稱電容量0.04―6300pF小容量尺寸規格f0可高達50GHz。MDI公司首創兩聯型片式單層瓷介電容器SPLITCHIP其固有諧振頻率f0可高達75GHz。
與片容類似片式電感器的高頻特性也優于引線電感器，使用頻率應遠低于其固有諧振頻率低電感量小尺寸空芯式片感具有較高的f0和高Q值。空芯電感器是采用剛玉Al2O3瓷芯取代鐵氧體磁芯再用線圈繞制而成，因剛玉材料無磁性可獲得低電感量，采用塑封或無包封立式結構最小尺寸為10080806僅能實現10―3.3nH的最低電感值。1997―1998年美國Coilcraft公司采用無外殼樹脂涂覆繞線結構研制出更小型0805和0603規格標稱電感量分別為1.8～390nH和1.8～120nH，日本KOA公司的類似品種規格電感量3.3～220nH和1.8～120nH該種片感具有較高Q值和精度較低的直流電阻和較大的額定直流電流。綜合性能占優繞線結構小型化面臨越來越大的技術難度。相對而言，多層電感器則具有結構和工藝優勢。TDKTOKO和WPI公司在1992～1994年率先用低介電常數陶瓷材料取代鐵氧體研制出高頻片式多層電感器尺寸規格為08050603，標稱電感量分別為1.8―82nH和1.5―33nH1998年面世的0402小型規格電感量達1～100nH，而08050603已擴展到1.5―470nH。與此同時，村田KOA及AVX公司則力推用薄膜工藝制備螺旋導電帶形式的片式，高頻電感器外形尺寸為120608050603電感量為1～100nH1998年新品0402型電感量1～33nH。與片容的發展稍有不同的是片式高頻電感器是90年代的新產品，它的誕生完全是得益于移動通信產品的強有力促進，片式高頻電感器的主要應用對象是蜂窩移動電話和無繩電話以及無線尋呼機，也包括無線局域網（W-LAN）衛星全球定位系統（GPS）衛星電視接收裝置等無線通信與信息產品。
3 精密元件與功能電路的高性能化
無源元件RCL參數的精度對于調整與控制電路參數，從而實現設計功能起著重要作用。過去，對于時間常數諧振回路等往往需要使用精密級元件，如金屬薄膜型電阻器、云母介質電容器等等。因原材料和加工工藝限制價格極高，現在片式矩形固定電阻器是在氧化鋁基片上印刷制備RuO2電阻體后涂覆端電極并逐只通過激光調阻工藝保證其極高的阻值精度，常規品種很容易達到1%（F）～5%（J）精度最高可達0.1%（B）、0.25%（C）和0.5%（D）而對于電容器、電感器兩類元件除薄膜型電感器和電容器本身工藝優勢以及云母電容器通過在制造過程中微調容量可生產精度略高的2%（G）或0.25～0.1pF（0.2～0.1nH）規格外大多數品種，精度僅能保證J（5%）～K（10%）或0.5～0.25pF（0.5～0.3nH），1類瓷介電容器盡管有最穩定的溫度系數015～3010-6C1，但因制造工序能力所限高精度規格只能通過檢測分選得到。
因元件參數離散導致電路參數的不確定而需在一定范圍內調整所以在傳統元件門類中微調電容器電感器和電位器均占據相當重要的地位，但隨著SMT的發展，微調式元件的片式化面臨著更突出的技術難度，1996年微調電容器的片式化率為40%，而微調電感器和電位器低于這一數字，片式微調元件還存在外形偏大，非標準異型結構不便于貼裝等缺點，加上高頻特性的提高受限，明顯不利于在移動通信領域的進一步推廣和應用。
4、結語
當前，我國的科學技術發展水平有了非常顯著的提升，這對片式元件的微型化和復合化起到了非常重要的作用，這也使得射頻頻率資源的擴展和利用得到了很好的控制，二者共同推動了微波特性的提升，各種新型的片式元件在發展的過程中也促進了相關產品的更新換代，因此我們也需要對其予以高度的重視。
參考文獻
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[3] 趙玉川.我國電子元器件制造業發展狀況及發展戰略的選擇[J].科技管理研究.2005（01）.
陶瓷電容器范文5
[關鍵詞] 電子元件 市場前景 發展趨勢
電子元件主要包括電阻器、電容器、電感器、變壓器、波器、天線等是一大類重要的電子信息產品。電子元件與電子器件共構成電路的核心部分，是各類電子信息產品基礎。電子元器件屬于電子信息產業的中間產品，介于電子整機行業和原材料行業之間，其發展的快慢、所達到的技術水平和生產規模，不僅直接影響著整個電子信息產業的發展，而且對發展信息技術，改造傳統產業，提高現代化裝備水平，促進科技進步都具有重要意義。未來5年～10年，我國的電子元件市場將出現高速增長。
一、我國電子元件產品市場現狀
隨著世界電子制造業向中國大規模轉移，我國的電子元件市場以近年來每年都20%的增長率增長。粗略測算目前我國電子元件市場容量約在350億美元左右，在不久的將來，我國可望成為全球最大的電子元件消費市場。
1.多層陶瓷電容器(MLCC)多層陶瓷電容器目前國際上用量最大、發展最快的片式元件之一。MLCC主要應用于各類軍用、民用整機的震蕩、禍合、濾波、旁路電路中，應用領域已經拓展到自動控制儀表、計算機、手機、數字家電、汽車等行業。全球市場的需求量從1998年的3070億只，增至2007年11000億只。年增長速度近20%。市場需求巨大，產業化市場前景非常廣闊。
2.片式電感類元件主要應用領域包括移動通信、計算機、音像產品、家電、辦公自動化等。預計在今后若干年中，隨著第三代移動通信技術、數字電視、高速計算機、藍牙產品等新一代數字化電子產品的推出，片式電感器的需求量將急劇上升，市場前景將十分看好。
3.片式敏感元件在程控交換機、計算機、便攜式手提電腦、高清晰度彩電、便攜式移動電話、車載電臺、汽車電子、復印機、軍用電子產品等方面都具有廣闊的應用市場。用片式化生產技術制備的新型高性能超低阻、高耐壓熱敏材料還可用于通信及網絡系統過電流保護、系統防雷、大屏幕大電流自動消磁、汽車用直流電機、低壓電器、變壓器及家用電器等過熱過載保護等，國內年需求量估計可達10億只左右。
4.多層壓電元件具有能量轉換效率高、體積小、厚度薄、升壓比高、無電磁干擾、無燃燒短路隱患、適合表面安裝、安全可靠性高等顯著特點，由于液晶顯示器背光電源市場需求快速增長，MPT及其背光電源極具應用價值與發展前景。它的推廣應用將有力的推動智能化電子信息產品向小型集成化方向發展，在筆記本電腦、PDA、液晶PC、液晶屏手機、液晶Tv、可視電話、GPS、傳真機等領域具有十分廣闊的市場前景。
二、電子元件產品市場發展趨勢
1.我國電子元件產品的類型。
(1)片式化、小型化。以多層陶瓷電容器(MLCC)為例，目前的主流產品尺寸正在從0603型向0402型過渡，而更受市場歡迎的高端產品是0201型。
(2)多功能化。隨著電子新型產品功能的不斷增加，對片式元件功能的要求也越來越多樣化。
(3)集成模塊化。近年來，由于低溫共燒陶瓷(LTCC)等技術的突破，才使無源集成技術進入了實用化和產業化階段，并成為備受關注的技術制高點。
(4)微波、高頻化和寬帶化。目前電子整機向微波、毫米波、高頻寬帶方向發展的趨勢十分強勁。此外，高速數字電路產品越來越多，光通信的傳輸速度已從2．5Gbps發展到10Gbps。這些都對電子元器件的高頻和寬頻化提出了更高的要求。
2.電子元件產品有良好的市場前景
電子元器件正進入以新型電子元器件為主體的新一代元器件時代，它將基本上取代傳統元器件，電子元器件由原來只為適應整機的小型化及其新工藝要求為主的改進，變成以滿足數字技術、微電子技術發展所提出的特性要求為主，而且是成套滿足的產業化發展階段。新型電子元器件體現了當代和今后電子元器件向高頻化、片式化、微型化、薄型化，低功耗，響應速率快、高分辨率、高精度、高功率、多功能、組件化、復合化、模塊化和智能化等的發展趨勢。同時，產品的安全性和綠色化也是影響其發展前途和市場的重要因素。良好的市場前景，為電子元器件提供了巨大的國內市場機會。無論是全球市場還是國內市場電子信息產業的迅猛發展給上游電子元器件產業帶來了廣闊的市場應用前景，新產品的推出曾出不窮，這些都為元器件開拓了新的應用市場。
汽車電子、PDA、互聯網應用產品、機頂盒等產品的迅速啟動及飛速發展，將極大地帶動中國電子元器件市場的發展。在通訊類產品中，不僅僅是蜂窩電話，還有更多的產品如移動通信、光通信網絡，普通電話等都需要大量的元器件。另外，計算機及相關產品、消費電子產品雖然沒有以前發展那么快，但需求依然強勁，這些都將成為中國元器件市場發展的動力。
三、結束語
預計到2010年全球電子信息制造業市場將達到19055億美元，其中，電子元器件市場將達到2800億美元，占14.7%。蜂窩電話、移動通信、光通信網絡，普通電話等都需要大量的元器件。另外，計算機及相關產品、消費電子產品雖然沒有以前發展那么快，但需求依然強勁，這些都將成為中國電子元器件市場發展的動力。全球電子元器件市場規模進一步擴大，國內電子信息產業迅猛發展，將為電子元器件產業帶來廣闊的發展前景。
參考文獻:
[1]李盛濤 李建英 張偉強:發展我國電子元件工業的思路[J]. 電子元件與材料,2001,(01)
陶瓷電容器范文6
CEVA的DVS軟件模塊可以減小運動造成的抖動，這種情況通常在使用智能手機和照相機等手持式設備拍攝視頻和圖片時出現。該模塊支持包括卷簾式快門（“果凍效應”）和多軸校正，在任何光照條件下，可以減少鏡頭左右轉動、縮放和旋轉時造成的抖動和偏移。DVS模塊是通
過使用CEVA全新應用開發工具套件（ApplicationDeveloperKit，ADK）實現的，CEVA也單獨了這款工具套件。ADK用于大幅簡化整體軟件開發流程，縮短產品設計周期，為圖像和視覺應用顯著節約內存帶寬和減低功耗。
CEVA
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高性價比PXIe矢量信號分析儀
M9391APXIe矢量信號分析儀是AgilentPXI和AXIe模塊化產品陣容中的最新成員，包括以下模塊：M9350A下變頻器、M9301A合成器、M9300A頻率參考和M9214A數字轉換器。通過許可證密鑰軟件升級，該分析儀還可進一步增加分析帶寬、頻率范圍、存儲器和更快的開關切換。4個PXIVSA可安裝到一個18槽PXI機箱中。
M9391APXIe矢量信號分析儀頻率范圍為1MHz至3或6GHz，具有高達160MHz的帶寬，是為測試最新無線標準而專門設計的。M9391A與安捷倫模塊化X系列應用程序配合使用，可提供一致的用戶界面、通用和一致的測量以及后向兼容的API，加快測試開發并提高吞吐量。
M9391A可與M9381APXIeVSG優勢互補，更快更好地對無線功率放大器、收發信機和蜂窩基站（主要是微微蜂窩和毫微微蜂窩）等器件進行測試和設計驗證。這款新分析儀可在更短的時間執行更多測試，顯著降低測試成本。它采用了創新的Fastune技術，能夠通過快速的頻率和幅度調節，實現空前快捷的伺服回路測試。
AgilentTechnologies
電話：800-810-0189
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超小型過壓保護二極管
ESDAVLC6-1BV2瞬態電壓抑制二極管采用超小型標準貼裝封裝，尺寸為0.45mm×0.2mm，較目前尺寸為0.6×0.3mm的器件小了一個尺寸。
ESDAVLC6-1BV2瞬態電壓抑制二極管完全符合國際標準IEC61000-4-2規定的保護要求。雖然其他類型的靜電放電（ESD）保護產品，如變阻器，也有同樣的尺寸，但通常無法達到保護二極管的水平。與性能最接近的相同尺寸的變阻器相比，ESDAVLC6-1BV2的鉗位電壓只是變阻器的一半，因此能夠為內部器件提供更高的安全保護功能。變阻器雖然用于多種應用領域，但是受老化問題困擾，每發生一次靜電放電事件防護后，變阻器的保護功能就會減弱。ESDAVLC6-1BV2的主要特性：雙向操作；在印刷電路板上，一片多用；帶寬為1GHz；線路電容為7.5pF；擊穿電壓為6V；0.2mm高的超薄封裝。
STMicroelectronics
電話：010-5797-9928
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符合MIL-PRF-49470規范的電容器
AVX公司為其符合MILPRF-49470規范的開關電源堆疊式多層陶瓷電容器擴大了電壓和電容范圍，對原來的50～500V范圍添加了25V的電容器。全新25VSMPS的電容器具有標準MIL-PRF-49470B等級的可靠性。
MIL-PRF-49470SMPS電容器設計為高電流、高功率和高溫度的應用。該電容器具有超低ESR和ESL以及能承受溫度范圍為-55～+125℃。SMPS系列主要使用于高功率和高電壓電源中的輸入/輸出過濾器，為高功率逆變器的總線過濾和DC減震器。該系列也適用于DC/DC轉換器、常規開關電源、航空航天的儀表板、各個混合動力和軍事應用等。
SMPS系列電容器具有6種封裝
尺寸，還提供多種過孔和表面貼裝引線選擇。符合MIL-PRF-49470規范SMPS系列電容量范圍為：1.5～390μF（25V）、1～270μF（50V）、0.68～180μF（100V）、0.47～120μF（200V）和0.15～39μF（500V）。
AVX
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直流鏈路電容器
該直流鏈路電容器采用了愛普科斯（EPCOS）CeraLink技術。CeraLink技術是以PLZT陶瓷材料為基礎（鉛鑭鋯鈦酸），使用的容值范圍為1～100μF，額定直流電壓為400V。另一款電容器的額定直流電壓為800V，容值為5μF。主要用于工業和汽車電子設備中的快速開關電源模塊。
CeraLink新技術在功率變換器的直流鏈路的穩定性和濾波方面具有很多優勢，與傳統電容器技術相比，由于該款新電容器具備低于4nH低等效串聯電感值以及低于4mΩ的低等效串聯電阻值，因此，它非常適用于高開關頻率和快速上升時間的應用中。這包括應用于運用新一代快速開關的MOSFET或IGBT模塊的工業和汽車電子設備的轉換器之中。
CeraLink具有以下幾種常用的引腳構造，包括低剖面、SMD、焊針和壓接母線。它也可以設計內置于半導體功率模塊中。CeraLink的工作溫度范圍為-40℃～+125℃之間（短時間內可高達+150℃）：因此它也適用于以SiC為基礎的功率模塊。
愛普科斯×TDK集團成員
電話：021-22191500
電郵：
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用于大功率、高性能工業應用的NPTIGBT
Microsemi擴展其1200V非穿通型（non-punchthrough，NPT）IGBT系列，新增十多款器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。NPTIGBT產品系列設計用于需要大功率和高性能的工業應用，最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器，以及不間斷電源和開關電源。1200V產品系列中的所有器件均以Microsemi的先進PowerMOS8技術為基礎，與同類產品相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。該NPTIGBT可以與Microsemi的FRED或碳化硅肖特基二極管組合封裝，為工程師提供高集成度解決方案，以便簡化產品開發工作。其他特性包括：柵極電荷顯著減少，具有更快的開關性能；硬開關運作頻率超過80kHz，實現高效的功率轉換；易于并聯（Vcesat的正溫度系數），提升大功率應用的可靠性；額定短路耐受時間（ShortCircuitWithstandTimeRated，SCWT），在需要短路能力的應用中實現可靠運作。另外，NPTIGBT器件還提供貼片D3封裝，可讓設計人員實現更高的功率密度和更低的制造成本。
