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關鍵詞：電容器；片式鉭；高速高密度PCB
電容器作為電路中最基本的元件之一，濾波隔直是它在電路運用中的主要作用。其作用原理是通過電容器的充電和放電的特性來濾除電路的一系列干擾。在實際運用中，電容器諸多基本特性常常會對其在電路中的實際效果造成很大影響，所以探討對電容器的選擇具有十分重要的理論和實際價值。
一、電容器的類型
電容器的種類有很多種，不一樣的分類方法也有不一樣的結果。根據制造材料和工藝的區別，一般可以分為以下幾類：瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容、聚丙烯電容、陶瓷電容器、云母電容器等等。這些電容器各有其特點，以滿足實際運用中各種不同的需要。
電容器按其應用分類，一般可以分為以下四種常見的應用類型：旁路、濾波、調諧、交流耦合（通交流隔直流，由于電容器阻隔直流信號通過的特性，電容器常用來過濾信號直流的部分，只留下交流的信號，稱為交流耦合，用在交流耦合用途的電容器會有較大的電容量，其電容值不需很精確，但在信號交流成分流過時，電容需有較低的感抗值）。
二、不同電路中對電容器的選擇
由于片式電容器的寄生電感幾乎為零，相對于傳統電容器的寄生電感而言有巨大的優勢所在，因此，現如今片式電容器的應用相當廣泛。在此主要就不同電路中對片式電容器的選擇作簡單的分析。
1 濾波電路中對片式鉭電容器的選擇
片式鉭電容器作為濾波電路中運用最為廣泛的電容器，在電路中過濾掉直流信號中的交流雜波有很好的效果。但是面臨具體的選擇時，我們一定要注意，電路中可能存在的交流紋波雜波的頻率不同，不同阻抗等級的電容器要適合不同的紋波頻率濾波要求，所以，為了確保最佳的濾波效果，務必要根據電容器容量和頻率以及阻抗大小來選擇電容器的種類和電容器阻抗值的高低。
2 脈沖充放電電路中對片式鉭電容器的選擇
在脈沖充放電電路中，片式鉭電容器通常都被用來作電路的二級或次級瞬時電源，該電容器通常都具有較大的容量和較高的額定電壓。根據相關的理論，我們得知當電容器的漏電流較大時，其實際的耐壓就會下降，絕緣電阻也必然伴隨著下降，也可以理解為，實際漏電流更小的電容器的實際耐壓將更高，電容器的可靠性也將更好。所以，挑選時選擇實際漏電流相對較小的片式鉭電容器能很好地保證可靠性達到實際的要求。
三、高速高密度PCB中對電容器的選擇探討
現如今，高速高密度已經成為電子產品發展的不可逆轉的趨勢。與傳統的PCB設計相比較而言，新型的高速高密度的PCB面臨著諸多新的挑戰，而挑戰也意味著機遇。與此相對應的，對于新型的高速高密度PCB所要使用的電容器而言，也有了更多的新要求，傳統的電容器已經無法適用于高速高密度的PCB。因此，為了適應新的發展要求，在此很有必要探討一下新一代及未來電容器發展的一些問題和方向。
1 電容器高頻應用時寄生參數的影響
研究表明，高速電路必須按照高速電路來設計才能有效運用。因此，高頻性能好以及占有空間的更小是高速高密度PCB環境下對電容器的基本要求。在這之中，寄生參數的影響十分重要，必須切實的考量如何減少寄生參數的影響，尤其是等效串聯電阻和等效串聯電感。
2 符合高速高密度PCB應用要求的電容器的特點
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關鍵詞：核磁共振測井 能量儲存 電容 機械結構 優化
中圖分類號：TE2 文獻標識碼：A 文章編號：1672-3791（2012）08（b）-0092-01
核磁共振測井技術的物理基礎是利用氫原子核（質子1H）自身的磁性及其與外加磁場的相互作用。它通過測量地層巖石孔隙流體中氫核的核磁共振馳豫信號的幅度和馳豫速率，來探測地層巖石孔隙結構和孔隙流體的有關信息。
核磁共振測井直接測量巖石孔隙中流體的信號，對巖石骨架沒有響應，是當代唯一能夠直接測量儲層（油層、氣層、水層）自由流體孔隙度的測井方法。測量結果不受泥漿、泥餅及侵入的影響，也不破壞動態平衡和孔隙結構[1]。
一般的核磁共振測井儀器的基本組成，包含包括磁體和天線的探頭、電子線路、儲能短節以及信號采集與處理系統。電磁場，激勵地層的核磁共振信號，并接收核磁共振信號。電子線路的基本功能是通過天線實現大功能射頻脈沖的發射和超微弱核磁共振信號的檢測。發射電路發射的射頻（RF）脈沖期間往往高達上千瓦，由于電纜的限制，很難在短時間內供給這么大的能量，需要一個儲能短節，為發射電路提供能量。儲能短節的能量來源于1260個鉭電容，這些鉭電容必須有效合理的連接才能實現供應能量的目的，圖1為鉭電容結構（如圖1）。
本文針對目前儲能短節機械結構設計存在的問題，提供了一種優化的儲能短節機械結構設計。即設計一種連接電容固定座的結構，提高電容固定座穩定性，易于拆裝，使得儲能短節在實現能量供應的同時，為工作者拆裝提供了極大的方便，提高工作效率。
1 優化前機械結構
鉭電容固定在電容固定座中，電容固定座結構如圖2所示，中間圓孔為貫通線通孔。為了起到良好的絕緣效果，并達到一定的機械強度，電容固定座采用PEEK材料。每2個電容固定座通過銷子連接起來，共36節，如圖3所示。但這種連接方式極其不連貫，在拆裝過程中由于整個電容及固定座的自重極易斷開，而且貫通線從電容固定座中間通孔穿過，給實際工作帶來極大的麻煩（如圖2-圖4）。
2 優化后機械結構
每個電容固定座鉆有35個彈巢式圓孔，將電容成蜂窩狀排列，1260個鉭電容共分布在36個電容固定座上。為了將電容固定都圓孔中，需要把鉭電容按方式裝入電容固定座中，并用螺絲頂緊（如圖4）。
電容裝配完成后，用鍍銀銅母線將全部35個電容并聯。母線右側雙箭頭所指引腳開始連接，進入內圈，順時針繞過所有引腳圓環，共三圈繞回雙箭頭處。正、負兩端繞法相同。再準備兩根30cm長的AWG22 600V引線，橙ORG、灰GRY各一根，從雙箭頭所指引腳引出，橙ORG線接正極、灰GRY線接負極。用電烙鐵將所有連線與引腳的接觸點進行焊接。
儲能短節為了提供足夠的能量，需將每9個電容固定座串聯成4組，然后將串聯好的4組電容固定座彼此并聯，每2組并聯的電容固定座之間用間隔管間隔開，起到絕緣作用。電容固定座正中間鉆有正六邊形通孔，中間穿正六邊形不銹鋼金屬棒，防止容固定座周向轉動，提高穩定性。
串聯的每2個電容固定座之間用間隔管隔開，間隔管圓周鉆2個螺紋孔，用頂絲將其與六邊形不銹鋼棒頂緊，既防止電容固定座軸向串動，同時也起到了絕緣作用；每個電容固定座正上方開有走線槽，方便貫通線穿過。正六邊形不銹鋼金屬棒將36節電容固定座串成一個整體，不銹鋼金屬棒兩端用螺母擰緊。
3 實際裝配
按照上述設計思想，加工制造了一批PEEK電容固定座和相關的金屬部件，并進行了實際的裝配。首先將緊固板裝正六邊形金屬棒上，然后依次裝入裝配好的電容固定座。相鄰兩個電容固定座之間用電容固定座間隔管1間隔開，每9個電容固定座之間用電容固定座間隔管2間隔開，共4節。裝配完成后兩端用螺母帶緊。裝配完成后，將整體電容固定座豎起，用橡皮錘輕輕敲打上面，使電容固定座之間裝配更加緊密，防止由于裝配不牢而出現電容固定座之間串動。
將36個小節分成4組。每9節首尾相接進行串聯，將串聯好的4組電容進行并聯，藍色（BLU）接負極，橙色（ORG）接正極，從短節兩端分別引出。將裝好電容固定座的兩端裝配上金屬頭，并接好電路骨架進行測試，測井結果表明，優化后的結構信號的噪聲大大減小，信號質量得到了大大的提高，而且整個儲能短節的強度得到了非常大的改善，達到了預期設計的目標。
4 結語
優化后的儲能短節機械結構可以提高電容固定座連接穩定性，而且拆裝效率高。結構中采用金屬棒穿過電容固定座，可支撐固定電容固定座，防止電容固定座周向轉動，且通過固定結構防止電容固定座軸向竄動，穩定性非常好，間隔管提高了電容固定座之間的絕緣特性，凹槽的設置使得穿貫通線非常輕松，效率大大提高。此結構簡單、操作方便，且制作成本低、使用可靠。
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有極性的電容，正負極被接反如鉭電容，正負極接反的話，輕則電容被燒焦，重則引起電容爆炸。
2、電容的質量不過關
電容的質量如果不過關的話（制造工藝不良等），可能會導致電容器的內部元件擊穿、外殼絕緣的損壞等，都可能引發電容的爆炸（找品牌電容，可以進入點擊下面的鏈接前往：電容搜索結果頁）。
3、密封不良和漏油
裝配套管密封不良，導致潮氣進入內部，會導致絕緣電阻的下降；或因漏油使油面下降，導降，從而導致對殼方向放電或元件擊穿。
4、內部游離和鼓肚
當電容器內部產生電暈、擊穿放電和嚴重游離時，電容器在過電壓作用下，使元件起始游離電壓降低到工作電場強度之下，從而引發一系列物理、化學、電氣效應，加速絕緣老化、分解而產生氣體，形成惡性循環，以致箱殼壓力增大，造成箱壁外鼓進而導致爆炸。
5、外殼絕緣的損壞
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關鍵詞：電力系統 中繼 頻率
一、系統頻率為動態
負荷損失或失步繼電器的動作如上述原因所描述，不匹配的負載和發電的電力系統或電力的一部分之間有著緊密的聯系。作為發電機來說，它們必須被保護，才能達到危險低的工作速度，這可能會導致故障的渦輪葉片特別是那些對低壓蒸汽渦輪機的一部分。這些葉片的機械共振頻率接近至系統的正常頻率。對于60赫茲渦輪發電機系統中，一個共振可能存在大約57赫茲，并應在發電機頻率接近這個值嚴重損壞渦輪葉片可能的結果。站輔助系統，電機也可以通過破壞繼續操作減少次數。因此，當務之急是頻率衰減一個孤立的系統被發電機保護裝置從系統中隔離開廠前，并進一步加劇的嚴峻局面。它是欠頻減載繼電器功能的檢測衰變的系統頻率，并流下的系統負載的適當的量，以便產生和負載是再次處于平衡狀態，并且在電力系統可以返回到正常工作頻率，無需斷開系統的所有發電機。切負荷計劃已成為非常重要的在今天的系統中，有一個缺乏足夠的旋轉備用容量，以及聯絡線容量不足，以彌補失去的一代通過輸入功率大塊的互連。對于甩負荷（選策略已通過多項電力工程社區的運營委員會，界定這種作為北美電力可靠性委員會，考慮一個孤島系統，它有一個多余的負載，并且其開始于與平衡通常接近標稱工作頻率負載和發電在頻率之間60赫茲。該系統由許多發電機，以及暫態穩定振蕩后有死了，所有的發電機的頻率可被假定為相等。
二、電力系統現象中中繼的考慮
從歷史上看，繼電器已應用于保護特定的設備，例如電動機、發電機等等，這樣一來通過刪除有針對性的器件中，它們出現故障時，該系統的好處就消除了應力對系統本身和防止進一步損壞設備和任何相關的昂貴和漫長的維修。另外，通過該系統的好處不會被迫進入一個臨時的異常狀態。當然，系統必須是強健的，足以承受去除任何元件，但有一個限制到何種程度的保護設置可以預見的應力的程度。系統可以通過操作超出正常預期將被迫強調，計劃的情況下，例如重于預期的負荷，計劃內或計劃外的設備故障或人為錯誤。這些影響可能會導致廣域停電嚴重的技術經濟和社會影響。本章將探討該系統的現象，可能導致這樣的干擾。
三、串聯電容器和電抗器
串聯電容被施加以提高穩定性，提高功率傳輸能力，降低損耗和電壓降，并提供并行傳送的線路更好的負載劃分。它們可以是安裝在管道的一端、兩端或在中間。串聯的阻抗值電容器通常是線路阻抗的25-75%。電容過壓保護是一部分制造商提供的保護和通常由并聯功率間隙或金屬氧化物壓敏電阻（MOV ），它的目的是將電容器兩端的電壓限制在故障或負載電流產生的電壓高到足以損壞電容器。旁路斷路器也適用為保護和經營的靈活性。對其他繼電器系列電容的影響必須加以考慮。特別地，距離繼電器由不連續都不利影響電容引入的線路阻抗。其他中繼方案必須考慮到的電力缺口或MOV的可能性失敗，非對稱縫隙閃爍或MOV傳導。電流差動或相位比較計劃將正常工作用系列電容器，因為在串聯電路比較不會改變。傳輸線的充電電流和電流在兩端的相位關系線必須加以考慮。
串聯電抗器通常應用于更好的負載劃分平行的路徑上或限制故障電流。他們應該有自己的保護，因為某些內部故障可能無法檢測到由線路的繼電器。這種保障通常包括差分和距離繼電器。串聯電抗器可以繞過一個電路開關或其它開關器件。繼電器設置的變化通常會需要時，反應器被繞過。這樣可以完成與一個自適應繼電器系統。
獨立電力生產商或重新調節后期的出現讓企業家自己的力量生產設施和連接到現有的公用傳輸線，通常是在分配水平。被稱為獨立電力生產商（獨立發電商）或者公用事業的生產（豬兔），這些實體的目的以提供額外的容量和提供了一個潛在的顯著的為消費者省錢。結果從來沒有完全實現，因為住宅的消費者猶豫不決連接到非公用事業的服務。然而，獨立電力生產商也吸引工業和商業負載，常與設施承包遠離當地電力公司的服務區。
盡管關于這一概念，直接影響的最終優勢的不確定性對系統運行是顯著。一般情況下，非用事業資代上配電系統引入了幾個問題。一代沒有直接派出由實用控制中心，并因此不容易包含在生成/負載時刻表。主要的目的當然是利潤，服務質量成為一個次要問題。其結果是，嚴格合同義務強加允許調度程序以實現可靠的操作議程。一個有前途的解決這個問題是由許多實用工具來實現。這是在配電系統中創建的。這樣的網格基本上是自給自足的島嶼其中生成和負載匹配。在患難中的配電系統中事件微電網是被自動調用，維護服務的廣大客戶。除了調度問題有重要的引進中繼的問題。同發電機分散在整個配電系統的故障電流的方向變得不可預知。更換延時或瞬時過流繼電器具有定向繼電器的地方的方向性存在一個問題，當然也可以在一個顯著成本。此外，它是必不可少的該IPP和實用性充分合作，以確保該故障的貢獻的大小是已知的，并且在安裝的時間是已知的。另一種解決方案，是一個必須覆蓋合同，是在第一個跡象跳閘的權限分布式發電機故障之前，分配繼電器可以操作。這可以通過本地中繼或傳送跳閘進行方案涉及的通信系統。
參考文獻
[1]林海雪.電力系統電壓波動和閃變標準介紹，電網技術，2003，11（1）：24～29
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nVIDIA nForce 680i芯片自從在推出之前，就受到了廣大玩家的關注，尤其是在其獨特的“SLI+顯卡PPU”的功能，著實讓人期待了好一陣子。作為全球板卡領軍的華碩也在第一時間公開基于該芯片組的產品――Striker Extreme。
玩家專用的理由
華碩Striker Extreme主板是華碩針對DIY玩家推出的“玩家專用”主板，屬于玩家國度Republic of Garners系列主板之一。此系列的產品都將采用華碩最新、最具特色的技術，設計理念就是“極品玩家――夢幻國度”。它提供給DIY玩家和游戲高手想要的一切。下面我們一起來看看這款為“玩家”打造的華碩Striker Extreme主板。
華碩Striker Extreme主板秉承了其高端主板的奢華，主板采用黑色PCB，全固態電容。主板支持Intel全系列的Core2處理器。同時也是目前為止唯一個非公板設計的nForce 680i主板，這也充分展現了華碩的技術實力。
處理器供電部分華碩Striker Extreme主板使用了八相供電和全封閉式電感，值得注意的是，華碩Striker Ex-treme主板的電容部分棄用了常見的立式電容，換用了12顆鉭電容。我們都知道鉭電容可以工作在極低的溫度下，所以在采用了鉭電容之后，干冰、液氮等極端散熱方式對電氣性的影響將極為微小挺高了超頻性能，同時由于沒有了高度的限制，可以隨便安裝各種“大炮”式的散熱設備。值得一提的是：華碩Striker Extreme主板這樣的分離式電壓控制效果遠比單一的多功能控制器強很多。當然所帶來的成本提升也是不小的，所以這種設計只能出現在高端主板上。
華碩Striker Extreme主板的nForce 680i北橋芯片支持雙PcI Express×16 SLI，支持1333MHz外頻，同時支持DDR2-1200內存標準的產品。該芯片內部還加入了全新的Dynamic Adaptive Speculative Preprocessor(DASP)技術，該技術可追蹤數據線程，并預先從系統內存中讀取所需數據，令內存延遲降低，從而進一步的提升內存和系統整體性能。
nForce 680i北橋芯片在PCI Express lanes的配置方面也是極為強大，在正常情況下，可以提供×16、×16、×8和六根×1 lanes。華碩Striker Extreme主板提供了三根PCI Express×16顯卡專用插槽，其中兩根藍色PCIExpress為全速×16插槽(PCI Express 1和PCI Express3)，可以用來組建SLI，而中間白色的PCI Express 2插槽的實際速度為×8，用戶可以將單一的NVIDIA顯卡插在此處用來做專門的PPU(圖形物力加速卡)來使用。這也是目前為止只有nForce 680i才具備的先進特性。此外主板還提供了一根聲卡專用PCI Express×1插槽、一根普通的PCI Express×1和兩根PCI插槽。
主板提供了四根DDR2內存插槽，支持DDR2 400、533、667、800、1066、1200內存，支持內存雙通道和nVIDIA所獨有的快速內存訪問技術，容量最大可擴充到8GB。在對于DDR2 1200內存的支持上，我們可以通過查詢nVIDIA的官方主頁來獲得相應的信息。
在存儲方面主板提供了六組SATA2接口和一組PATA接口，同時配合主板上集成的Si13132CNU SATA2磁盤控制芯片，還額外增加了兩個對eSATA2的支持。同時主板支持RAID 0、1、0+1、5這四種磁盤陣列格式。
華碩Striker Extreme主板的I／O面板部分。雙千兆網絡接口、IEEE1394、雙eSATA2、s／PDIF輸出、光纖接口等接口一應俱全。并且還有I／O接口部分的LED背光和小型液晶顯示屏。
測試平臺及說明
測試項目：PCMark 05 v110、Spuer Pi mod 1．5XS、HD TACH 3．0．1．0、EVEREST Home Edition v3．50．761、Lame v3．97、Windows Media Encoder編碼測試、3DMark05 Build120、3DMark06、DOOM3、Quakes、Half Life 2、F．E．A．R、Serious Sam2。
本次測試在處理器方面，我們采用了Intel Core2 DuoE6400，該處理器主頻為2．13GHz，FSB為1066，倍頻10，L2 Cache為2MB。我們選用的黑金剛DDR2 800內存經過測試，在時序為5－5-5－15的情況下，可以穩定工作在1040MHz的頻率下。
在測試中，我們首先會進入BIOS中對處理器、內存頻率、時序等方面進行手動設定。并且將主板中的各種智能加速技術關閉。在基準測試時，外頻手動設定為266MHz內存頻率設定為800，時序設定為5-5-5-15。
系統綜合性能測試
在PCMark05的測試中的處理器性能測試、內存性能測試和圖形性能測試方面，華碩Striker Extreme主板的成績都極為出色，總得分達到了7539分，在磁盤性能方面也具有優異的表現。看來nVIDIA在磁盤性能方面的進步還是顯而易見的，這樣的得分絲毫不弱于任何Intel的主板。
在圖形性能測試中，華碩Striker Extreme主板表現極為出色，Core2 Duo E6400處理器將GeForce 8800GTX顯卡的性能很好的發揮了出來?？磥砣碌奶幚砥骷軜媽τ螒虻膶嶋H表現確實起到了至關重要的作用。
BIOS調節豐富
華碩Striker Extreme主板所提供的BIOS調節選項極為豐富，而且調節范圍也非常寬泛，比如處理器倍頻調節和內存頻率調節上。華碩Striker Extreme主板所提供的內存頻率調節相對于Intel P965來說，絕對是一大優勢。首先其頻率的調節范圍可以從DDR2 400一直到DDR2 2600，并且有豐富的內存異步選項共玩家選擇。另外一個IntelP965所不能比擬的就是其內存頻率可以在400~2600之間任意調節鎖定，照此來看，中端方面的nForce 650i也應該具備此項功能，如果再配合成熟的BIOS，那么將使得用戶在充分挖掘處理器潛力的同時，節省下那昂貴的高端內存開銷。
超頻狀態下的內存異步設定。外頻為500MHz，此時如果是Intel P965主板的話，內存頻率最低也要達到1000(500MHz)，而我們使用華碩Striker Extreme主板，可以將此時的內存 頻率最低設定到400(200MHz)。
華碩Striker Extreme主板超頻簡測
前面我們已經見識到了華碩Striker Extreme主板在BIOS方面的強大，同時也了解到了主板受到BIOS不完善的影響，使得超頻能力并沒有被完全的發揮出來，就算如此，華碩Striker Extreme主板此時的超頻能力依舊是玩家有所關心的。在這里，我們就簡單的測試一下現階段華碩Striker Extreme主板在外頻方面的超頻能力。
我們將手里這顆Core2 Duo E6400處理器的倍頻下降到6，然后沖擊外頻。華碩Striker Extreme主板的外頻可以穩定工作在500MHz下，但是繼續提升就無法點亮系統，進行電壓提升也沒有任何效果。在此本人認為已經達到了目前華碩Striker Extreme主板的較高水平。通過其他地方的測試我們也可以發現，目前nForce 680i包括華碩Strik-er Extreme主板在內，普遍的外頻記錄都在480MHz左右，而在采用干冰、液氮等極端散熱手段的情況下，最高記錄也僅僅為外頻539MHz，穩定外頻為511MHz?？磥砦覀冞€要繼續期待日后比較完善的BIOS。
在外頻方面的表現，華碩Striker Extreme主板明顯優于其他基于公版設計的nForce 680i主板的表現。
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【關鍵詞】電容偏差；元件厚度；壓緊系數；電容溶脹率
1. 引言
隨著電容器行業的迅速發展，用戶對電容器的各項性能指標要求也越來越高。GB/T 20994-2007《高壓直流輸電系統用并聯電容器及交流濾波電容器》中明確規定，對于交流濾波電容器組的電容偏差為：±1%。超過允許范圍，直接影響最終的濾波效果。為了提高裝置的可靠性，降低電容器過電壓的不均勻系數等問題，這就要求單臺電容器電容偏差越小越好。
2. 影響電容器偏差的因素
2.1 原材料問題。
在常規產品的設計過程中，設計員都是根據固體材料的理論厚度
對該產品加以計算。而在實際過程中，由于原材料來自不同的廠家，加工工藝不相同，導致原材料的性能、品質不穩定，即使是同一個廠家的不同批次之間也存在差異。包括聚丙烯薄膜的厚度均勻性、孔隙率、介電常數，鋁箔的厚度和寬度等的一致性很難得到保證。如增大果聚丙烯膜孔隙率較大，在干芯子狀態下，元件的極板充滿空氣和聚丙烯膜，此時的干芯子電容合適，而在浸漬之后，空氣占據的部分被油取代，因為油的介電常數比空氣大，因此電容會增大，溶脹率也會增大。最終使電容超出范圍。
2.2 設備問題。
（1）卷繞機。目前，半自動化卷繞機已經逐步被全自動所替代，大大的減小了人為因素對電容的影響，但即便都是全自動設備，設備的參數不同（包括張力，卷繞速度等），卷繞出來的元件電容也存在一定的偏差。因為卷繞長度是靠傳感器來控制的，也不能保證沒有任何差異。通過實驗得到，同一個設計參數，同批次材料的卷制過程中，設定一定的長度，通過同一卷制機和不同的卷繞機卷出來的元件，實際長度也有所不同，有≤70mm的誤差。這也就使得過程控制電容和成品后出現了差異。
（2）元件耐壓機。元件在卷繞完成后要經過耐壓機進行直流耐壓試驗，一是對卷繞出的元件介質中是否存在容易擊穿的電弱點，以便進行篩選，二是使極板中的介質極化達到定型作用，使其變硬，方便裝配。這樣元件厚度就基本確定，這個厚度與設計過程中確定的厚度要一致，也就是壓緊系數要一致。而實際的元件厚度因為耐壓機墊板尺寸不夠、不平整等原因，與設計厚度存在一定差異。
（3）芯子壓床。通過耐壓試驗的元件要經過芯子壓床進行組裝然后焊接。在組裝過程中，整個芯子要通過一定的壓力來達到設計時的高度，使得芯子高度與設計高度一致。而在實際生產過程中，這個壓力通過人為來控制，偶爾就會出現過壓現象，看似芯子高度都一致，但壓緊系數已經發生變化，影響了成品的電容偏差。
2.3 環境問題。
電容器芯子在生產過程中應在溫濕度和凈化度相對恒定的一個環境中進行，而在實際生產過程中，我公司溫度控制在：22±2℃，濕度控制在50±5%，即使偏差范圍較小，也是一個面，而不是一個點，不可能不存在一定的偏差，這就造成了實際卷繞過程中溫濕度的差異，不可避免。
2.4 設計問題。
（1）設計電容偏差C的取值問題。C直接影響電容器電容偏差，固體介質不同 ，C也是不一樣的，這個值的給定要通過大量的試制，數據的積累。
（2）壓緊系數。在設計過程中，不同的產品壓緊系數都要一致。不同壓緊系數設計出來的產品，濕（浸漬后）干（浸漬前）比也會不同，對干芯子電容的控制帶來一定麻煩。當然，特殊設計產品除外。
3. 控制電容偏差的措施
3.1 原材料的控制。
（1）對每一批進廠材料的各項性能進行嚴格檢驗，特別是聚丙烯膜的厚度和孔隙率，要求生產廠家將每一卷料厚度偏差按“+、-、0”嚴格標識，在生產過程中搭配使用，使得電容器極間厚度盡可能均勻，等接近標稱值，使得原材料厚度帶來的偏差降到最小。
（2）增加對原材料的進廠檢驗的比例，聯合設計手段，將檢驗數據及時提供給設計部門，在產品進行生產之前，設計部門要將采用的聚丙烯膜的厚度、寬度、空隙率等參數取得平均值，適當的對本批次產品的設計方案進行調整。保證電容在一定的范圍內。
3.2 設備的保養和管理。
（1）卷制機。對卷制機進行嚴格管理，設備的參數（包括張力、
速度等設置要一定，不能隨意變化。對不同的卷制機設置進行調整，使得每臺卷制機按照同一參數卷出的元件電容偏差盡可能小。
（2）耐壓機。加強工藝研究，使得元件實際厚度更加精確，加強
工裝研究，對耐壓機壓板的平整度進行調整，使得元件厚度均勻平整。對墊板尺寸盡可能到達元件厚度的要求。保證元件的壓緊系數與設計值一致。
（3）芯子壓床。對壓床進行改造，增加紅外探頭，按芯子的設計尺寸調整探頭位置，使得芯子沒有過壓現象，尺寸能嚴格達到設計要求，壓緊系數一致。并對芯子進行打包，完成芯子的壓裝過程。
3.3 工藝的控制。
（1）環境控制。加強工藝控制，嚴格保證凈化間的溫濕度，并使之保持恒定。在凈化間長期未卷制而重新要卷制時，應先打開空調，使其達到要求的溫濕度，同時應對卷制機進行預熱。當出現溫度或濕度變化較大時，應立即停止卷制，調整空調，待溫濕度達到要求，并恒定時，再進行卷制。
（2）對關鍵工序的操作工進行培訓，使其對操作過程和控制要點學習并掌握，在過程中出現問題是能及時發現，并通過工藝員進行允許范圍的微調（卷繞長度的±1%），但這只針對本批次材料，作為日后同型號產品的參考依據。
3.4 確定浸漬前后的電容比值，控制干芯子電容。
（1）由于在日常的生產過程中，大家都認為那些因素對電容值影響很小，往往被忽視，看似每個因素都影響不大，但疊加起來，卻會有很大的影響。如果等到成品測試發現電容器電容偏差較大時，再返修，必然會對電容器質量會有影響。所以最容易操作的就是對干芯子的電容進行控制。當然這種控制也是在各種因素不變的情況下進行。這就要求對不同介質結構的產品，浸漬前后的電容比值進行分析。在日常的生產過程中也要主要數據的統計。
（2）對于BAM11/√3-334-1W產品進行分析：
取同一批次膜連續生產的5罐該產品，它干芯子電容值與成品電容平值的關系（成品電容值/干芯子電容值，我們稱為芯子溶脹率）如表1所示。
（3）從以上統計數據可以看出，產品BAM11/√3-334-1W電容溶脹率的平均值為1.2111，對于要求電容偏差為0～2%的產品，干芯子電容可控制在21.77～22.21μF。
（4）當然這只是一種控制措施，按現在的電容器生產線，當在芯子打耐壓，測量干芯子電容時，如果發現有一臺電容超差時，可能已經有好幾臺半成品在線上了，可以及時對這一臺產品進行分析，排除人為或機器等原因外，可對本臺芯子進行修復，在調整元件的同時一定要注意不要破壞芯子的整體。如果發現成批超差時，應及時排查超差原因，必要時修改設計參數，使得干芯子電容控制在要求的范圍內。
4. 結語
通過以上的原因分析和控制措施，本人認為：要使電容器電容偏差達到較小的范圍，要從材料檢驗、設計、工藝、設備、生產等方面相結合的辦法來實現，每一個環節都與電容器電容息息相關。主要從以下方面考慮控制：
（1）對原材料的進廠檢驗要嚴把質量關，嚴格檢驗原材料的各項性能，特別是厚度、寬度、孔隙率等。要求聚丙烯膜廠家對每卷材料厚度偏差按“+、-、0”標識，使用時進行搭配。
（2）在設計過程中，要采用統一的壓緊系數和C的取值，通過大量的數據積累，不斷優化，得到一個最優的設計方案，使由設計帶來的偏差降到最低。
（3）在生產過程中嚴格按照工藝操作指導卡執行，卷繞間的環境要達到工藝要求。
（4）各個設備都要正常運行，每個卷繞機的性能都要保持一致，使得卷出的元件電容偏差降到最小。
（5）在生產過程中，元件耐壓和芯子壓裝都要按照設計參數按個執行，保證芯子在生產過程中的壓緊系數與設計值保持一致。
（6）嚴格控制干芯子電容在要求的范圍內，必要時采取一定的補救措施，使得有問題的產品控制在入殼之前。
參考文獻
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